本发明公开了一种曝光机的掩膜版的版库组件，包括放置平台和版库叠置模块，版库叠置模块包括若干个相互叠置固定的版库单体，每个版库单体的结构相同，版库单体包括相互平行的左侧框和右侧框以及用于放置掩膜版的放置盒，左侧框和右侧框上设置有方便放置盒...

本技术公开了一种预制承片台毛坯的脱模装置，包括支架，所述支架上设有放置第一成型外模、第二成型外模和第三成型外模的支撑平台，所述支撑平台上设有与模具容纳区域相对应的脱模口，所述模具容纳区域内的下模处的吊环处于脱模口内，所述支撑平台下方设有...

本技术公开了一种预制承片台毛坯的成型模具，底模包括下模和中模，中模套装在下模上，中模的上端面与承片台一侧的端面配合，上模的下端面与承片台另一侧的端面配合，上模下压承片台，成型外模围绕下模和中模安装，下模的中心处圆周安装有贯穿承片台的竖杆...

本技术公开了一种碳化硅承片台的钻孔装置，包括外罩壳，外罩壳内安装有机架，机架上滑动安装有支撑滑台，支撑滑台通过第一纵向滑动装置驱动纵向滑动，支撑滑台转动安装有偏转轴，偏转轴与偏转壳体连接，偏转壳体通过偏转动力装置驱动偏转轴进行偏摆，偏转...

本技术公开了一种碳化硅承片台的铣削夹持装置，包括底座，所述底座上设有支撑台，所述支撑台内设有容纳腔室，所述支撑台上包括承载碳化硅承片台的工作平台，所述支撑台上设有方便夹持碳化硅承片台的卡盘装置，所述容纳腔室内部升降安装有升降螺杆，所述升...

本实用新型公开了一种碳化硅承片台钻孔用气吹装置，包括外罩壳，所述外罩壳内壁上设有纵向导轨，所述纵向导轨上安装有连接架，所述连接架通过纵向动力装置驱动在纵向导轨上往复滑动，所述连接架上安装有升降导轨，所述升降导轨上设有与碳化硅承片台的气孔...

本实用新型公开了一种碳化硅承片台铣削设备的除尘装置，包括外罩壳，所述外罩壳内设有铣削台，所述外罩壳内壁上设有纵向导轨，所述纵向导轨上滑动安装有固定板，所述固定板通过纵向动力装置驱动在纵向导轨上往复滑动，所述固定板上转动安装有连接架，所述...

本发明涉及半导体技术领域，尤其公开了一种碳化硅承片台的成型工艺，包括以下步骤；S1、碳化硅浆料的配置；S2、碳化硅湿坯的成型；S3、碳化硅干坯的形成；S4、碳化硅干坯的正面和背面预打磨；S5、碳化硅干坯粗钻孔，S6、碳化硅干坯正面和背面...

本发明公开了一种碳化硅承片台的钻孔装置，包括外罩壳，外罩壳内安装有机架，机架上滑动安装有支撑滑台，支撑滑台通过第一纵向滑动装置驱动纵向滑动，支撑滑台转动安装有偏转轴，偏转轴与偏转壳体连接，偏转壳体通过偏转动力装置驱动偏转轴进行偏摆，偏转...

本实用新型公开了一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，反应平台圆周均匀分布有若干个容纳凹槽，工作台下方设有平台旋转动力装置，反应平台设有上料工位，反应腔室和片盒之间设有机械手和换位装置，换位装置包...

本实用新型公开了一种硅片的冷却换位装置，包括工作台，工作台上安装有换位板，换位板的下端安装有传动杆，传动杆贯与升降旋转动力装置连接，升降旋转动力装置通过传动杆驱动换位板的升降和旋转，换位板的上板面分别开设有第一放置通槽和第二放置通槽，第...

本实用新型公开了一种硅片片盒的偏转装置，包括底板，所述底板上设有沿纵向滑动安装片盒的底托，所述片盒为一个盒体，所述片盒一侧面开口，所述片盒内设有若干层容纳硅片的容纳槽，所述底板上固定安装有一对安装座，所述安装座之间连接有固定轴，所述固定...

本实用新型公开了一种化学气相沉积设备的硅片进出料冷却装置，包括工作台，工作台上设有反应腔室，反应腔室上设有进料口，反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，反应平台旋转安装于工作台上且位于反应罩壳内，进料口设在反应罩壳上，反应平台圆周均匀分布有...

本发明公开了一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却装置，反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，反应平台圆周均匀分布有若干个容纳凹槽，工作台下方设有平台旋转动力装置，反应平台设有上料工位，反应腔室和片盒之间设有机械手和换位装置，换位装置包括旋...

本发明公开了一种化学气相沉积设备的硅片连续反应冷却方法，该方法包括以下步骤：S1、设备的前期准备；S2、将片盒内的硅片逐片送入到反应平台的所有容纳凹槽中；S3、反应平台继续旋转一个角度将第N反应工位上的硅片送至上料工位等待出料；S4、环...

本实用新型公开了一种硅片自定位的干法刻蚀装置，下仓体上设有硅片支撑装置和硅片定位装置，硅片支撑装置包括支撑杆，硅片定位装置包括定位杆，支撑杆由第一动力装置驱动，定位杆由第二动力装置驱动，放置平台上设有支撑孔和定位孔，放置平台上位于硅片放...

本实用新型公开了一种干法刻蚀机的定位顶升机构，定位顶升机构包括硅片支撑装置和硅片定位装置，硅片支撑装置包括若干根支撑杆，硅片定位装置包括若干根定位杆，放置平台上设有支撑孔和定位孔，支撑杆固定安装在支撑座上，定位杆固定安装在定位座上，支撑...

本实用新型公开了一种干法刻蚀机的吸附顶升装置，下仓体上设有硅片支撑装置和硅片定位装置，硅片支撑装置包括支撑杆，硅片定位装置包括定位杆，支撑杆由第一动力装置驱动在支撑工位和第一待机工位之间往复移动，定位杆由第二动力装置驱动在定位工位和第二...

本发明公开了一种硅片的干法刻蚀方法，该干法刻蚀方法包括以下步骤：S1、设备的前期准备；S2、开启进料口，第一动力装置驱动支撑杆上升到支撑工位，第二动力装置带动定位杆上升到定位工位；S3、硅片从进料口送入并放置于支撑杆后，关闭进料口，对真...

本发明公开了一种化学气相沉积设备的硅片进出料冷却装置，包括工作台，工作台上设有反应腔室，反应腔室上设有进料口，反应腔室内包括反应平台和反应罩壳，反应平台旋转安装于工作台上且位于反应罩壳内，进料口设在反应罩壳上，反应平台圆周均匀分布有若干...