底发射多结VCSEL阵列制造技术

底发射多结VCSEL阵列(200、300、400)包括第一反射器区域、多结有源区域(101、201、301、401)和第二反射器区域。多结VCSEL阵列(200、300、400)通过倒装芯片键合被附接至基座(213、317、414)。多结VCSEL阵列(200、300、400)还包括在第一反射器区域与基板(204、305、405)之间形成的接触层(304、404)。多结VCSEL阵列(200、300、400)通过倒装芯片键合被附接至基座(213、317、414)。414)。414)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】底发射多结VCSEL阵列
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月2日提交的美国临时专利申请登记号为63/004,359的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术一般地涉及垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列并且具体地涉及底发射多结VCSEL阵列。

技术介绍

[0004]与具有水平的法布里
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珀罗(Fabry
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Perot)谐振器和充当镜子的切割面的边缘发射半导体激光器相比，VCSEL具有垂直腔并且发射垂直于表面的圆形光束。与边缘发射半导体激光器相比，VCSEL具有许多优点，例如尺寸紧凑、光束点小、光束发散度低、光谱宽度窄、对温度的敏感度低、上升时间快以及易于制造二维(2D)VCSEL阵列等。
[0005]近年来，VCSEL阵列成为三维(3D)感测应用中的杰出选手。例如，许多智能电话配备有使用飞行时间(Time
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of
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Flight，ToF)法和结构光法进行面部识别的基于VCSEL阵列的3D传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备，包括：基座；以及附接至所述基座的VCSEL阵列芯片，所述VCSEL阵列芯片包括：基板；以及在所述基板上方的第一芯片区域中形成的多个VCSEL结构，每个VCSEL结构包括：在所述基板上方形成的第一反射器区域；在所述第一反射器区域上方形成的包括多个多量子阱(MQW)有源区域的多结有源区域；在所述多结有源区域上方形成的第二反射器区域；以及在所述第二反射器区域上方形成的焊盘金属层，其中，在所述VCSEL阵列芯片被附接至所述基座之后，所述焊盘金属层面向所述基座并且位于所述基板与所述基座之间。2.根据权利要求1所述的VCSEL阵列设备，其中，所述第一反射器区域和所述第二反射器区域各自包括分布式布拉格反射器(DBR)结构。3.根据权利要求1所述的VCSEL阵列设备，还包括电连接至所述第一反射器区域的第一金属层和电连接至所述第二反射器区域的第二金属层。4.根据权利要求1所述的VCSEL阵列设备，还包括在所述基板的面上形成的多个透镜。5.根据权利要求1所述的VCSEL阵列设备，还包括在所述第一反射器区域与所述基板之间形成的接触层。6.根据权利要求5所述的VCSEL阵列设备，还包括电连接至所述接触层的第三金属层和电连接至所述第二反射器区域的第四金属层。7.根据权利要求6所述的VCSEL阵列设备，其中，所述第三金属层在所述第一芯片区域外部并且所述第四金属层在所述第一芯片区域内部。8.一种用于制造垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备的方法，包括：在VCSEL阵列芯片的基板上方的第一芯片区域中形成多个VCSEL结构；以及将所述VCSEL阵列芯片附接在基座上，其中，形成所述多个VCSEL结构包括：在所述基板上方生长第一反射器区域；在所述第一反射器区域上方生长多结有源区域；在所述多结有源区域上方生长第二反射器区域；以及在所述第二反射器区域上方形成焊盘金属层，其中，在所述VCSEL阵列芯片被附接在所述基座上之后，所述焊盘金属层面向所述基座并且位于所述基板与所述基座之间。9.根据权利要求8所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜烔锡，贺永祥，锡瓦库马尔，
申请(专利权)人：深圳瑞识智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：