本发明公开了一种局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法，包括：将晶片表面织构化；利用热扩散进行磷扩散，同时在表面生成磷硅玻璃；通过局部熔融晶片，使激光扫描部位磷硅玻璃中的磷元素进一步扩散到晶片中去；进行边界隔离；去除激光熔融...

本实用新型公开了一种利用烧结炉通过二次烧结规模化生产的晶硅太阳电池，包括Ｐ型衬底层，Ｐ型衬底层一侧设置绒面Ｎ型层，在绒面Ｎ型层与Ｐ型衬底层之间设置ＰＮ结，Ｐ型衬底层另一侧设置Ｐ↑［＋］层，在绒面Ｎ型层外侧设置氮化硅薄膜层，在氮化硅薄膜表...

本发明公开了一种晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺，硅片去损伤制绒后，进行低浓度磷掺杂制结，同时形成扩散阻挡层；在发射极上根据正面金属化图形区域丝网印刷腐蚀阻挡浆料并清洗烘干，再进行高浓度磷掺杂；将上述带有高低浓度磷扩散的晶体硅片去除磷...

本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺，包括将多晶硅片进行表面去损伤、制绒处理、扩散制结；在发射层上根据金属化图形区域丝网印刷回蚀阻挡浆料并预烘干；将上述金属化区域印刷了回蚀阻挡浆料的硅片局部去除磷硅玻璃后进行局部湿法化学回...

本发明公开了一种纳米改性高效率低成本多晶硅太阳能电池制备工艺，包括选择多晶硅片、用制绒液制绒处理、扩散、电极印刷，选择多晶硅片时，选用体寿命大于等于４０μｓ的Ｐ型多晶硅片；用制绒液制绒处理时，采用ＨＦ与ＨＮＯ３的混合溶液，ＨＦ与ＨＮＯ３...

本发明公开了一种单晶硅太阳能电池表面微区可控修饰工艺，将扩散处理后的单晶硅片在电极印刷前还采用表面微区可控修饰工艺进行表面微区修饰清洗，即以含有弱碱和表面活性剂的水溶液处理扩散后的单晶硅片以去除表面的微缺陷和有害杂质。本发明基于含有表面...

本发明公开了一种改善电池电性能的退火工艺，包括将丝网印刷晶体硅太阳电池进行退火处理，采用惰性气体（Ｎ↓［２］，Ａｒ）混合不同比例的氢气的还原性气体退火晶体硅太阳电池，氢气的体积混合比例为５％－１００％。本发明采用低温特殊气氛退火晶体硅太...