本发明涉及包含MgAl2O4的多孔烧结体且1000℃以上的高温下的绝热性优异的绝热材料。本发明提供即使为1500℃以上的高温热传导率的增加也得到抑制、并保持优异的绝热性、且1700℃以上的耐热性也优异的绝热材料，即使为1000℃以上的高...

提供轻量而热导率增加得以抑制的包括多孔烧结体的绝热材料，即，维持在高温下的绝热特性，同时轻量、可提高施工时的操作性的绝热材料。本发明的绝热材料的一个方案中，包括气孔率70vol%以上且低于91vol%的多孔烧结体，孔径0.8μm以上且低...

本发明提供一种可抑制经波长转换的出射光的颜色不均匀，并且具有优异的发光效率，可抑制机械强度的降低的波长转换煅烧体。波长转换煅烧体1是一个主面为光的入射面2且与所述入射面2相反侧的主面为光的出射面3的板状体，所述板状体由以下煅烧体构成，所...

本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1...

本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1...

提供一种能够抑制冷却时的石英玻璃坩埚的咬入、能够不将石英玻璃坩埚破坏而将石英玻璃坩埚容易地拆下、还能够抑制硅化的碳纤维强化碳复合圆筒部件及碳纤维强化碳复合材坩埚。一种为了将收容熔融材料的石英玻璃坩埚支承、保持而使用的、具有底部和设在上述...

本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiOxNy的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本...

本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的...

本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间...

本实用新型提供一种惰性气体回收装置，其可以在降低氩气净化时成本的同时，提高所回收的氩气中一氧化碳去除率。本实用新型的惰性气体回收装置具有：第一去除单元(10)，其对从拉晶装置回收的惰性气体中的固相成分去除；空气导入单元(20)，其向通过...

本发明提供碳纤维补强碳复合材料坩埚，其是在制造半导体材料或太阳电池材料等的单晶或多晶的装置中用于支撑、保持收纳溶融材料的坩埚而使用的碳纤维补强碳复合材料坩埚，在其底部弯曲部去除了褶皱或搭接的段差部分，耐久性提高。碳纤维补强碳复合材料坩埚...

本发明提供了面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理 装置，其中，此面状加热器通过包括抑制高频感应的接地电极来抑制 高频感应发热，并且此面状加热器不受被激励的反应气体的侵蚀。面 状加热器1的特征为，其具有在二氧化硅玻璃板状体2内部配置...

本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷。本发明提供对于卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工序中也可以抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用于半导体、液晶制造用的等离子体处理装置的构成部件中的...

本发明提供一种制造用于外延衬底的硅晶片的方法，包括第一步骤，在包含不少于１Ｅ１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３的硼原子的硅晶片上进行热氧化，由此在硅晶片的表面上形成氧化硅膜；第二步骤，剥离氧化硅膜；和第三步骤，在氢气氛中，在硅晶片上进行热处理。

本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为２０％以上且１００％以下的氧化性气体气氛中，以１３００℃以上且１３８０℃以下的最高到达温度（Ｔ↓［１］），进行...

在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有０．０１ｖｏｌ．％或以上且１．００ｖｏｌ．％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有２０ｖｏｌ．％或以上且１００...

在热处理通过分割由直拉生长法制造的硅单晶锭而获得的晶片的方法中，在具有１．０％或以上且２０％或以下的氧分压和氩气的含氧混合气体气氛中，通过在１２００℃或以上且硅熔点或以下的极限温度下，设置保持时间为等于或长于一秒且等于或短于６０秒，来进...

本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有ＳｉＯ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］的组分，其中Ｘ＞０且Ｙ...

本发明提供等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件。所述等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件以氧化铈为主成分，对于卤素系气体或其等离子体等的耐腐蚀性优异，可实现低电阻化，并且在卤素等离子体工艺中，也可抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污...

本发明提供一种具备能够形成大致均匀的加热温度的碳线发热体的面状加热器。该碳线发热体（ＣＷ）的面内配置密度在内侧区域与外侧区域相异。具有向发热体（ＣＷ）通电的连接线的电源端子部配置在石英玻璃板状体的背面侧的中央部。内侧的碳线发热体的连接线...