本发明涉及一种一次编程非易失性存储器及其读取感测方法。该一次编程非易失性存储器中具有一存储器阵列，连接至多条位线。该读取方法包括下列步骤：将所述位线预充电至一预充电电压；由该存储器阵列中决定一选定存储单元，其中该选定存储单元连接至所述位...

一种电阻式存储器的控制方法。首先，开始对该电阻式存储器进行一动作，使得电阻式存储器为一特定状态。接着，开始一运作周期。在运作周期的一第一子周期时，提供一第一极性的一第一控制信号。在运作周期的一第二子周期时，提供一第二极性的一第二控制信号...

一种电阻式存储器的记忆胞阵列，包括：一第一位线；一第一字线；一第一源极线对；以及一第一记忆胞。第一记忆胞具有一选择端连接至该第一字线、一第一控制端连接至该第一源极线对中的一第一源极线、一第二控制端连接至该第一源极线对中的一第二源极线以及...

存储器装置、电荷帮浦电路以及其电压泵激方法。本发明提供一种存储器装置、电荷帮浦电路以及电压泵激方法。电荷帮浦电路包括多个延迟单元、锁存电路以及多个电荷帮浦单元。根据输出时钟信号，延迟单元分别产生多个时钟信号。锁存电路接收时钟信号的最后阶...

本发明公开一种整合型电容感应模块及其相关系统，该整合型电容感应模块包括：硅基板、第一层间介电层、第二层间介电层、第三层间介电层、多个电连接层、屏蔽层、下感应电极层、上感应电极层、保护镀膜层。内嵌式存储器与感应电路形成于该硅基板内。第一层...

本发明为一种非易失性存储器中一一位存储单元即可的控制方法，该第一一位存储单元具有一位线连接至串接的N个储存单元，该控制方法包括下列步骤：(a)当编程该第一一位存储单元时，编程一第x储存单元，使得读取该第一一位存储单元时，提供该第x储存单...

一种非易失性存储器及其列解码器。该列解码器包括存储器阵列、行解码器、列解码器、写入缓冲器以及感测电路。列解码器包括一编程用解码器以及一读取用解码器。编程用解码器连接至存储器阵列的n条位线。读取用解码器连接至存储器阵列的n条位线。在编程周...

本发明提供电荷泵装置。电荷泵装置包括：时钟信号发生器、时钟冻结电路、电荷泵电路和反馈电路。时钟信号发生器产生时钟信号。时钟冻结电路直接接收时钟信号和致能信号。时钟冻结电路根据致能信号以决定是否通过或锁存时钟信号的电压电平以产生控制时钟信...

一种运用于记忆胞阵列的电荷泵系统及其相关控制方法。该电荷泵系统包括：一逻辑电路、一信号处理电路、电荷泵电路、一开关电路、一第一可控制放电路径与一第二可控制放电路径。逻辑电路接收一编程致能信号，产生一第一控制信号。信号处理电路接收一泵致能...

一种脉冲延迟电路，包括：一下拉单元，具有一控制端接收一输入脉冲信号，一第一端连接至一节点b，一第二端连接至一第一电压；一第一上拉单元，具有一控制端连接至一节点c，一第一端连接至一第二电压，一第二端连接至该节点b；第一延迟单元，具有一重置...

一种一次编程的记忆胞及其阵列结构与操作方法。该一次编程的记忆胞，包括：晶体管、第一变容器与第二变容器。晶体管具有栅极、源极与漏极。栅极连接至字线。源极连接至位线。第一变容器的第一端连接至晶体管的漏极，第二端连接至第一编程线。第二变容器的...

本公开提供一种四相电荷泵电路，其包含输出级和多个升压级。所述多个升压级串联耦接到所述输出级，并且所述多个升压级中的每一个升压级由四相时钟信号驱动。所述输出级由所述四相时钟信号中的两个时钟信号驱动并且输出正升压电压，并且进而所述四相电荷泵...

一种电压切换电路，包括：多个晶体管、第一控制电路与第二控制电路。第一晶体管的源极连接至一第一电压源，栅极连接至一节点b1。第二晶体管的源极连接至该第一晶体管的漏极，栅极接收一致能信号，漏极连接至一节点b2。第三晶体管的源极连接至该节点b...

本发明公开了一种非挥发性存储器单元，包含耦合组件、第一选择晶体管、第二选择晶体管、第一浮接栅极晶体管及第二浮接栅极晶体管。耦合组件是形成于第一导电区域内。第一选择晶体管，与第一浮接栅极晶体管及第二选择晶体管串接，而第一选择晶体管、第一浮...

本发明公开了一种电平位移驱动电路。电平位移驱动电路包括电平位移电路及驱动电路。驱动电路包括串联的第一P型晶体管、第二P型晶体管、第一N型晶体管及第二N型晶体管。当电平位移电路的输入信号处于工作电压时，电平位移电路会截止第二N型晶体管，而...

本发明公开了一种感测放大器包括单元电流产生器、参考电流产生器、第一充/放电组件、第二充/放电组件、第一电压触发电路、第二电压触发电路及数据维持器。单元电流产生器用以输出存储器单元的复制单元电流。参考电流产生器用以产生复制参考电流。第一充...

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物定义区上并与...

本发明涉及一种电压产生器的调整方法，且该电压产生器根据一参考电压产生一输出电压。该调整方法包括下列步骤：(a)提供初始值的一调整码；(b)根据该调整码，产生一参考电压至该电压产生器，并使得该电压产生器对应地产生该输出电压；以及(c)比较...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括衬底、存储元件以及选择晶体管。存储元件位于衬底上。选择晶体管位于衬底上且与存储元件电连接。选择晶体管包括选择栅极、第一介电层以及第二介电层。选择栅极位于衬底上。第一介电层与第二介电层相...

本发明提供一种非易失性存储器装置及其抹除方法。非易失性存储器装置包括多个存储器区块以及控制电压提供器。存储器区块配置在相同的井区，其中，各存储器区块包括多个存储器胞以分别接收多个控制线信号。控制电压提供器提供控制线信号至各第一存储器区块...