本发明的目的在于提供一种化学品自动供给装置以及化学品自动供给装置的控制方法，当公接头与母接头结合时即使产生偏心也使接头能够自由移动，防止公接头与母接头的密封部受力过多。为体现此目的的本发明化学品自动供给装置，包括：搁置部，搁置软管，软管...

本发明的目的在于提供一种化学品自动供给装置，其公接头及母联接器完全结合。本发明化学品自动供给装置包括：搁置部，搁置化学品软管，此化学品软管连接到化学品罐上，连接化学品罐与化学品储罐，从一侧向另一侧供给化学品；传送单元，传送单元由第一台架...

本发明的目的在于提供一种化学品自动供给装置，其上设置屏蔽门，防止异物流入到装置内部，隔断化学品或有害气体(Fume)外泄，并且另设导入化学品软管和氮气软管的导入部，预防软管磨损或划破。为达到此目的的本发明化学品自动供给装置，包括：搁置部...

本发明的目的在于提供一种化学品供给装置软管与接头组装装置，使公接头与软管之间结合的配件不发生扭曲正确结合，且令公接头和母接头正确结合。为体现此目的的本发明化学品自动供给装置软管与接头组装装置是，结合连接于化学品罐的软管、结合于上述软管的...

本发明的目的在于提供一种如下的基板的连续处理装置以及方法，其利用等离子去除存在于基板的氧化膜，因此无需使用甲酸。为了实现上述目的，本发明的基板的连续处理装置包括：等离子腔室(200)，用于利用等离子去除存在于基板的氧化膜；加热腔室(40...

本发明公开一种基板支撑装置，其目的在于，在执行用于利用环氧树脂模塑料(EMC)材质的基板而制作单芯片系统(SoC)的回流焊工序时，最小化基板和支撑基板的支撑板之间的热传递引起的热损失，从而防止由基板的翘曲现象引起的工艺不良。为了实现上述...

本发明公开一种基板处理装置及基板处理方法，其通过在工艺腔室中一体地构成装载锁部而简化装置的构造并减少设置空间，并且可以通过减少基板的移送步骤而提高基板处理速度。为此，对于本发明的基板处理装置(1)而言，用于在真空状态下处理所述基板的多个...

本发明公开一种基板处理装置及基板处理方法，其可以通过相同工序对2个基板同时进行处理，从而最简化热处理步骤并提高生产性。为此，本发明的基板处理装置包括：多个腔室(100、200、300、400、500、600)，在内部分别隔离基板而进行工...

本发明的目的在于提供一种处理腔室和包含此的基板制造装置及基板制造方法，能够防止内部空间的气体流出到外部。为了实现所述目的，本发明的处理腔室包括：内部腔室(100)，投入到内部的基板借助于工艺气体而得到处理；内部排气口(131)，用于向外...

本发明提供一种具有防涡流门扇的基板处理装置及其制造方法，其可以防止用于开闭腔室主体的开口部的门扇中产生涡流。为此，本发明的基板处理装置包括：腔室主体(100)，以圆筒形状构成；门扇(200)，以曲面形状构成，以用于开闭所述腔室主体(10...

本发明提供一种具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法，其中使覆盖腔室主体的上部的盖体升降，从而通过腔室主体的上部而实现基板的投入和搬出，据此可以防止腔室主体的内侧产生工艺气体的涡流。为此，本发明的基板处理装置包括：腔室主体(100)...

本发明涉及一种热处理装置及热处理方法，尤其涉及一种旨在实现热处理对象基板的热变形最小化、与此同时可在同一腔室内迅速执行基板的加热处理和冷却处理的热处理装置及热处理方法。为此，本发明的热处理装置包括：腔室，内部形成有基板的热处理空间；加热...

本发明涉及半导体晶圆的连续处理装置及方法，本发明的半导体晶圆的连续处理装置包括通过多个工序处理晶圆的多个腔室，所述多个腔室中一个以上的腔室包括：基座，为工序过程中支撑晶圆而固定设置；下部机壳，固定设置在所述基座的外侧，在所述晶圆的下部形...

本发明涉及半导体晶圆的连续处理方法，根据具备多个腔室，并具备围绕所述腔室外部的外部机体的装置，处理晶圆的半导体晶圆连续处理方法，包括：第1阶段，所述多个腔室由第1至第5腔室构成，在所述第1腔室装载晶圆后，注入惰性气体进行净化；第2阶段，...