本发明公开了一种VCSEL芯片及其制备方法、VCSEL激光器，涉及半导体器件技术领域，该芯片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的N型限制层、有源层与P型限制层；出光层，设于所述P型限制层上，所述出光层远离所述P型限制层的一侧表面设有...

本发明公开了一种柔性穿戴装置，包括穿戴主体、嵌于穿戴主体内的光纤总成以及与光纤总成电性连接的至少一驱动器，穿戴主体包括位于外侧的第一棉质层和位于内侧且与第一棉质层紧密缝合的第二棉质层，光纤总成布置在第一棉质层和第二棉质层之间，光纤总成包...

本实用新型提供一种光开关，该光开关包括壳体、设置在所述壳体两端的第一光纤准直器和第二光纤准直器、设置在所述壳体内的透明隔板、以及设置在所述透明隔板底部的芯片，所述透明隔板位于所述第一光纤准直器向所述第二光纤准直器射出光束的光路上，所述透...

本发明公开了一种瞄准模组及使用该瞄准模组的瞄准具，该瞄准模组包括壳体；瞄准组件，包括分别设于所述壳体内两端的目镜和物镜以及设于所述目镜和物镜之间的十字分化丝；发光组件，包括与所述十字分化丝端面连接的发光光纤以及设于所述壳体内的光源发生器...

本发明公开了一种基于TOF技术的沉浸式智能学习系统及控制方法，该系统包括台架以及分别设置在台架上的语音模块、识别模块、投影模块、指正模块以及照明模块，台架上集成有控制单元，语音模块、识别模块、投影模块、指正模块以及照明模块分别与控制单元...

本实用新型公开了一种镀膜夹具总成，包括夹具组件，夹具组件包括左右两侧设置的竖向梁、设置在两竖向梁上下两侧的横向梁、分别靠近两横向梁设置且夹固在两横向梁前后两侧的夹板、滑动设置在夹板之间的压板组件以及设置在压板组件底部依次排列的多根巴条及...

本实用新型提供了一种极低功耗LED调光电路及电子设备，LED发光器件由电源模块驱动以发光，包括调光信号接收模块、驱动信号输出模块与自锁控制模块；调光信号接收模块用于接收调光信号，控制电源模块与LED发光器件之间导通以使LED发光器件工作...

本发明提供了一种vcsel芯片及其制备方法，该芯片包括衬底以及设于衬底上的一体式刻蚀台面，一体式刻蚀台面设置为规则形状，一体式刻蚀台面中设有一体式发光区，一体式发光区的面积小于一体式刻蚀台面的面积，一体式发光区设置为规则形状或者不规则形...

本发明公开了一种瞄准模组及使用该瞄准模组的瞄准具，该瞄准模组包括壳体；瞄准组件，包括分别设于所述壳体内两端的目镜和物镜以及设于所述目镜和物镜之间的十字分化丝；发光组件，包括与所述十字分化丝端面连接的发光光纤以及设于所述壳体内的光源发生器...

本实用新型涉及一种半导体激光巴条固定夹具，主要用于实现半导体激光巴条夹取和转移；该夹具包括框体、及滑动设置于所述框体上的压条，所述框体围成一通孔，所述通孔的相对两侧壁均设有容置滑槽，所述压条设置于所述通孔中，且所述压条的两端分别与两个所...

本实用新型提供一种LED光源模组，该LED光源模组包括基板、设于基板上的若干色温控制触点以及设于基板上的LED光源，色温控制触点与LED光源连接，LED光源包括多个均匀分布的LED芯片光源，LED芯片光源为倒装芯片，倒装芯片采用晶体膜封...

本发明涉及一种半导体激光巴条固定夹具，主要用于实现半导体激光巴条夹取和转移；该夹具包括框体、及滑动设置于所述框体上的压条，所述框体围成一通孔，所述通孔的相对两侧壁均设有容置滑槽，所述压条设置于所述通孔中，且所述压条的两端分别与两个所述容...

本发明提供一种半导体激光器贴片装置及方法，该装置包括具有一密封腔室的贴片容器、设于密封腔室底部的加热贴片座、与密封腔室连接的气氛调控机构以及穿设于贴片容器上的操纵机构，气氛调控机构包括抽取真空的抽气组件以及充入惰性气体的充气组件，操纵机...

本发明公开了一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法，在半导体衬底上利用外延技术依次生长N型半导体反射层、有源层、p型半导体反射层；所述N型半导体反射层和P型半导体反射层为具有不同折射率的两种半导体材料组成的多对分布布拉格反射镜...

本发明公开了一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片及其制备方法，包括依次设置的衬底、n型掺杂DBR、中间介质层、量子阱有源层、中间介质层、p型掺杂DBR和帽层；所述衬底的上表面设置有抗反射涂层和n面金属接触层电极，所述抗反射涂层和n面金属接...

本发明提供一种VCSEL芯片及其制造方法，所述VCSEL芯片包括芯片主体，所述芯片主体上设有出光窗口，所述出光窗口内设置有光栅结构，所述光栅结构的光栅周期随其中心距的增大而减少。本发明通过直接在VCSEL芯片的出光窗口内、设置光栅周期随...

本发明提供一种半导体激光芯片的测试设备及方法，该设备包括：机架；设于机架上的摆动测试机构，摆动测试机构包括与机架摆动连接的第一支架、与第一支架摆动连接的第二支架、驱动第一支架相对机架摆动的第一驱动器、以及驱动第二支架相对第一支架摆动的第...

本发明公开了一种半导体激光芯片制造方法，其制作方法包括，1)、生长衬底依次外延生长为N型包层材料、次波导、主波导、P型包层材料；2)、利用次波导材料的折射率大于包层材料的折射率，次波导对光的空间限制强度弱于主波导，这里一个波导对光的空间...