一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法技术

本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法，半导体浪涌保护器件结构，包括：三极管和电容二极管，三极管的发射极与电容二极管的阳极连接，三极管的集电极与电容二极管的阴极连接；电容二极管的电容小于三极管的电容。本申请通过将半导体浪涌保护器件结构设计为由三极管和电容二极管并联构成，使得半导体浪涌保护器件结构同时具有三极管的优良的瞬态功率，和相较于电容二极管更小的超低的寄生结电容，解决了半导体浪涌保护器件结构的结电容与瞬态功率无法兼容的问题。法兼容的问题。法兼容的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体浪涌保护器件适用于各种信号传输接口上以保护后续信号接收线路的安全性，浪涌保护器件可以将线路传输中瞬态高能量钳位释放，以便后续电路不被烧坏。这就需要浪涌保护器件具备极快的反应频率，能迅速的应对一个又一个的瞬态电压高峰值；相应的就需要浪涌保护器件具备较高的瞬态功率峰值。当瞬态功率峰值较高时，浪涌保护器件需要较大的额定功率值，相应的，半导体器件的面积就会增加，其PN结的结面也会增加，也就意味着结电容会增加，这样，又造成了器件频率表降低。
[0003]因此，相关技术的半导体浪涌保护器件存在结电容与峰值功率无法兼容的问题。

技术实现思路

[0004]为了解决半导体浪涌保护器件的结电容与峰值功率无法兼容的问题，本申请提供一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法。
[0005]本申请提供的一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法采用如下的技术方案：一方面，一种半导体浪涌保护器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体浪涌保护器件结构，其特征在于，包括：三极管和电容二极管，所述三极管的发射极与所述电容二极管的阳极连接，所述三极管的集电极与所述电容二极管的阴极连接；所述电容二极管的电容小于所述三极管的电容。2.根据权利要求1所述的半导体浪涌保护器件结构，其特征在于，所述半导体浪涌保护器件结构包括：第一掺杂类型导电衬底；第一掺杂类型外延区，设于所述第一掺杂类型导电衬底的一侧；间隔设置的第二掺杂类型阱区和第二掺杂类型基区，所述第二掺杂类型阱区嵌设于所述第一掺杂类型外延区内，贯穿所述第一掺杂类型外延区并与所述第一掺杂类型导电衬底连接，所述第二掺杂类型基区嵌设于所述第一掺杂类型外延区内，并位于所述第一掺杂类型外延区背离所述第一掺杂类型导电衬底的一侧；发射区和截止区，所述发射区嵌设于所述第二掺杂类型阱区内，并位于所述第二掺杂类型阱区背离所述第一掺杂类型导电衬底的一侧，所述截止区嵌设于所述第一掺杂类型外延区内，并位于所述第一掺杂类型外延区背离所述第一掺杂类型导电衬底的一侧，所述截止区与所述第二掺杂类型阱区、所述第二掺杂类型基区间隔设置，并分别包围所述第二掺杂类型阱区和所述第二掺杂类型基区；绝缘层，设于所述第一掺杂类型外延区上，覆盖所述第一掺杂类型外延区、所述截止区、部分所述第二掺杂类型阱区、部分所述第二掺杂类型基区和部分所述发射区，并形成露出所述第二掺杂类型基区的阳极过孔，露出所述发射区的发射极过孔；第一导电层，包括阳极和发射极，所述阳极与所述发射极连接，所述阳极通过所述阳极过孔与所述第二掺杂类型基区连接，所述发射极通过所述发射极过孔与所述发射区连接；第二导电层，设于所述第一掺杂类型导电衬底背离所述第一外延区的一侧。3.如权利要求2所述的半导体浪涌保护器件结构，其特征在于，所述绝缘层上还形成有露出所述第一掺杂类型阱区的第一板场过孔，和露出所述第二掺杂类型基区的第二板场过孔；所述第一导电层还包括第一场板和第二场板，所述第一板场与所述第二板场间隔设置，所述第一板场与所述发射极间隔设置，所述第二板场与所述阳极间隔设置，所述第一场板通过所述第一板场过孔与所述第二掺杂类型阱区连接，所述第二板场通过所述第二板场过孔与所述第二掺杂类型基区连接。4.如权利要求2所述的半导体浪涌保护器件结构，其特征在于，第二掺杂类型阱区在所述第一掺杂类型导电衬底上的正投影的面积，大于所述第二掺杂类型基区在所述第一掺杂类型导电衬底上的正投影的面积。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李新，陈嘉轩，刘贺，刘胜军，
申请(专利权)人：江苏铨力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：