半导体发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体发光元件，包括：基板；第一外延结构和第二外延结构，并列位于该基板上；电连接层，位于该第一外延结构与该基板之间、该第二外延结构与该基板之间、以及该第一外延结构与该第二外延结构之间；第一电极结构，位于远离该基板之该第一外延结构之上；第二电极结构，位于远离该基板的该第二外延结构上；以及第三电极结构，连接于该电连接层。连接于该电连接层。连接于该电连接层。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件


[0001]本专利技术涉及一种半导体发光元件。

技术介绍

[0002]垂直共振腔面射激光(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是激光元件的一种，当其应用于3D感测时，需要以短脉冲、高电流操作，以提高亮度进而加大感测距离；又为能因应具有不同环境光强度的应用情境而适用于不同的感测环境，即需要可寻址控制的VCSEL芯片。

技术实现思路

[0003]鉴于前述，本专利技术提出一种倒装式垂直共振腔面射型激光元件(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)的设计，其无需金属打线而可减小元件的整体体积，具有低容值而有利于高频应用，且可寻址控制以因应不同的环境光强度调整发光区，适用于不同的应用情境。
[0004]本专利技术提供一种半导体发光元件，包括：基板；第一外延结构和第二外延结构，并列位于该基板上；电连接层，位于该第一外延结构与该基板之间、该第二外延结构与该基板之间、以及该第一外延结构与该第二外延结构之间；第一电极结构，位于远离该基板的该第一外延结构之上；第二电极结构，位于远离该基板的该第二外延结构上；以及第三电极结构，连接于该电连接层。
附图说明
[0005]为能更进一步了解本专利技术的特征与
技术实现思路
，请参阅下述有关本专利技术实施例的详细说明及如附附图。所揭详细说明及如附的附图仅提供作参考与说明之用，并非用以对本专利技术加以限制；其中：
[0006]图1A至图1C分别为本专利技术一实施例的半导体发光元件的剖面示意图、仰视透视示意图和俯视透视示意图；
[0007]图2A至图2K为在本专利技术一实施例的半导体发光元件的制作流程的的多个步骤的剖面结构示意图；
[0008]图3A至图3C分别为本专利技术一实施例的半导体发光元件的剖面示意图、仰视透视示意图和俯视透视示意图；
[0009]图4A和图4E分别为本专利技术一实施例的半导体发光元件的俯视透视示意图、仰视透视示意图和不同剖面的剖面示意图，用以说明本专利技术的半导体发光元件的发光区和共用电极结构的配置；
[0010]图5A至图5C为本专利技术各实施例的半导体发光元件的仰视透视示意图，用以说明本专利技术的半导体发光元件的背电极结构的配置；
[0011]图6A至图6E为本专利技术各实施例的半导体发光元件的仰视透视示意图，用以说明本
专利技术的半导体发光元件的背电极结构的配置；
[0012]图7A和图7B为本专利技术各实施例的半导体发光元件的剖面示意图；
[0013]图8A至图8C为本专利技术另一实施例的半导体发光元件的俯视透视示意图和剖面示意图；
[0014]图9A至图9C为本专利技术各实施例的半导体发光元件的发光单元俯视透视示意图；
[0015]图10A至图10L为本专利技术另一实施例的半导体发光元件的制作流程的多个步骤的剖面结构示意图；
[0016]图11和图12为本专利技术一实施例的半导体发光元件的俯视透视示意图和仰视透视示意图；
[0017]图13为本专利技术一实施例的半导体发光元件的平面透视示意图；
[0018]图14为本专利技术另一实施例的半导体发光元件的平面透视示意图；以及
[0019]图15为本专利技术另一实施例的半导体发光元件的侧视示意图。
[0020]符号说明
[0021]2 芯片
[0022]10 基板
[0023]10A、10B 侧边
[0024]20、30 外延结构
[0025]20A、30A 表面
[0026]40 金属连接层
[0027]40A 连接层开口
[0028]40B 间隔
[0029]40a、40b (金属连接层40的)部分
[0030]42 共同电极连接层
[0031]50、60、70、80 电极结构
[0032]502、602、702、802 中间层
[0033]504、604、704、804 接合层
[0034]50
’
、60
’
、70
’
、80
’ꢀ
电极结构
[0035]50A、60A、70A、80A 电极结构
[0036]50B、60B、70B、80B 电极结构
[0037]82、84、90、782 绝缘层
[0038]82A、82B、84A、84B 开口
[0039]90A 绝缘层开口
[0040]90B 绝缘层开口
[0041]100、300、400、500A～500C 半导体发光元件
[0042]600A～600E、700A、700B、800、1000 半导体发光元件
[0043]100A～100D 发光区
[0044]300A～300D 发光区
[0045]400A～400D 发光区
[0046]500A1、500A2、500B1、500B2、500C1～500C9 发光区
[0047]600A1～600A4、600B1～600B4、600C1～600C4 发光区
[0048]600D1～600D4、600E1～600E9 发光区
[0049]200 半导体叠层
[0050]201、301 贯孔
[0051]220、320 接触结构
[0052]222、322 半导体结构
[0053]224、324 活性区域
[0054]225、325 电流局限层
[0055]2251、3251 电流限制区
[0056]2252、3252 电流导通区
[0057]226、326 平台结构
[0058]370 共同电极
[0059]420、520 电极连接层
[0060]421、422 导电层
[0061]550A1、550A2、550B1、550B2、550C1～550C3 电极结构
[0062]650A1、650A2、650B1～650B4 电极结构
[0063]650C1、650C2、650D1、650E1～650E6 电极结构
[0064]650D11～650D14 开口部
[0065]570A1、570A2、570B1、570B2、570C1～570C3 电极结构
[0066]670A1、670A2、670B1～670B4、670C1～670C4 电极结构
[0067]670D1～670D4、670E1～670E6 电极结构
[0068]720、730 外延结构
[0069]726、736 平台结构
[0070]750、760、770、780 电极结构
[0071]720B 平坦化表面
[0072]821 侧部
[0073]822 上部
[0074]825 电流局限层
[007本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，包括：基板；第一外延结构和第二外延结构，并列位于该基板上；电连接层，位于该第一外延结构与该基板之间、该第二外延结构与该基板之间、以及该第一外延结构与该第二外延结构之间；第一电极结构，位于远离该基板的该第一外延结构之上；第二电极结构，位于远离该基板的该第二外延结构上；以及第三电极结构，连接于该电连接层。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该电连接层包括第一部分及第二部分分别位于该第一外延结构与该第二外延结构之间，该第一部分电连接该第一外延结构及该第二部分电连接该第二外延结构，该第一部分与该第二部分间具有间隔以使该第一部分与该第二部分不连接。3.如权利要求1所述的半导体发光元件，包括多个该第三电极结构，且至少一该第三电极结构位于该第一外延结构和该第二外延结构之间。4.如权利要求1所述的半导体发光元件，包括多个该第三电极结构位于所述的半导体发光元件的周围区域，且该多个第三电极结构共同电连接至该电连接层。5.如权利要求4所述的半导体发光元件，其中位于所述的半导体发光元件的周围区域的该多个第三电极结构围绕该第一电极结构及该第二电极结构。6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈守龙，锺昕展，徐子杰，谢奇勋，
申请(专利权)人：晶智达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：