一种高介电常数、低损耗铁电电容器制造技术

本发明专利技术公开了一种高介电常数、低损耗铁电电容器及其制备方法，涉及陶瓷电容器技术领域，其制备原料包括介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包含(BimAnBpCq)FeO3、Bi(FemDnEpFq)O3中的至少一种，其中A、B、C相互独立地选自Nd、La、Sm、Eu、Er、Dy、Al、B中一种或多种；D、E、F相互独立地选自Ru、Sc、Al、Ga、Y、In中的一种或多种；m+n+p+q＝1，0≤m≤1，0≤n≤1，0≤p≤1，0≤q≤1。本发明专利技术公开的高介电常数、低损耗铁电电容器介电常数高、介电损耗低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷电容器，尤其涉及一种基于熵设计的高介电常数、低损耗铁电电容器。

技术介绍

1、陶瓷电容器作为使用最广泛的无源电子元器件之一，与其他类型的电容器相比，具有比容量大、耐湿热性能好、介电损耗小、串联等效电阻小、容温系数可选择范围广等诸多优良特性被广泛应用于高功率电子、电器等领域，诸如混合动力汽车、航天航空、石油钻井、国防以及可持续分布式能源动力系统中的储能、逆变、滤波、旁路、耦合等领域。近年来随着智能手机、平板电脑、3d电视等消费品市场的增长，陶瓷电容器的需求量在逐年增大。

2、铁电陶瓷材料具有很高的介电常数，是一类非常重要的介质材料，在电子工业中被大量地用于制备陶瓷电容器。铁酸铋(bifeo3)作为一种常见的铁电陶瓷材料，因其具有室温多铁性(铁电居里温度为1103k，反铁磁奈尔温度为643k)，其强铁电性使其成为很有潜力的电介质。然而，纯的铁酸铋不易合成，且铁酸铋作为强铁电体尽管有大的极化，但其饱和极化特征使得其介电常数并不高，大的翻转滞回使其损耗大。另外由于铁离子的变价引起的氧空位和铋原子的挥发引起的铋空位导致的漏电流使得铁酸铋本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高介电常数、低损耗铁电电容器，其特征在于，其制备原料包括介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包含(BimAnBpCq)FeO3、Bi(FemDnEpFq)O3中的至少一种，其中A、B、C相互独立地选自Nd、La、Sm、Eu、Er、Dy、Al、B中一种或多种；D、E、F相互独立地选自Ru、Sc、Al、Ga、Y、In中的一种或多种；m+n+p+q＝1，0≤m≤1，0≤n≤1，0≤p≤1，0≤q≤1。

2.一种根据权利要求1所述高介电常数、低损耗铁电电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述高介电常数、低损耗铁电电容器的制备方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种高介电常数、低损耗铁电电容器，其特征在于，其制备原料包括介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包含(bimanbpcq)feo3、bi(femdnepfq)o3中的至少一种，其中a、b、c相互独立地选自nd、la、sm、eu、er、dy、al、b中一种或多种；d、e、f相互独立地选自ru、sc、al、ga、y、in中的一种或多种；m+n+p+q＝1，0≤m≤1，0≤n≤1，0≤p≤1，0≤q≤1。

2.一种根据权利要求1所述高介电常数、低损耗铁电电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述高介电常数、低损耗铁电电容器的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述煅烧的温度为800-850℃，煅烧时间为3-5h。

4.根据权利要求2所述高介电常数、低损耗铁电电容器的制备方法，其特征在于，步骤s1中所述球磨过程中加入适量的去离子水和氧化锆珠，球磨时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亦谦，刘隽甫，孙士伦，徐邵亮，
申请(专利权)人：昆山清元电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：