本发明涉及一种面状加热器（１），其中供给电力的电源端子部（１０８）设置在石英玻璃板状体（１０２）的下表面中央部，上述电源端子部具备：收容对碳丝发热体供给电力的连接线的小直径的石英玻璃管（１０５ａ、１０６ａ）以及收容小直径的石英玻璃管（１...

一种耐等离子体构件，它具有一种基底材料和一层Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］制成的涂层，所述涂层在上述基底材料的一个表面上形成。该涂层具有一厚度为１０μｍ或大于１０μｍ，并且涂层的Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］含有在１００ｐｐｍ－１０００ｐｐｍ范围内的固溶体...

本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于０．１Ω.ｃｍ、小于等...

本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在ＳｉＣ粉末原料中添加烧结后残碳率小于５．０重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在１５００℃～２４００℃烧结；在氧浓度为２％以上的氧...

使用由砷与硅的混合烧结体构成的、硅对砷的摩尔比为３５％～５５％的砷掺杂剂，用直拉法直拉单晶硅。

本发明提供一种单晶硅的提拉方法，该方法在使用切克劳斯基法的单晶硅的生长中，可以将颈径的变化率抑制在规定的范围内，且在早期排除颈中的位错。将晶种与原料硅熔液接触并提拉，生长成颈后，进行增径以生长成规定晶体径的单晶体，在这种单晶硅提拉中，使...

本发明提供了一种氧化钇烧结体及其制造方法，该氧化钇烧结体对于卤素类腐蚀性气体和等离子体具有优异的耐腐蚀性并具有优异的耐热冲击性，并且适合于用作半导体和液晶器件的制造设备中、特别是等离子体处理设备中的构成部件。该氧化钇烧结体包含分散在氧化...

本发明涉及透光性稀土氧化物烧结体及其制造方法，其目的在于得到透光性氧化钇烧结体，该烧结体在厚度为１ｍｍ时在４００ｎｍ～８００ｎｍ的可见光波长区域内的直线透过率为６０％以上，其不使用容易在氧化钇的晶界上析出的铝，不使用其中将硅含量特别降低...