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JX日矿日石金属株式会社专利技术
JX日矿日石金属株式会社共有318项专利
科森合金及其制备方法技术
提供一种兼具优异的弯曲加工性和轧制垂直方向的高杨氏模量的科森合金及及其制备方法。一种科森合金,所述科森合金为含有0.8~5.0质量%的Ni和Co中的一种以上、0.2~1.5质量%的Si,余量由铜和不可避免的杂质构成的轧制材料,其中,在该...
高频电路用铜箔、覆铜板、印刷布线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷布线板的制造方法技术
本发明提供即使用于高频电路基板也能良好地抑制传输损耗、且能够良好地抑制铜箔表面发生落粉的高频电路用铜箔。本发明的高频电路用铜箔,其是在铜箔的表面形成铜的一次粒子层后在该一次粒子层上形成了包含铜、钴及镍的3元系合金的二次粒子层的铜箔,其粗...
高频电路用铜箔、覆铜板、印刷配线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷配线板的制造方法技术
本发明提供即便用于高频电路基板也会良好抑制传输损耗且会良好抑制铜箔表面的落粉的发生的高频电路用铜箔。该高频电路用铜箔是在铜箔的表面形成了铜的一次粒子层之后、在该一次粒子层上形成了含有铜、钴及镍的3元系合金的二次粒子层的铜箔,利用激光显微...
极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层技术
本发明提供提高了支持铜箔上的极薄铜层的厚度精度的极薄铜箔。本发明提供极薄铜箔,其为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔,其中,采用重量厚度法测定的上述极薄铜层的厚度精度为3.0%以下。
金属粉糊及其制造方法技术
本发明提供可合适地用于贴片叠层陶瓷电容器用电极的制造、且烧结延迟性优异的经表面处理的金属粉糊及其制造方法,所述金属粉糊在溶剂中分散而含有:经表面处理的金属粉,其中Si、Ti、Al、Zr、Ce、Sn中的任意一种以上的附着量是相对于金属粉1...
印刷电路板用铜箔和使用其的层叠体、印刷电路板以及电子部件制造技术
提供印刷电路板用铜箔,其能以良好的制造成本制造适于微细间距化的上下底差小的截面形状的线路。印刷电路板用铜箔,其具备铜箔基材与形成于该铜箔基材表面的至少一部分的表面处理层,Mo以2000μg/dm2以下的附着量存在于前述表面处理层。
铜箔复合体、以及成形体及其制造方法技术
本发明的目的在于提供一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的苛刻(复杂)的变形也可防止铜箔破裂、加工性优异、进而长期稳定地发挥耐蚀性和电接点性能的铜箔复合体、以及其成形体及其制造方法。本发明涉及铜箔复合体以及其成形体及其制造方法,所述...
铜箔复合体、以及成形体及其制造方法技术
本发明的目的在于提供一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的苛刻(复杂)的变形也可防止铜箔破裂、加工性优异、进而长期稳定地发挥耐蚀性和电接点性能的铜箔复合体、以及其成形体及其制造方法。本发明涉及铜箔复合体以及其成形体及其制造方法,所述...
压入型端子以及使用该压入型端子的电子部件制造技术
本发明提供一种耐晶须性优秀、插入力低、将压入型端子压入到基板时镀层不易被削去、具有高耐热性的压入型端子以及使用该压入型端子的电子部件。在压入型端子中,在装配于外壳的安装部的一侧设置有阴性端子连接部,在另一侧设置有基板连接部,通过将该基板...
锂离子电池用正极活性物质、锂离子电池用正极以及锂离子电池制造技术
本发明提供具有良好的电池特性的锂离子电池用正极活性物质。锂离子电池用正极活性物质由组成式:Li(LixNi1-x-yMy)O2+α表示(在前述组成式中,M是从Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Al、Bi、S...
覆铜板用表面处理铜箔及使用了它的覆铜板制造技术
本发明提供能与树脂良好地粘接、且用蚀刻去除了铜箔后的树脂的透明性优异的覆铜板用表面处理铜箔。覆铜板用表面处理铜箔是通过粗化处理在铜箔表面形成有粗化颗粒的表面处理铜箔,以粒径小于0.10μm的粗化颗粒为0~42个/μm2、粒径0.10μm...
金属箔复合体、铜箔、以及成形体及其制造方法技术
提供即使进行加压加工等那样的与单轴弯曲不同的严格(复杂)的变形,也防止金属箔破裂、并且加工性优异的金属箔复合体、铜箔、以及成形体及其制造方法。层叠有金属箔和树脂层的金属箔复合体,所述金属箔包含:含有以质量比率计合计为30ppm~500p...
覆铜板用表面处理铜箔及使用了该铜箔的覆铜板制造技术
本发明提供与树脂良好粘接且通过蚀刻将铜箔除去后的树脂的透明性优异的覆铜板用表面处理铜箔。覆铜板用表面处理铜箔通过粗化处理在铜箔表面形成粗化粒子,粗化处理表面的平均粗糙度Rz为0.5~1.3μm,粗化处理表面的光泽度为0.5~68,上述粗...
轧制铜箔制造技术
为了提供再结晶前后的尺寸变化较小、并且尺寸变化的各向异性较小的轧制铜箔,提供一种以350℃退火30分钟前后的尺寸变化率在轧制平行方向和轧制直角方向上都为0~0.01%的轧制铜箔。
石墨烯制造用铜箔及其制造方法、以及石墨烯的制造方法技术
提供能够以低成本生产大面积的石墨烯的石墨烯制造用铜箔及其制造方法、以及石墨烯的制造方法。石墨烯制造用铜箔,其中,轧制平行方向的算术平均粗糙度Ra1与轧制直角方向的算术平均粗糙度Ra2之比(Ra1/Ra2)为0.7≤(Ra1/Ra2)≤1...
高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶以及以高纯度镧为主成分的金属栅膜制造技术
本发明涉及一种高纯度镧,其特征在于,除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上,镧中的铝、铁和铜各自为100重量ppm以下;以及一种高纯度镧,其特征在于,除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上,镧中的铝、铁和铜各自为100重量ppm以下...
电解铜箔及二次电池用负极集电体制造技术
本发明提供一种常态抗拉强度高、热历程后的抗拉强度降低小的电解铜箔。本发明是常态抗拉强度为500~750MPa、在400℃下加热1小时后的抗拉强度为350MPa以上的电解铜箔。
铜箔复合体、以及成形体及其制造方法技术
本发明提供一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的严苛(复杂)的变形也可防止铜箔破裂而加工性优异的铜箔复合体、以及成形体及其制造方法。本发明是层叠有铜箔与树脂层的铜箔复合体,在将铜箔的厚度设为t2(mm),将拉伸应变4%时的铜箔的应力...
铜-聚酰亚胺层叠体、立体成型体、及立体成型体的制造方法技术
本发明的课题在于提供一种可使热塑性聚酰亚胺膜与铜箔均不断裂而进行立体成型的铜-聚酰亚胺层叠体、立体成型体、及立体成型体的制造方法。本发明的铜-聚酰亚胺层叠体,其是利用由玻璃化转变温度为200℃以上且低于260℃、25℃~200℃的存储弹...
锂离子电池用正极活性物质、锂离子电池用正极及锂离子电池制造技术
本发明提供一种具有良好电池特性的锂离子电池用正极活性物质。锂离子电池用正极活性物质以组成式LixNi1-yMyO2+α表示(前式中,M为从Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Al、Bi、Sn、Mg、Ca、B及...
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