层状结构制造技术

公开了层状结构。一种层状结构包括具有第一变形的基板；此外形成器件并具有第二变形的一个或多个器件层；相对于基板是赝晶的并且具有第三变形的变形控制层。变形控制层被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。有利地，层状结构具有受控的、已知的变形，该变形可以是压缩的、拉伸的或零。拉伸的或零。拉伸的或零。

【技术实现步骤摘要】
层状结构


[0001]一种层状结构，特别是但不限于光电发射器或光电探测器设备。

技术介绍

[0002]层状的半导体结构通常由在堆叠中外延生长的多个层形成。每个层可以是与先前的层不同的材料或组成，这引入小的晶格失配并因此引入应变。该应变在层堆叠上方累积或增加，并可能导致结构的弯曲和/或翘曲。这种弯曲和/或翘曲可能为后续层生长呈现不均匀的表面；可能导致后续层以变化的厚度生长；由于材料沉积和热传递不均匀，可能导致后续层中的不均匀的性质；并且可能增加器件制作处理的复杂性和成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术试图解决这些缺点中的一些或全部。
[0004]本专利技术提供一种层状结构，包括：具有第一变形的基板；形成器件并具有第二变形的一个或多个器件层；相对于基板是赝晶的变形控制层，该变形控制层具有第三变形；其中，变形控制层被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。
[0005]变形控制层被选择以平衡变形以便匹配目标变形水平是有利的，因为基板中的弯曲或翘曲可以被抵消和/或期望的变形水平可以被引入到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种层状结构(10)，包括：
·
基板(12)，具有第一变形；
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一个或多个器件层(14)，形成器件并具有第二变形；
·
变形控制层(16)，相对于所述基板(12)是赝晶的，所述变形控制层(16)具有第三变形；其中，变形控制层(16)被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。2.如权利要求1所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)位于所述基板(12)和所述一个或多个器件层(14)之间。3.如权利要求1或权利要求2所述的层状结构(10)，其中所述基板(12)包括Ge、SiGe、SiGeSn、Si上Ge、Si上SiGe或Si上SiGeSn，并且其中所述第一变形是在其他层生长的所述基板(12)的表面处测量的。4.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括包含InGaP、AlInP、InGaAs、GaAsSb、GaAs、AlGaAs、GaAsP、AlGaAsP、AlGaAsSb的组中的任一个。5.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括单层。6.如权利要求1至5中任一项所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)包括多个层；并且其中所述变形控制层(16)在所述层状结构(10)内的离散位置处生长。7.如权利要求6所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)中的一个或多个位于器件层(14)之间。8.如任何前述权利要求中所述的层状结构(10)，其中所述变形控制层(16)或每个变形控制层(16)包括渐变的组成，所述渐变的组成在其靠近所述基板(12)的表面处...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：IQE公开有限公司，
类型：发明
国别省市：