本申请涉及一种

本实用新型公开了一种便捷性焊接场效应管，涉及场效应管技术领域，包括场效应管本体，所述场效应管本体的底端固定连接有引脚，且引脚外部的右侧插接有挤压块一，所述引脚远离挤压块一一侧插接有挤压块二。本实用新型通过设置有挤压块一、挤压块二以及弹簧...

本申请公开了一种高稳定性晶体管模块夹具，属于半导体器件夹具技术领域，包括底座，所述底座上固定设置有框架本体，且所述框架本体，所述本体地包括两个固定设置于底座上的限位框，两个所述限位框之间滑动设置有两个用于夹持PCB板的夹持框，所述本体上...

本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法，半导体浪涌保护器件结构，包括：三极管和电容二极管，三极管的发射极与电容二极管的阳极连接，三极管的集电极与电容二极管的阴极连接；电容二极管的电容小于三极管的电容。...

本申请涉及一种MOS管输送装置，属于MOS管生产制作领域，常规技术手段中对MOS管单边的引脚进行折弯，本申请通过两侧的折弯压板，其包括包括传送组件以及折弯组件，折弯组件固定在传送组件上，传送组件包括传送带、传送辊、传送驱动件以及多个支脚...

本申请涉及一种MOS管输送装置，属于MOS管生产制作领域，常规技术手段中对MOS管单边的引脚进行折弯，本申请通过两侧的折弯压板，其包括包括传送组件以及折弯组件，折弯组件固定在传送组件上，传送组件包括传送带、传送辊、传送驱动件以及多个支脚...

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种三通道平面栅SiC MOSFET器件及其制作方法。元胞结构采用源极沟槽，肖特基势垒二极管集成在源极沟槽侧壁处。源极沟槽底部排列有同一侧的第一P+源层和第二P+源层5，与P型体区形成额外的JFET...

本申请公开了一种场效应晶体管的可靠性检测装置，属于场效应晶体管检测设备技术领域，包括底板，所述底板的上表面固定有连接有两个支撑板，每个支撑板的内壁均固定连接有两个轴承，每两个轴承的内圈均固定连接有转轴，每个转轴的外表面均固定连接有齿轮，...

本申请涉及陶瓷膜加工设备技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷膜的加工设备碳化硅陶瓷膜的加工设备,其包括：箱体；第一打磨盘，绕竖向轴线转动安装于箱体顶部，用于打磨陶瓷膜上表面；第二打磨盘，绕竖向轴线转动安装于箱体底部，用于承载并打磨陶瓷膜下表面...

本申请公开了一种精密型焊接电源设备，属于焊接电源技术领域，包括支撑臂，所述支撑臂的正面开设有滑槽，支撑臂的右侧面固定安装有伺服电机，伺服电机的输出端固定安装有丝杠，丝杠的外表面与支撑臂的内壁转动连接，丝杠的外表面螺纹连接有滑块，滑块的正...

本实用新型公开了一种晶圆干燥装置，其包括撑箱，撑箱的外顶壁的中间段固定有干燥柜，干燥柜的两侧的内侧壁上均设置有多个加热管，干燥柜的内底壁的中间位置固定有撑块，撑块的底壁开设有弧形的撑槽，撑槽的槽壁上活动设有竖直的晶圆本体，撑箱的两侧的侧...

本申请公开一种晶圆裁切固定装置，属于晶圆生产制造加工技术领域，其包括支撑台，支撑台的顶端固定连接有支架，支架远离支撑台的一端固定连接有安装板，安装板的底端固定安装有气缸，气缸的输出端外侧固定连接有卡环，卡环的正表面固定连接有排水管，排水...

本申请公开了一种晶圆生产用清洗装置，属于电子元件加工技术领域，包括清洗台，所述安装架的内部顶端通过螺栓安装有第二电动推杆，所述第二电动推杆的输出轴的端面固定连接有第一电动推杆，所述第一电动推杆的输出轴的端面固定连接有清洁板，所述清洁板的...

本申请公开了一种半导体晶圆双面抛光设备及工艺，该设备包括底座、滑动座、上抛盘、下抛盘、太阳轮、行星盘和内齿圈；下抛盘固定连接在底座上；滑动座沿竖直方向滑动连接在底座上；上抛盘固定连接在滑动座上；滑动座上转动连接有连杆一，连杆一为伸缩杆，...

本申请涉及晶圆抛光技术领域，尤其是涉及一种半导体晶圆抛光方法和系统，抛光系统包括机架，机架上设有粗磨盘、精磨盘、载盘、运输装置以及升降装置，粗磨盘与精磨盘均可转动的设置在机架上，运输装置安装在升降装置上，载盘设置在运输装置上，且载盘用于...

一种沟槽分裂栅晶体管原胞结构，包括沟槽栅，沟槽栅内部分为有效栅和虚拟分裂栅，有效栅和虚拟分裂栅均由掺杂多晶硅形成，有效栅外部和虚拟分裂栅外部均包裹有栅氧化层，有效栅设置有两条，两条有效栅之间设置有淀积填充氧化层；还涉及一种沟槽分裂栅晶体...

本申请涉及一种晶体管及晶体管的制作方法，属于半导体元器件领域，晶体管包括晶体管主体，晶体管主体上固定连接有集电极、发射基以及基极，集电极、发射基以及基极远离晶体管主体的一端分别铰接有引脚，引脚上设有用于与外部电路连接的连接部。本申请提供...

本申请涉及半导体的技术领域，尤其是涉及一种纳米压印模板的制造工艺，其包括以下步骤：S1：选材清洗，选择合适的圆片作为衬底，并对衬底进行清洗、干燥操作；S2：淀积薄膜，在圆片表面制备压印膜层，并测量压印膜层的厚度；S3：光刻图形，在压印膜...

本申请涉及一种沟槽双栅晶体管原胞结构及其制造方法。一种沟槽双栅晶体管原胞结构，包括导电衬底、导电外延层、P

本申请涉及一种沟槽栅晶体管原胞结构及其制造方法。一种沟槽栅晶体管原胞结构，包括依次层叠设置的导电衬底、导电外延层、P