本技术提出一种反激变换器，包括：变压器，第一开关管和第二开关管，第一开关管和第二开关管串联后连接在输入端和参考地之间；第一电容，第一电容、变压器的漏感在第二开关管导通时形成谐振回路；调节模块，根据反激变换器的输出电压调节谐振回路的谐振周...

本技术提出一种驱动电路及功率级电路，驱动电路包括：半桥电路，包括串联的上拉管和下拉管，下拉管连接高边侧功率管/低边侧功率管的栅极和源极；检测电路，检测高边侧功率管和低边侧功率管连接处的电压变化率；钳位电路，在电压变化率大于预设阈值时控制...

本技术提供了一种反激变换器及其初级状态检测电路，在检测区间内，当同步整流器的漏端电压大于输出电压时，基于该漏端电压和输出电压之间的差值从零开始进行积分得到第一伏秒积分；伏秒积分判断模块将第一伏秒积分与预设积分阈值进行比较，并输出第一判断...

本公开提供了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：半导体层，包括沿垂直方向依次邻接的第一掺杂区、第二掺杂区、阱区和第三掺杂区；隔离部，自半导体层的第一表面伸至第二掺杂区中，并与阱区和第三掺杂区邻接；以及栅极导体，位于隔离部中，半导体...

本申请提供了一种碳化硅晶体管器件及电源电路，包括位于衬底的外延层内且相互隔离的屏蔽沟槽和阱区；位于阱区内的源极注入区和阱区引出区；第一部分位于外延层上方且第二部分位于屏蔽沟槽内部的栅极；位于栅极的第一部分与外延层之间的栅氧化层和覆盖于栅...

本申请公开了一种双向静电防护半导体器件及其制造方法，该双向静电防护半导体器件包括：外延层；依次分布在外延层上部的第一P型阱区、第一N型阱区、第二P型阱区、第二N型阱区和第三P型阱区；位于第一P型阱区和第一N型阱区之间的第一MOS结构，包...

本技术提出一种过压检测电路及反激变换器，过压检测电路包括：第一电容；设置单元，根据第一时间段和输入电压设置第一电容在第二时间段初始时刻的电压；放电单元，在第二时间段内以第二电流对第一电容放电；判断单元，根据第一电容在第二时间段结束时刻的...

本技术提出一种反激变换器的控制电路及该反激变换器，包括参考电压产生电路，根据调节时间产生参考电压，所述调节时间越大，所述参考电压越小，所述调节时间位于所述整流管续流结束时刻至所述主功率管关断时刻的时间段内；比较器，将表征主功率管电流的电...

本发明提供的抖频方法、电路及应用其的准谐振反激变换器，当其工作于断续导通模式时，通过以下方式进行抖频：在第M个开关周期组，当系统工作频率达到限频线后，在检测到第i个过零信号之后的谷底控制主开关管导通；在第N个开关周期组，当系统工作频率达...

本申请公开了一种开关电源及其过压保护方法，开关电源包括主功率管、续流管、中心抽头电感和过压保护电路，过压保护电路包括：输入采样单元，对开关电源的采样点上的电压进行采样，以获得表征输入电压的输入采样电压；过压控制单元，根据占空比、输入采样...

本发明公开一种导通时间产生电路、集成电路芯片及开关电路，导通时间产生电路应用于开关电路，输出用于控制所述开关电路中的第一功率管关断的关断控制信号，以控制所述第一功率管的导通时间，所述第一功率管的第一端接收输入电压，第二端连接开关节点，所...

本申请公开了一种多次可编程存储单元及存储装置，多次可编程存储单元包括：衬底，以及置于该衬底上的选择管、编程管、第一电容器，包以及第二电容器。本申请的多次可编程存储单元及存储装置，通过在编程管的控制端增加第二电容，使得编程管的源极区电位能...

本申请公开了一种开关电源的过压保护电路及开关电源，开关电源包括主功率管和续流管，主功率管通过周期性的导通和关断以使开关电源根据输入电压向负载提供输出电压。该过压保护电路包括：采样保持单元，在续流管的续流时间内对输入电压进行采样，再对采样...

本申请公开了一种开关电源的过压保护电路及开关电源，开关电源通过主功率管周期性的导通和关断而根据输入电压产生输出电压。过压保护电路包括：电压采样单元，对开关电源的采样节点上的节点电压进行采样得到节点采样电压，节点电压为输出电压和系数的乘积...

本公开提供了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：半导体层，包括沿第二表面朝向第一表面的方向依次邻接的第一掺杂区、第二掺杂区、阱区和第三掺杂区；隔离部，自半导体层的第一表面伸至第二掺杂区中，并与阱区和第三掺杂区邻接；以及栅极导体，位...

本申请提供了一种反激变换器及其控制电路、控制方法，该控制电路包括：原边控制电路，用于控制主功率管的导通与关断；副边控制电路，用于控制同步整流管的导通与关断，以控制同步整流管在反激变换器的激磁电流第一次达到过零点前导通第一时间，以及在激磁...

本公开提供了一种电隔离结构及其制造方法与多管芯封装结构，电隔离结构的制造方法包括：形成第一隔离结构与第二隔离结构以及粘接层：形成第一隔离结构包括：在第一玻璃基板的第一表面形成第一连接层；以及在第一连接层上形成第一导电层，形成第二隔离结构...

本文提供的反馈控制电路、控制方法及应用其的开关电源，将副边控制器作为主控制器，在其内部设置有电流产生及镜像模块及控制信号产生模块；电流产生及镜像模块基于输出电压或表征输出电压的信号和第一电压信号产生第一电流，并将第一电流镜像为第二电流；...

本公开提供了一种多管芯封装结构及其芯片，多管芯封装结构包括：第一管芯，至少包括第二导电层；第二管芯；以及隔离结构，位于第一管芯上且与第二管芯电连接，其中，隔离结构包括：绝缘介质层；位于绝缘介质层上方的第一导电层；以及位于绝缘介质层下方的...

本公开提供了一种电隔离结构及其制造方法与多管芯封装结构，隔离结构的制造方法包括：在玻璃基板相对的第一表面与第二表面形成连接层；在位于第一表面与第二表面上的连接层上分别形成图案化的导电层，包括第一导电层与第二导电层；切割玻璃基板以将多个电...