一种vcsel芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种vcsel芯片及其制备方法，该芯片包括衬底以及设于衬底上的一体式刻蚀台面，一体式刻蚀台面设置为规则形状，一体式刻蚀台面中设有一体式发光区，一体式发光区的面积小于一体式刻蚀台面的面积，一体式发光区设置为规则形状或者不规则形状，一体式发光区的长度为宽度的4至2000倍。本申请通过在衬底上设置一体式刻蚀台面，并在一体式刻蚀台面中设置一体式发光区，从而能够有效的消除现有的各个相邻发光区之间的功能区域，进而消除了功能区域对激光功率密度的限制，同时对应提升了上述一体式发光区所发射出的激光的功率密度，并且有效减小了芯片的尺寸，对应降低了芯片的生产成本。片的生产成本。片的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种vcsel芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种vcsel芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器（简称VCSEL）是半导体激光器的一种，其内部蚀刻有圆形的发光台面，其中，现有的发光台面由湿法氧化技术制备而成，具体的，现有技术沿发光台面的边缘向内形成一个环形的氧化层，该氧化层包围的区域为发光区，更具体的，相对于圆形的发光台面，湿法氧化在发光台面四周向内部氧化的速度是相同的，使得在湿法氧化之后形成的发光区的形状一般为圆形或者近似圆形。
[0003]其中，发光区上方的p形半导体层可以实现电流的扩展注入，但是p形半导体层的方块电阻一般在几十到几百欧姆，使得其电流扩展能力有限，因此现有的圆台形vcsel的发光台面的直径在15
‑
70μm的范围，并且氧化后形成的发光区的直径在5
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50μm的范围，以便实现均匀的电流注入。进一步的，现有技术为了提高vcsel芯片的发光功率，会在单颗vcsel芯片上制作出多个圆台，以形成对应的阵列，并且圆台与圆台之间相对独立本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种vcsel芯片，其特征在于：包括衬底以及设于所述衬底上的一体式刻蚀台面，所述一体式刻蚀台面设置为规则形状，所述一体式刻蚀台面中设有一体式发光区，所述一体式发光区的面积小于所述一体式刻蚀台面的面积，所述一体式发光区设置为规则形状或者不规则形状，所述一体式发光区的长度为宽度的4至2000倍。2.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其特征在于：所述衬底上依次层叠设有n型半导体层、有源层以及p型半导体层，所述一体式刻蚀台面由所述n型半导体层、所述有源层以及所述p型半导体层刻蚀而成。3.根据权利要求2所述的vcsel芯片，其特征在于：所述n型半导体层包括若干对Al
x
Ga1‑
x
AsDBR，其中，0≤x≤1。4.根据权利要求2所述的vcsel芯片，其特征在于：所述p型半导体层包括多对Al
x
Ga1‑
x
AsDBR和一个或者多个高Al组分的Al
y
Ga1‑
y
As层，其中，0≤x≤1，0.9≤y≤1，x＜y。5.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其特征在于：所述一体式发光区的长度为20
‑
10000μm，所述一体式发光区的宽度为5
‑
70μm。6.一种应用于如权利要求1
‑
5中任意一项所述的vcsel芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底，并在所述衬底上依次制作n型...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐化勇，
申请(专利权)人：江西德瑞光电技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：