本实用新型公开了一种用于在线式真空固晶炉的甲酸供给装置，包括：甲酸压力桶、真空炉和惰性气体源，甲酸压力桶与惰性气体源通过第一通气管道相连接，第一通气管道一端位于甲酸压力桶内，并且与鼓泡器相连接；真空炉与甲酸压力桶通过第二通气管道相连接，...

本实用新型公开了一种真空炉在线实时测温装置，包括安装底座、升降杆和升降弹簧，所述升降杆顶部设置有测温探头，所述升降弹簧套设在升降杆上，所述升降杆活动设置在安装底座上，当所述升降杆顶部受力向下移动时，所述升降弹簧被压缩，当所述升降杆顶部的...

本实用新型公开了一种用于在线式甲酸炉的氛围气体浓度调节机构，包括机架，还包括方向调节组件和喷气组件，所述方向调节组件和所述机架连接，所述机架能对所述方向调节组件进行支撑；所述喷气组件和所述方向调节组件连接，所述方向调节组件能调节喷气组件...

本实用新型公开了一种在线式甲酸真空炉的输送机构，包括机架、设置在机架上的上料机构、下料机构，以及能在上料机构和下料机构之间往返移动的推料机构，本实用新型的一种在线式甲酸真空炉的输送机构，上料机构、下料机构和推料机构三者组合，可以平稳快速...

本发明公开了一种在线式甲酸炉的升降式温度控制机构，包括机台、位于所述机台上的加热板以及升降驱动组件；所述机台上沿产品治具的移动方向设置有若干与所述加热板位置相对应的轮内轨道，所述轮内轨道通过若干导向杆与升降板相连接，所述升降驱动组件驱动...

本实用新型公开了用于回流焊机的冷水板排水装置，包括通过水管依次连接并形成循环回路的水冷机、分流块、汇流块和冷水板，水冷机的冷水出口通过水管与分流块的腔体连通，分流块上设置有控制水冷机与分流块间通断的常开电磁阀，分流块还通过水管连接有位于...

本实用新型公开了一种用于回流焊炉内气流平衡的调节机构，包括机架，所述机架上沿其长度方向上依次排列有加热区、冷却区。所述冷却区远离所述加热区的一侧设有用于平衡气流的调节组件，所述调节组件包括安装在冷却区出口处的吹气铜管，所述吹气铜管沿机架...

本实用新型公开了一种用于回流焊炉的迷宫式气体平衡槽，包括槽体，所述槽体的上端开口，且所述槽体的左右两侧也分别设置开口，在上端开口处设置挡板，且在所述槽体内还设置挡帘组件，且所述挡帘组件沿前后方向设置，所述挡帘组件包括上挡帘和下挡帘，所述...

本实用新型公开了一种用于半导体焊接炉的助焊剂的回收装置，包括冷却室和冷却水管，所述冷却室上部设置有进气口，所述进气口和焊接装置连接，所述冷却室下部设置有出气口，所述冷却室内部设置有导风板，所述导风板交替设置在所述冷却室相对的两个侧壁上，...

本实用新型公开了用于回流焊机的宽度可调的输送装置，包括支撑架、右传动组件、左传动组件和同步组件，左传动组件上的左输送链条和右传动组件上的右输送链条之间形成用于放置PCB板的空间，同步组件包括旋转把手、联轴器、反牙滚珠丝杆、正牙滚珠丝杆、...

本实用新型公开了一种高效真空焊接装置，其包括依次设置的上料机构，焊接机构和冷却机构，上料机构包括用于将物料向靠近焊接机构移动的输送部，输送部包括至少一根用于支撑待输送的物料的支撑杆，支撑杆朝向焊接机构的方向延伸，支撑杆可升降，输送部还包...

本实用新型公开了用于回流焊炉的高耐候性真空机构，包括设置在回流焊炉内的真空机构本体，真空机构本体包括底座、升降座和升降驱动组件，底座固定在回流焊炉内，升降座位于底座上方且能在升降驱动组件作用下靠近/远离底座，升降座盖合在底座上时，形成密...

本实用新型公开了一种能源损耗低的真空焊接炉，包括腔室，所述腔室两端均设置有开口，所述开口两侧分别设置有左滑动板和右滑动板，所述左滑动板和右滑动板分别与开合门两端滑动连接，所述开合门上设置有连接杆且连接杆的自由端与气缸连接，所述开合门能通...

本实用新型公开了用于真空回流焊的冷却机构，包括底座和与底座铰接的上盖，上盖盖合在底座上时，形成焊接腔。底座上设置有水冷装置，上盖上设置有风冷装置，水冷装置包括固定在底座上的水冷壳体，水冷壳体上端面用于放置待加工工件，水冷壳体内形成水冷腔...

本实用新型公开了一种真空炉输送机构，包括升降板、两个工作架以及固定于两个工作架间的固定底板；所述固定底板上设置有带动升降板上下移动的升降机构，所述升降板上设置有送料机构，所述送料机构包括丝杆、支撑杆以及驱动丝杆转动的带轮传动机构，所述支...

本实用新型公开了一种适用于芯片测试的微型回流焊炉，包括工作台，所述工作台上设置有芯片放置区，且所述芯片放置区供IC芯片放置并进行适用于回流焊接温度曲线的加热和冷却，所述工作台上还设置有加热组件和冷却组件，所述加热组件位于所述冷却组件上方...

本实用新型公开了一种用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置，其包括分别位于基板两侧的第一加热部和第二加热部，其在进行锡膏融化时能实现分阶段加热，在第一加热阶段，第二加热部的加热温度小于锡膏的融化温度，第一加热部的加热温度不小于锡膏的融化...

本实用新型公开了一种晶圆与蓝宝石的快速分离装置，包括工作台，工作台上通过水平移动模组设置下吸盘组件，下吸盘组件在水平移动模组的驱动下能进行水平方向的移动及精准定位，下吸盘组件包括下吸盘，下吸盘的表面设置有真空吸附槽及晶圆精确定位机构，通...

本发明公开了一种用于半导体封装的低气泡产生率的焊锡装置及方法，本发明的焊锡装置包括分别位于基板两侧的第一加热部和第二加热部，其在进行锡膏融化时能实现分阶段加热，在第一加热阶段，第二加热部的加热温度小于锡膏的融化温度，第一加热部的加热温度...