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本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法，半导体浪涌保护器件结构，包括：三极管和电容二极管，三极管的发射极与电容二极管的阳极连接，三极管的集电极与电容二极管的阴极连接；电容二极管的电容小于三极管的电容。本申...
该专利属于江苏铨力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏铨力微电子有限公司授权不得商用。

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