本发明公开了一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件，具体步骤如下：S1：在外延层刻蚀出沟槽，在外延层表面以及沟槽内表面生长底部氧化层，随后在沟槽内沉积源极多晶硅并进行蚀刻；S2：将底部氧化层进行蚀刻，直至底部氧化层的表面与源...

本实用新型公开了加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管，包括终端区和主动区，其中，所述主动区的外延层上设有沟槽

本发明公开了一种自适应超结沟槽式

本发明提供一种双齐纳阱SCR器件，包括：P衬底，位于P衬底上方的Nwell区；位于Nwell区右侧并与Nwell区相切的Pwell区；位于Nwell区内部，右侧与Nwell区相齐，左侧位于Nwell区中，结深大于Nwell区的ZNwel...

本发明提供一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺，集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件一方面实现了横向TVS双向晶体管与分离栅沟槽MOS器件的单片集成，另一方面还通过外延工艺集成了一颗漏源垂直型ESD保护二极管。这样一来...

本发明提供一种具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺；本申请提出的具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件通过在分离栅沟槽MOS器件中实现triple resurf结构，在相同耐压下大大降低了器件的比导通电阻，降低了...

本发明公开一种开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源，该控制电路包括：包括：斜坡电压获取模块，用于根据输入电压输出斜坡电压；第一参考电压获取模块，用于根据开关频率信号和参考时钟信号输出第一参考电压；第二参考电压获取模块，用于根据开关电...

本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域,公开了一种超低电容双向SCR

本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了一种垂直型双向SCR低电容TVS器件，包括：衬底；位于衬底上方的第一外延层；在第一外延层上方两侧分别设置有第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层的上方制作有第二外延层；第二外延层的表面至...

本发明涉及一种三维超结LDMOS结构及其制作方法。本发明包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，所述第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类...

本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法、MOSFET器件的外延层的沟槽中形成有闸源端夹止结构，其中，闸源端夹止结构包括：底部氧化层、源极多晶硅、非掺杂闸极多晶硅、闸极...

本发明提供一种电机转子角度信息识别方法，包括以下步骤：将电机的载波信号与一高频信号叠加，一起注入至电机的三相绕组上；采样电机电流响应信号并经过Clark变换后转变为在静止坐标系上的电机电流响应信号，并将该电机电流响应信号通过带通滤波器滤...

本发明涉及一种内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法，它包括N型衬底、漏极金属、N型外延层、第一屏蔽栅氧化层、屏蔽栅P型多晶硅、第二屏蔽栅氧化层、P型多晶硅、N型多晶硅、控制栅多晶硅、P型体区、源极N+型掺杂区、背栅P+型掺杂区、...

本发明涉及一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法。本发明包括提供外延层；在所述外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着所述沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积一层第一次碳掺杂氧化硅；在沉积一层第一次碳掺杂氧化硅后的沟槽内沉积...

本发明公开一种开关变换器控制电路、控制方法及电源设备，该控制电路包括：第一比较输入模块，用于获取开关变换器的输入电压，并根据输入电压确定第一比较输入电压；第二比较输入模块，用于获取开关变换器的输出电压，并根据输出电压确定第二比较输入电压...

本发明公开一种电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路，该配置电路包括：时序信号发生单元，用于基于预设时序依次输出第一触发信号、第二触发信号和第三触发信号；偏置电流源单元，设有可控开关，偏置电流源单元用于接收第二触发信号，并基于第二触发...

本发明属于MOSFET器件领域，公开了一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法，包括屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，屏蔽栅沟槽型MOSFET结构中还包括P

本发明属于半导体器件领域,公开了一种低寄生电容焊盘，包括衬底、阱区层、掺杂层、场氧化层、金属层和钝化层，其中，阱区层套设置在衬底内，阱区层的上表面与衬底上表面齐平，掺杂层设置在阱区层中最顶层的阱区内，且与阱区层的上表面齐平，场氧化层设置...

本发明公开了一种栅控Resurf高压LDMOS结构，包括LDMOS结构，LDMOS结构中的栅控电极为双栅极结构，包括第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，LDMOS结构的P

本发明属于MOSFET器件领域，公开了一种分段式分离栅SGT MOSFET结构，包括SGT MOSFET结构,SGT MOSFET内的分离栅结构设计为一列或者两列分段式分离栅，分段式分离栅设置在沟槽内的沟槽氧化层内，且位于沟槽内栅极氧化...