功率器件及其制造方法技术

本公开提供了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：半导体层，包括沿垂直方向依次邻接的第一掺杂区、第二掺杂区、阱区和第三掺杂区；隔离部，自半导体层的第一表面伸至第二掺杂区中，并与阱区和第三掺杂区邻接；以及栅极导体，位于隔离部中，半导体器件还包括：第一电阻结构、第二电阻结构和第一二极管结构，第一电阻结构用于构成第一电阻，第二电阻结构用于构成第二电阻，二极管结构用于构成第一二极管，第一电阻的第一端与第三掺杂区电连接，第一电阻的第二端分别与第一二极管的阴极和第二电阻的第一端电连接，第一二极管的阳极与第三掺杂区电连接，第二电阻的第二端与阱区电连接，其中，第一电阻的阻值小于第二电阻的阻值。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及一种功率器件及其制造方法。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是中高功率领域电力电子系统的核心器件。作为场效应晶体管与双极型晶体管的复合器件，igbt具有高输入阻抗、驱动简单、高电流能力、低导通压降等特点。

2、相比于普通的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxidesemiconductorfield effecttransistor,mosfet)，igbt具有更低的导通压降，这得益于在igbt导通时漂移区内的电导调制效应。目前，继续降低igbt的导通压降从而降低igbt的导通功耗依然是igbt领域的重要研究内容。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本公开的目的在于提供一种功率器件及其制造方法，通过在功率器件中设置额外的电阻与二极管，从而调节功率器件中不同区域的电势，进而降低功率器件的导通压降。

2、根据本公开实施例的一方面，提供了一种功率器件，包括：半导体层，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述阱区用于构成第一晶体管，

3.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述半导体器件还包括第四掺杂区，与所述阱区邻接，所述第二电阻的第二端与所述第四掺杂区电连接，

4.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述栅极导体、所述第一电阻结构、所述第二电阻结构、所述二极管结构位于相同的所述隔离部中；

5.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述二极管结构包括第一填充部，自所述隔离部的表面延伸至所述隔离部中。

6.根据权利要求5所述的功率器件...

【技术特征摘要】

1.一种功率器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述阱区用于构成第一晶体管，

3.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述半导体器件还包括第四掺杂区，与所述阱区邻接，所述第二电阻的第二端与所述第四掺杂区电连接，

4.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述栅极导体、所述第一电阻结构、所述第二电阻结构、所述二极管结构位于相同的所述隔离部中；

5.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述二极管结构包括第一填充部，自所述隔离部的表面延伸至所述隔离部中。

6.根据权利要求5所述的功率器件，其中，所述二极管结构还包括第五掺杂区，自所述第一填充部的表面延伸至所述第一填充部中，

7.根据权利要求5所述的功率器件，其中，所述二极管结构还包括金属层，位于所述第一填充部...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：