本发明提出了一种适用于操作用于内燃机的喷射装置的燃料喷射阀的执行机构单元。该执行机构单元由压电执行机构（１）和一个构造成弹簧的空心体（４）构成。通过根据本发明的空心体（４）的构型可以提高执行机构单元的寿命。

本发明公开了一种ＭＥＭＳ装置（１２）以及制造和加工该ＭＥＭＳ装置（１２）的技术，该装置具有机械结构（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）和用于将机械结构（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）固定到基片（１４）的锚固件（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）。本发明的所述锚固...

本发明涉及具有一个塑料部件（１０ａ－１０ｋ）及一个发光二极管（１２ａ－１２ｌ）的装置。本发明提出：发光二极管（１２ａ－１２ｌ）被浇注在塑料部件（１０ａ－１０ｉ）中。

尤其用于调节汽车中活动部件的电机（１０），其具有一个夹层结构的电子单元（７０），它具有一个第一导电衬底（７１）和一个第二导电衬底（７２），在其之间设置功率元器件并且与两个衬底（７１，７２）电连接，并且所述第二衬底（７２）在一个背离第一衬...

本发明涉及一种例如用于操作机械部件的压电执行机构，其中，所述压电执行机构设置有一些压电层（２）的多层结构并且在一个压电有源区域（Ａ）中可以通过设置在这些压电层之间的内电极（３，４）施加电压。在压电执行机构（１）的层结构中具有一些非有源区...

本发明涉及一种二极管，尤其是机动车中的整流器用的大功率压入式二极管，它具有一个半导体芯片，该芯片通过焊剂层与一个头部引线和一个管座相连接。一个至少存在于芯片区域中并包括一个塑料套管的塑料包封使得可以用硬浇注件并且形成管座与头部引线之间的...

这里描述和示出了很多发明。在一个方面，本发明涉及一种薄膜封装的ＭＥＭＳ以及制造或生产薄膜封装的ＭＥＭＳ的技术，所述ＭＥＭＳ包括集成的吸杂区域和／或增大的腔室体积，但是从机械结构和腔室的角度看却很少或没有导致总体尺寸的增大。集成的吸杂区域...

本发明涉及一种压电致动器，例如用于操作机械构件，建议，该压电致动器由压电层的多层结构组成，该多层结构由至少一个具有安置在压电层之间的内电极（６，８，１３，１５）的压电活性区域（２）组成，内电极可交替地用不同极性的电压加载。压电致动器（１...

本发明涉及用于无源地稳定半导体元件中的电源电压的装置。在用于元件的标准单元１０的布线的横向区域１１内，在第一导电类型ｎ的第一层３中导入由第二导电类型ｐ构成的区域５３，５４。在此情况下在交界面上构成阻挡层，这些阻挡层的电容用于支持电源电压...

本发明涉及一种用于至少一个调整构件（１０１，１０２，１０３，２０１，２０２，２０３）的、尤其是用于内燃机（１）喷油系统的一种电容性调整构件的控制电路（１００），在此控制电路中调整构件可以施加控制电流。控制电路（１００）具有一种电抗器（Ｔ...

本发明涉及用于电压限制的半导体结构。它具有一个第一覆盖电极（４），一个与第一覆盖电极相连接的、强ｐ掺杂的半导体层（２），一个与强ｐ掺杂半导体层（２）相连接的、弱ｎ掺杂半导体层（１），及一个第二覆盖电极（５）。在弱ｎ掺杂半导体层（１）与第...

本发明说明了一种半导体器件以及一种用于制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有这样的电阻特性，即强地与温度相关。该电阻特性通过半导体器件的特殊的多层结构来得到，其中一层这样地构造，即例如在ｎ掺杂的区域中有多个ｐ掺杂的区域，它们在一个侧...

本发明涉及一种使用智能功率技术的集成电路，尤其是用于应用在汽车领域，它至少具有：高电压端子（ａ１，ａ２），用于连接到高电压（ＵＨ）上；一个具有低电压元件的智能开关电路（３），一个连接在高电压端子（ａ１，ａ２）之间的ＥＳＤ保护电路（４），...

本发明涉及一种半导体装置（２０），其包括带有集成的ＰＮ二极管的沟槽－ＭＯＳ－势垒－肖特基－二极管，本发明还涉及用于其制造的方法。

说明了一种半导体装置，特别是高效率－肖特基－二极管（ＨＥＤ）和具有这种半导体装置的整流器装置。高效率－肖特基－二极管（ＨＥＤ）由至少一个肖特基二极管组合以另外的半导体元件、特别是磁敏元件（ＴＭＢＳ）或者ｐｎ二极管（ＴＪＢＳ）来构成并且具...

公开了用于控制尤其是汽车的喷射燃料装置的压电元件（１１、１２、１３、１４）的电路（１０）。具有与该压电元件（１１、１２、１３、１４）串联连接的第一测量电阻（２４）。具有两个串联连接的晶体管（２７，２８），其公共连接点与该压电元件（１１、...

本发明涉及一种用于尤其是对汽车燃油喷射设备的压电元件（１１、１２、１３、１４）进行控制的电路（１０），其中设置了两个串联的、用节拍可控制的晶体管（２７、２８），它们的共同接通点与该压电元件（１１、１２、１３、１４）耦联，且其中一个晶体管...

本发明描述了半导体装置和用于其制造的方法，其中该半导体装置被构造为带有作为箝位元件的ＰＮ二极管的沟槽－肖特基－势垒－肖特基－二极管（ＴＳＢＳ－ＰＮ）并且相对于传统的ＴＳＢＳ元件具有附加的特性，该特征能够实现电特性的匹配。该ＴＳＢＳ－ＰＮ...

本发明涉及包括一个带有集成的ＰＮ二极管的沟槽－结－势垒－肖特基二极管的半导体装置（３０）及其制造方法。

本发明涉及一种用于用包含多个半导体芯片（２）的晶片（１）制造半导体芯片（２）的方法。当在完成晶片（１）之后在晶片表面产生给定折断部（１４），并且将晶片（１）沿着这些给定折断部（１４）来折断，以将半导体芯片（２）分离时，可以显著地减少在芯...