激光元件制造技术

技术编号：33434612 阅读：16 留言：0更新日期：2022-05-19 00:23

本发明专利技术公开一种激光元件，其包括基底、位于基底上的外延结构、以及位于外延结构上的第一电极和第二电极。所述外延结构包括：第一半导体结构位于基底上，第二半导体结构位于第一半导体结构上，中间层位于第二半导体结构上，第三半导体结构位于中间层上，电流局限层位于第三半导体结构中，第四半导体结构位于第三半导体结构上，及活性结构位于第三半导体结构与第四半导体结构之间。所述第一电极和第二电极位于第四半导体结构上，且第一电极具有一部分贯穿第四半导体结构、活性结构及第三半导体结构，而连接于中间层。而连接于中间层。而连接于中间层。

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【技术实现步骤摘要】
激光元件

[0001]本专利技术涉及一种激光元件，特别是涉及一种倒装式激光元件的外延结构。

技术介绍

[0002]为了减小垂直式共振腔面射型激光(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)芯片的封装尺寸，采用倒装式(Flip Chip)芯片设计会是一种有效的方式，其可避免额外的金属打线，缩小整体封装尺寸，节省光学元件成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术提出一种激光元件，其包括：一基底，具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一出光面；一外延结构，位于该基底的该第二表面上且依序包括：一第一半导体结构；一第二半导体结构，位于该第一半导体结构上；一中间层，位于该第二半导体结构上；一第三半导体结构，位于该中间层上；一电流局限层，位于该第三半导体结构中；一第四半导体结构，位于该第三半导体结构上；及一活性结构，位于该第三半导体结构与该第四半导体结构之间；以及一第一电极与一第二电极，位于该第四半导体结构上，其中该第一电极具有一部分贯穿该第四半导体结构、该活性结构、该电流局限层以及该第三半导体结构，而连接于该中间层。
附图说明
[0004]为能更进一步了解本专利技术的特征与
技术实现思路
，请参阅下述有关本专利技术实施例的详细说明及如附的附图。但是所揭详细说明及如附的附图仅提供参考与说明之用，并非用以对本专利技术加以限制；其中：
[0005]图1为本专利技术一实施例的半导体元件的剖面示意图；
[0006]图2A与图2B分别为本专利技术另一

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光元件，其包括：基底，具有第一表面与第二表面，该第一表面为出光面；外延结构，位于该基底的该第二表面上且依序包括：第一半导体结构；第二半导体结构，位于该第一半导体结构上；中间层，位于该第二半导体结构上；第三半导体结构，位于该中间层上；电流局限层，位于该第三半导体结构中；第四半导体结构，位于该第三半导体结构上；及活性结构，位于该第三半导体结构与该第四半导体结构之间；以及第一电极与第二电极，位于该第四半导体结构上，其中该第一电极具有一部分贯穿该第四半导体结构、该活性结构以及该第三半导体结构，而连接于该中间层。2.如权利要求1所述的激光元件，还包括功能光学元件，位于该基底的该第一表面。3.如权利要求1所述的激光元件，其中该基底是砷化镓基板。4.如权利要求1所述的激光元件，其中该中间层包含砷化镓(p
‑
GaAs)或磷化铟镓(p
...

【专利技术属性】
技术研发人员：林炳成，陈守龙，谢奇勋，锺昕展，
申请(专利权)人：晶智达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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