本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括基板和多个像素单元，像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极，源电极和漏电极在基板上相对设置并形成薄膜晶...

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及液晶显示技术领域，用以有效防止TFT结构中金属电极层的金属离子扩散至硅系列薄膜层以及增加金属电极层与基板之间的附着力。本发明实施例中提供的阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的...

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，所示阵列基板包括基板，以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管中的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，其...

本发明实施例提供一种阵列基板和双视场显示装置及其制造方法，涉及显示技术领域。该阵列基板，包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电...

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法，该阵列基板包括：第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，在栅层和/或源漏电极层上设置...

本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，包括以下步骤：S1：在基板上形成包括第一栅极的图形；S2：在步骤S1之后的基板上在所述第一栅极上方形成第二栅极，并对所述第二栅极的表面进行氧化处理形成栅绝缘层；其中，所述第一栅极和第二...

本发明公开了一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器，涉及显示领域，用以保护TFT的有源层。所述制造方法包括：在衬底基板上制作底层金属薄膜，并通过一次构图工艺至少形成薄膜晶体管的栅极；制作覆盖所述栅极的栅绝缘层；制作金属氧化物半导体薄膜...

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，其制作方法包括：在基板上制备有源层薄膜和导电层薄膜；在导电层薄膜上沉积源漏极层薄膜，对导电层薄膜和源漏极层薄膜采用灰色调或半色调掩膜工艺进行处理，得到至少两条数据线、像素电极、TFT的源漏...

本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置，包括：在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上，依次制作有源层、源/漏电极层...

本发明公开了一种阵列基板的制造方法，涉及液晶显示技术领域。解决了现有的阵列基板的制造方法仍存在较大的降低成本空间的问题。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，包括：形成包括栅极和栅线的图形；通过一次构图工艺形成包括栅绝缘层、有源层、源电...

本发明涉及液晶显示器技术领域，具体公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板的制作方法包括：步骤S1、在基板上形成栅电极、栅线和公共电极；步骤S2、在完成步骤S1的基板上依次形成栅绝缘层和有源层；步骤S3、在完成步骤S2的基板...

本发明提供一种显示装置、薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法。所述制造方法包括：步骤A、形成源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤B、形成有源层和栅绝缘层，以及用于数据线与外部电路连接的过孔；步骤C、形成栅电极、栅线和公共电极线的图形...

本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示器件，涉及显示技术领域。该阵列基板制造方法为：通过第一次构图工艺在基板上形成包括栅电极和栅线的图形；通过第二次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、像素电极和沟道区域的图形；通过第三次构图...

本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法、TFT阵列基板及显示器件，该制造方法包括：步骤1、在基板上沉积栅金属层，在栅金属层上通过光刻工艺形成栅电极和栅极扫描线；步骤2、在经过步骤1处理的基板上，依次沉积栅极绝缘层和半导体层；步骤3、在经...

本发明提供一种柔性TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及面板制造领域，能够降低柔性TFT基板发生龟裂的可能。该TFT阵列基板制造方法包括：在柔性基板上形成金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在栅线和栅极上形成栅绝缘层；在栅...

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及面板制造领域，改进了TFT阵列基板结构，使基板厚度变薄，并简化了工艺流程。TFT阵列基板制造方法包括：在基板上形成金属层，得到栅线和栅极；在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝...

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及显示技术领域，改进了ADS模式的TFT阵列基板结构，使基板厚度变薄，并简化了工艺流程。TFT阵列基板制造方法包括：在玻璃基板上通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在栅线和栅极上形...

本发明涉及液晶显示器技术领域，具体公开了一种阵列基板及其制作方法，其中阵列基板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在基板上连续沉积栅电极，绝缘层和有源层，并通过第一次掩模工艺形成栅电极、栅线和有源层图形；步骤S2、在完成步骤S1的所述基...

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，该方法包括：在栅绝缘层上制作出图形化的有源层，所述有源层覆盖部分栅绝缘层；利用S/D层上的绝缘层作为S/D层刻蚀的掩膜，在有源层和栅绝缘层上，制作出图形化的S/D层和S/D层上带有过孔的绝缘层，所述...

本发明涉及TFT制造方法，特别涉及一种氧化物TFT阵列基板及其制造方法和电子器件。本发明在栅极绝缘层上先后连续形成有源层和阻挡层，通过同步连续刻蚀工艺对有源层和阻挡层进行图形化。本发明在没有增加曝光掩膜次数的情况下，减少了在氧化物半导体...