处理电子元件的方法及装置制造方法及图纸

一种处理电子元件（１１）的方法，其中电子元件（１１）暴露在加热溶剂（１５）中，并且随后暴露在臭氧化处理流体中。可选的，通过将电子元件（１１）暴露在加热溶剂的经过层中，使电子元件（１１）暴露在加热的溶剂（１５）中。还提供了一种处理电子元件（１１）的装置，其具有加热的溶剂（１５）和臭氧化的流体。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及处理电子元件的方法和装置，并且特别涉及使用加热的溶剂和臭氧化处理流体的组合处理半导体晶片的方法和装置，以除去或剥离大块的光致抗蚀剂。优选地，进行湿处理以准备进行如下处理步骤的电子元件，如扩散、离子注入、外延生长、化学气相淀积、半球硅晶粒生长或者它们的组合。在湿处理中，电子元件暴露在一系列处理溶剂中。例如，处理溶剂可以用来蚀刻、除去光致抗蚀剂、清洁、生长氧化层或者对电子元件进行漂洗。参考转让给同一受让人的美国专利4,577,650、4,740,249、4,738,272、4,856,544、4,633,893、4,778,532、4,917,123和欧洲专利0 233 184，以及Burkman等人的Wet Chemical Processes-Aqueous Cleaning Processes(湿化学水处理清洁过程)，Handbook ofSemiconductor Wafer Cleaning Technology(半导体晶片清洁技术)(由Werner Kern编辑，由Noyes Publication Parkridge出版，New Jersey 1993年本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理电子元件的方法，该方法包括：ａ．将电子元件暴露在加热的溶剂中；以及ｂ．随后将电子元件暴露在臭氧化处理流体中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂文韦尔豪韦贝克，刘易斯柳，艾伦E沃尔持，C韦德希恩，克利斯托弗F麦康奈尔，
申请(专利权)人：马特森技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]