本申请提供了一种半导体器件，在该半导体器件中，体区和漂移区位于衬底表面；源极注入区和体注入区位于体区内；跨设在体区和漂移区表面的栅氧化层包括具有不同厚度的第一部分和第二部分；第一多晶硅栅和第二多晶硅栅分别形成在栅氧化层的第一部分和第二部...

本公开描述了一种隔离通信装置及其多电平编码方法。该隔离通信装置包括收发器(10)和隔离电路(20)。隔离电路(20)包括具有驱动侧绕组和线路侧绕组的隔离变压器(T1)、与所述驱动侧绕组的第一端耦合的第一串联电阻(R11)、以及与所述驱动...

本申请提供了一种用于功率变换器的斜坡信号产生电路和斜坡信号产生方法。该斜坡信号产生电路根据斜率补偿曲线对斜坡信号的斜率进行补偿，在功率变换器的电流纹波抵消点的预定占空比区间非线性调节斜坡信号的斜率。本申请公开的斜坡信号产生电路特别适用于...

本公开描述了一种用于对温度传感器组(120)执行故障检测的系统和方法。温度传感器组(120)包括多个温度传感器(NTC1、NTC2、NTC3)，其在转换电路(130)的多个引脚(P1、P2、P3)处提供多通道感测电压。偏置电路(211)...

本申请公开了一种开关变换器的控制电路及开关变换器，将输出反馈信号和参考信号进行误差放大得到补偿信号，根据斜坡信号的峰值对所述补偿信号进行钳位，以在所述补偿信号大于等于钳位电压时，将所述补偿信号钳位在上限电压；根据所述补偿信号、所述斜坡信...

本技术提出一种LED驱动电路及照明电路，包括第一电容与第一开关管，所述第一电容的第一端接收所述母线电压，所述第一电容的通过所述第一开关管与接地；第二电容与第二开关管，所述第二电容的第一端接收所述母线电压以及连接LED负载的阳极，所述第二...

本申请公开了一种多基岛引线框架的封装结构，该封装结构包括：框架、多个基岛、多个引脚、芯片和塑封体；多个基岛位于框架内部区域，且多个基岛之间电气隔离；多个引脚围绕框架布置，且多个引脚之间间隔设置；芯片设置于基岛上，芯片与多个引脚通过若干键...

本申请提出一种兼容电子镇流器的照明电路，包括开关功率电路、驱动装置和钳位电路，开关功率电路包括相连接的主功率管和电感，用于驱动负载；驱动装置用于检测输入信号，判别所述整流电路的输入端接入市电还是电子镇流器，以控制所述主功率管的开关模式；...

本申请提供了一种反激变换器及其待机控制方法，该反激变换器中设置有原边控制器和负载检测模块，负载检测模块在检测到反激变换器的负载状态存在空载与非空载之间的状态切换时，传递相应的指令至原边控制器，从而控制反激变换器在待机模式与非待机模式之间...

本申请提供了一种反激变换器及其待机控制方法，该反激变换器中设置有原边控制器和负载检测模块，负载检测模块在检测到反激变换器的负载状态存在空载与非空载之间的状态切换时，传递相应的指令至原边控制器，从而控制反激变换器在待机模式与非待机模式之间...

本技术公开一种反激变换器的控制电路及反激变换器，反激变换器包括变压器和第一功率管，第一功率管与变压器的原边绕组连接，控制电路用于控制所述第一功率管的开通与关断，包括电压分区模块和多模式控制模块，电压分区模块根据表征所述反激变换器的输入电...

本文提供的软驱动方法、电路及应用其的开关电源，当开关模块中第一开关管的驱动电压从第二电压阈值变化到第一电压阈值时，基于开关模块第一端电压的变化生成第一电流，并将第一基准电流与第一电流之间的差值作为电流输入运算放大器的输入，将电流输入运算...

本文提供了一种打线封装结构，包括框架和芯片，将芯片设置在框架上，在芯片上设置有钝化层，在钝化层上设置有第一开口区域，通过第一开口区域以将芯片上的焊盘引出；并在钝化层上设置有聚酰亚胺层，对应于第一开口区域的位置，在聚酰亚胺层上设置有第二开...

本技术提出一种照明电路，包括：整流电路，对交流输入进行整流得到输入电压；LED负载，连接整流电路的输出端；第一电容，与LED负载串联连接；第一开关管，第一端连接LED负载，第二端连接低电位；第二开关管，第一端连接第一电容，第二端连接低电...

本发明提出一种开关变换器及其故障识别方法，还包括用于识别所述功率转换电路是否故障的故障识别电路，所述故障识别电路包括，信号获取模块，获取表征电感电流的电流采样信号，根据所述电流采样信号得到表征电感电流平均值的均值信号；比较器，用于将所述...

本发明提出一种功率管的栅极驱动电路及开关电源，包括：第一上拉开关管，其第一端接收供电电压，其第二端连接所述功率管的栅极；反馈单元，用于获取包含有所述第一上拉开关管的电流信息和所述功率管的电压信息的反馈信号；误差放大器，将参考信号和所述反...

本发明提出一种预充电电路及串联电容降压变换器，预充电电路提供第一电流路径和第二电流路径，第一电流通过第一电流路径流入飞跨电容的正极，第二电流通过第二电流路径从飞跨电容的负极流向接地端。其中，第一电流路径包括第一高侧功率管。本发明提出的预...

本技术公开的前沿消隐时间控制电路及应用其的开关电源，对开关电源进行采样以得到第一预设参数，或第一预设参数和第二预设参数；从检测到第一预设参数达到第一参数阈值时开始计时，或者在检测到第一预设参数达到第一参数阈值之后，检测到第二预设参数达到...

本申请公开了一种半导体封装结构及塑封装置，该半导体封装结构包括：封装体和标识部。封装体用于包覆框架和芯片，并具有第一颜色；标识部位于封装体的一表面，并具有第二颜色；其中，框架包括第一引脚，标识部位于靠近框架上第一引脚的位置，使得第一引脚...

本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，以及置于衬底上的：第一晶体管，包括栅极区，源极区以及漏极区；第一多晶硅电阻，连接在栅极区和漏极区之间；第二多晶硅电阻，连接在漏极区和源极区之间；其中，第二多晶硅电阻包括串联...