昆山清元电子科技有限公司专利技术

昆山清元电子科技有限公司共有54项专利

  • 本发明提供一种高介电低损耗陶瓷组合物及其制备方法和应用,涉及功能陶瓷材料技术领域,高介电低损耗陶瓷组合物包括:高介电低损耗陶瓷组合物由作为主要成分的钙钛矿型化合物和辅助成分组成;其中,所述钙钛矿型化合物中含有Ba元素和Ti元素,辅助成分...
  • 本发明提供了一种MLCC高精度低成本错位印刷反式叠层法及电子元器件,包括以下步骤:S1、将陶瓷浆料流延在柔性基底上得到陶瓷膜带;S2、将陶瓷膜带裁切处理得到陶瓷膜片;S3、在陶瓷膜片正面印刷电极图案,得到印刷片,包括印刷片A和印刷片B;...
  • 本发明提供了一种高介低损X7P型电介质陶瓷材料及制备方法和应用,涉及功能陶瓷材料技术领域,电介质陶瓷材料由作为主要成分的钙钛矿型化合物和辅助成分组成;其中,所述钙钛矿型化合物中含有Ba元素和Ti元素,所述辅助成分包括:含有Mg元素的第一...
  • 本发明实施例提供了一种电介质组合物、元件、电子部件、陶瓷电容器及制备方法,涉及半导体技术领域,其中,该电介质组合物包括:两层外层粉体,外层粉体包含掺杂有第一物质的BaTiO3,第一物质使得外层粉体具备达到第一预设数值的击穿场强;一层内层...
  • 本发明提供一种高压陶瓷电容器及其制造方法,涉及电子材料技术领域,高压陶瓷电容器包括陶瓷介质层和电极层,陶瓷介质层由以下重量百分比的原料制成:钛酸钡(BaT iO3)85%、锆酸钡(BaZrO3)10%、三氧化二钇(Y2O3)3%和五氧化...
  • 本发明提供集成式圆片电容与MLCC自动化检测设备,涉及电容检测技术领域,包括固定底座,所述固定底座,所述固定底座上设有对圆片电容与MLCC进行上料的上料机构,所述固定底座上设有对圆片电容与MLCC进行检测的检测机构,所述固定底座上设有对...
  • 本发明公开了一种陶瓷粉末多级球磨机及其使用方法,涉及球磨机技术领域;本发明包括:机架,其上水平转动设置有研磨筒,所述研磨筒的两端分别连通有进料管和出料管,所述研磨筒的内壁设置有若干个呈环形分布的衬板,所述衬板的两侧分别构造有波浪面和嵌槽...
  • 本发明公开了一种用于卷绕式电容器的卷芯的制备方法,该方法包括:提供柔性基底,所述柔性基底为Ni、Cu、Al或不锈钢的箔片,所述柔性基底作为底部电极;在所述柔性基底的上方涂覆陶瓷电介质层,所述陶瓷电介质层包含非晶‑纳米晶材料,所述非晶‑纳...
  • 本发明公开了一种用于卷绕式电容器的卷芯,所述卷芯包括柔性基底,所述柔性基底作为底部电极;位于所述柔性基底上方的陶瓷电介质层,所述陶瓷电介质层包含非晶‑纳米晶材料,所述非晶‑纳米晶材料的结晶度为15~50%,晶粒尺寸为5~40nm;位于所...
  • 本发明提供一种复相高压储能电介质薄膜、电容器及其制备方法,复相高压储能电介质薄膜材料的化学分子式为Bi(4‑x)AxTi(3‑x)BxO12,其中A为+3价稀土元素离子,B为+4价离子,x代表A离子或B离子的掺杂量,x=0.5~1,复相...
  • 本发明涉及电容及制备系统技术领域,提出了无铅正向介电可调性反铁电陶瓷电容及制备系统,其陶瓷机体采用无铅的原材料,降低了危害,在铁酸铋中掺入离子半径更小的元素,降低容忍因子,进而稳定了铁酸铋的反铁电性,提升了铁酸铋的反铁电稳定性,减小滞回...
  • 本发明公开了一种基于应变效应的多层薄膜电容器,涉及多层薄膜电容器技术领域,由包括如下步骤的制备方法制成:步骤S1、制备SrCa2Al2O6牺牲层;步骤S2、沉积SrRuO3电极;步骤S3、MLFC前驱体溶液的制备;步骤S4、MLFC制备...
  • 本发明提供一种高压低损耗介质材料及其制备方法,涉及高压陶瓷电容器技术领域,其原料按质量份计包括钛酸钡35‑38份、钛酸锶20‑29.5份、二氧化钛15‑17.5份、氧化铋9‑12份、氧化锆3‑4份、X 0.8‑1.0份、氧化锑1.2‑1...
  • 本发明涉及电子元器件制造领域,公开了一种以磁控溅射法制作多层介电陶瓷电容器的方法,包括以下步骤:对基板进行清洁和预处理;采用磁控溅射法沉积界面过渡层;通过梯度设计依次沉积底层、中间层和顶层的介电陶瓷层,并结合激光辅助溅镀技术沉积石墨烯‑...
  • 一种高储能密度电介质材料、电容器及其制备方法,属于电介质电容器技术领域。该高储能密度电介质材料,其化学通式为Bi3(AnNp)Ti3O12,其中,A选自Nd、La、Sm、Eu、Er、Dy元素中的至少一种;N选自Ca、Sn、Sr、Cs、N...
  • 本发明涉及陶瓷材料技术领域,公开了一种高介电常数型陶瓷组合物,所述陶瓷组合物由基体相和掺杂相组成,其中基体相为钛酸钡系化合物,化学式为(Ba1‑x‑yAxBy)(Ti1‑z‑wMzNw)O3,其中A为La、Sr中的一种或两种,B为Y、C...
  • 一种高压多层薄膜电容器及其制备方法,属于多层薄膜电容器技术领域。该高压多层薄膜电容器包括:导电基板、中间体和外电极层;中间体设置在导电基板上,包括L层薄膜介电层和L‑1层内电极层,L层薄膜介电层与L‑1层内电极层交替叠加设置;中间体的顶...
  • 本发明公开了一种弛豫铁电体介电特性的相场模拟方法、装置及存储介质,方法包括步骤:S1、针对弛豫铁电体,引入成分的局部非均匀性,生成浓度分布;S2、根据成分非均匀性设置朗道能;S3、采用随机电场描述来源于成分的非均匀和起伏的其他结构非均匀...
  • 本发明公开了一种用于卷绕式电容器的卷芯的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:S1、提供柔性金属基底,所述柔性金属基底作为底部电极;S21、制备靶材,将靶材原料混合搅拌后研磨成粉,通过三段高温烧结后,将烧结产物研磨成粉,获得喷涂用靶材...
  • 本发明提供了一种介电电容及其制备工艺与电力电子设备,所述介电电容包括依次层叠设置的基体、Aurivillius化合物薄膜及插齿电极;所述插齿电极包括两个相互交叉的齿电极,所述齿电极包括插齿部分与引脚;所述插齿部分包括插齿连接侧边,及与所...