昆山清元电子科技有限公司专利技术

昆山清元电子科技有限公司共有54项专利

  • 本发明提供了一种异质叠层薄膜电容器及其制备方法与应用,所述异质叠层薄膜电容器包括依次层叠设置的基底、介电层、至少一层复合层和电极层,或者,所述异质叠层薄膜电容器包括依次层叠设置的基底、至少一层复合层和电极层;所述复合层包括层叠设置的铁电...
  • 本发明提供了一种面内电容及其制备方法与应用,所述面内电容包括基底层、覆盖于所述基底层表面的薄膜层,及覆盖于所述薄膜层表面的两块彼此交错设置的插齿电极;所述薄膜层由Aurivillius化合物组成。本发明提供的面内电容的薄膜层采用了无疲劳...
  • 本发明公开了一种超低损高介电陶瓷组合物,涉及陶瓷材料技术领域,包括如下按摩尔份计的如下组分:含有Ba和Ti的钙钛矿型化合物100摩尔份、含有Mg的化合物0.1‑15摩尔份、含有Sr的化合物0.1‑30摩尔份、含有Fe的化合物0.01‑3...
  • 本发明公开了一种高介电低损耗介质材料及其制备方法,涉及电子陶瓷材料技术领域,包括如下按摩尔份计的组分制成:钛酸钡60‑90摩尔份、钽酸钾10‑40摩尔份、氧化铋0.2‑3摩尔份、二氧化钛0.6‑4摩尔份、五氧化二铌0.1‑0.8摩尔份、...
  • 本发明涉及一种圆片式陶瓷电容器介质材料及其制备方法和应用,所述制备方法包括:将钛酸钡、稀土氧化物助剂和硅溶胶液混合、造粒后,经压制,得到坯体,将所述坯体进行烧结,得到圆片式陶瓷电容器介质材料。本发明将硅溶胶液加入配方体系中,以硅溶胶液代...
  • 本发明提供一种高介电陶瓷电容器及其制备方法,制备方法包括:S1:将BaCO<subgt;3</subgt;和TiO<subgt;2</subgt;粉体材料混合,并加入Nb<subgt;2</subgt...
  • 本发明公开了一种高熵低介微波陶瓷,属于电子陶瓷材料技术领域,包括以下步骤:步骤1、将MgO、MnO、ZnO、CoO、CuO和NiO粉体混合,在球磨机中去离子水为研磨介质,烘干,得到混合粉体2;步骤2、按重量份计,在混合水溶液中,加入柠檬...
  • 本发明公开了一种中熵低介微波陶瓷,属于电子陶瓷材料技术领域,其制备方法包括以下步骤:步骤1:按照等摩尔比将MgO、CoO和ZnO粉体混合得混合物Z,在球磨机中以去离子水为研磨介质,使用湿法研磨法将混合物Z研磨至粒度小于10微米,烘干,得...
  • 本发明提出一种高极化反铁电陶瓷材料、电容器及其制备方法,高极化反铁电陶瓷材料由摩尔比为(1‑x):x的两种不同晶相的反铁电材料固溶而成,其中x=0.02~0.20,高极化反铁电陶瓷材料具有弛豫铁电体的准同形相界结构。本发明提出的反铁电陶...
  • 本发明公开了一种反铁电‑顺电‑铁电三元固溶体陶瓷材料,该陶瓷材料的化学式为:(1‑x‑y)PbZrO3‑xLaScO3‑yBiScO3,其中,x+y≤0.7,0<x≤0.3。通过添加LaScO3和BiScO3材料,并控制上述二者的掺量,...
  • 本发明提供一种PbZrO<subgt;3</subgt;反铁电电容器及其制备方法,涉及铁电材料技术领域,一种PbZrO<subgt;3</subgt;反铁电电容器,包括第一电极层、PbO层、固溶铁电体的反铁电层、...
  • 本发明提供了一种高压陶瓷电容器及其应用,属于电容器材料技术领域,该高压陶瓷电容器包括电介质材料,其化学组成为Ba(Ti<subgt;m</subgt;Zr<subgt;n</subgt;Sn<subgt;p...
  • 本发明公开了一种高介电常数、低损耗铁电电容器及其制备方法,涉及陶瓷电容器技术领域,其制备原料包括介电陶瓷组合物,所述介电陶瓷组合物包含(BimAnBpCq)FeO3、Bi(FemDnEpFq)O3中的至少一种,其中A、B、C相互独立地选...
  • 本发明公开了一种反铁电薄膜及制备方法、含有其的反铁电容器及制备方法,反铁电薄膜包括多层顺电‑反铁电层,每层顺电‑反铁电层包括多个顺电区域,多个顺电区域弥散分布在反铁电区域中,制备方法为:将PbZrO<subgt;3</sub...