本发明提供了一种多层外延肖特基器件的

本发明提供了一种3D增材制造电子与光电器件的方法，搭建3D增材制造智能一体化平台；通过集成设计组、3D增材智能制造组、3D增材制造多功能检测组、多型一体封装组及本地云端数据共享组；通过集成设计组，进行半导体电子与光电器件的3D增材制造总...

本发明公开了一种提高UIS性能的SGT

本发明的一种散热性能良好的芯片封装结构，包括：封装上板、芯片卡槽、封装下板、导热层，封装上板上设置有芯片卡槽，封装上板远离芯片卡槽一端与封装下板连接，封装下板上贯穿设置有导热层。封装下板靠近芯片卡槽的一侧设置有基板。封装上板上设置有凹槽...

本发明公开了一种用吸气剂制造半导体结构的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S01，在氧化气氛中进行退火；S02，在惰性气氛中进行两阶段退火。本发明的主要优点在于，氧缺陷吸附效率高，工艺过程简单，成本低。本发明所采用的方法不仅...

本发明提出了一种用于制造功率集成电路的方法，包括：在第一类掺杂半导体的硅衬底上生长浓度不同的第二类掺杂半导体的外延层，并在外延层上生产栅极氧化层；根据元器件与集成电路的设计，针对外延层确定不同功能区的第一类掺杂半导体掺杂浓度，根据掺杂浓...

本发明公开了一种微波集成电路导电互联的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括形成以铜为主金属层的步骤。通过本发明的方法获得的互金属联具有低电阻，高耐化学(腐蚀)性，易于焊接，并且成本比原型显著降低。本发明中，通过用镍