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底发射多结VCSEL阵列制造技术
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文档序号:33339266
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底发射多结VCSEL阵列(200、300、400)包括第一反射器区域、多结有源区域(101、201、301、401)和第二反射器区域。多结VCSEL阵列(200、300、400)通过倒装芯片键合被附接至基座(213、317、414)。多结V...
该专利属于深圳瑞识智能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳瑞识智能科技有限公司授权不得商用。
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