本发明提供了本发明公开了一种基于光栅结构相移的方法及DFB激光器，涉及光电子技术领域，其技术方案要点是一种基于光栅结构相移的方法，沿基于光栅结构相移的DFB激光器的导波方向设置相移段波导和原段波导，且相移段波导的宽度和原段波导的宽度具有...

本发明公开了一种2～3μm红外波段雪崩光电探测芯片外延片，涉及半导体光电子器件技术领域，包括衬底，衬底为InP衬底层；InP衬底层之上为异变缓冲层；异变缓冲层之上为应变吸收层；应变吸收层之上为过渡层；过渡层之上为电荷层；电荷层之上为盖层...

本发明公开了一种红外拓展波长光探测器芯片外延片结构，属于半导体光电子器件技术领域；本发明包括InP衬底层、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、InP电荷层和InP盖层；本发明主要针对1650

本发明公开了一种测量半导体材料宽波段电致发光光谱的方法，涉及半导体光电子学和半导体光学技术领域，通过设计一种宽波段的电致发光测试系统，可以得到半导体材料的电致发光峰位信息，并可以由此推断出其能带带隙，从而评判半导体外延材料的优劣，传统的...

本发明公开了一种将纳米压印和电子束曝光结合的纳米图形制备方法，属于微电子技术领域，包括：步骤一、将纳米图形分为不变部分和可变部分，利用版图绘制工具将两者分别绘制版图，其中，不变部分版图上需包含电子束曝光套刻标记；步骤二、取不变图形版图，...

本发明公开了一种红外拓展波长光探测器芯片外延片，涉及半导体光电子器件技术领域，公开了包括衬底为InP衬底层，InP衬底层上方设置有InP缓冲层，InP缓冲层上方设置有InAlAs缓冲层，InAlAs缓冲层上方设置有InAlAs倍增层，I...

本发明公开了一种半导体表面应力分布检测的装置及其检测方法，属于半导体材料检测技术领域，本发明提出了一种简单的半导体表面应力分布检测装置及其检测方法，此方法基于光致发光的检测手段，将半导体表面的发光光谱与材料的标准光谱的峰位进行对比，利用...

本发明公开了一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，涉及半导体材料技术领域，包括以下步骤：将透明玻璃衬底固定在磁控溅射系统的石墨加热衬底上，进行预加热；对溅射系统腔室抽真空；通入氩气至溅射系统腔室内作为等离子体的工作气体；对溅射系统腔室中...

本实用新型公开了一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，涉及半导体技术领域，目的在于提供一种反射光亮，提高光提取率，减少材料使用，降低成本的具有高亮度高发光效率的外延生长结构，其技术要点是包括衬底，所述衬底的顶面设有连接部，所述连接部的...

一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器，采用满足1342纳米发射波长需要的量子阱结构，通过微结构与普通分布反馈光栅结合，实现单模工作，进一步引入多层稀释波导结构扩大光功率输出，满足了大功率输出需要，在不增加工艺难度的基础上大幅度提...

无制冷抗反射InP基量子点/量子阱耦合EML外延片的制备方法，对基于InP衬底的量子点激光器内的量子点层叠区域，增设同由欧姆接触层覆盖的且与量子点层叠区域水平耦合的量子阱电吸收调制区。其为通过分子束外延或金属有机化学气相沉积制备的、采用...

本发明公开了一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层，渐变缓冲层由石墨烯层和不同组分的III

本发明公开了一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，包括以下步骤：（1）选择一GaAs衬底；（2）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（3）在GaAs缓冲层上制备复合缓冲层，复合缓冲层由石墨烯层和Ga

本发明涉及一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法，检测装置的不同之处在于：其包括光发射系统、光分离收集系统和检测系统；光发射系统包括能聚焦至半导体样品表面同一位置的脉冲激光光源和连续激光光源，连续激光光源能聚焦至半导体样品表面...

本发明涉及一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括电流电压源、三维平移台、连续激光光源、凸透镜、分束镜、滤光片和CCD相机；电流电压源用于给半导体光电器件样品施加正向电压或正向电流，以使半导体光电器件样品表...

本发明公开了一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法，在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10

本发明涉及一种半导体深能级缺陷检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括宽光谱光源、单色仪、电子开关、连续激光光源、光纤合束器、透镜、冷阱、电容测试仪和脉冲发生器；脉冲发生器用于给电子开关提供脉冲控制信号；宽光谱光源依次经过单色仪...

一种GaAs基光子晶体激光器及其制作方法，对基于n型GaAs衬底的半导体叠层顶部的层叠A的电流导通区域，增设对其限定的阻流区域。其采用金属有机物化学气相沉积法外延生长有源区及波导结构，结合电子束光刻和干法刻蚀制作光子晶体形成激光外延片，...

一种光子晶体面发射激光器及其制作方法，在面发射激光器内以n

一种制备超宽发光谱的砷化铟/磷化铟量子点激光器外延片的方法，为在磷化铟衬底上外延生长缓冲层和下分别限制层；再堆叠生长多层量子点有源层；再沉积上分别限制层和欧姆接触层后，完成制备。其通过控制量子点的沉积厚度来调节所生长量子点的大小，同时通...