本发明外延片加工技术领域，公开了一种外延片的快速研磨装置，包括机架以及设于机架上的上料机构和研磨机构，其中上料机构包括上料架，上料架上设有前后方向上设置的滑轨，滑轨上通过滑块设置上料平台，上料架上设有用于驱动上料平台沿滑轨前后方向上移动...

一种LED灯用蓝宝石晶片的打磨工艺，将待磨晶片纵向的固定在紧固圈内，蒙有研磨垫的磨盘从待磨晶片的两侧以同速异向的方式打磨，并持续从顶部向打磨面添加研磨液，打磨包括粗磨和精磨，与粗磨对应的研磨液的粒度为微米级，与精磨对应的研磨液的粒度为纳...

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种外延片的检测装置，包括检测平台，检测平台上设有输送机构和光检测机构，检测平台的下方设有次品输送带，所述输送机构包括两个前后对称设置的链条机构，两个链条机构之间设置物料带，两个链条机构用于向右输送物...

本发明涉及一种外延片的贮存方法及装置。该外延片的贮存装置，包括存放盒，所述存放盒包括防潮盖板与放置主体，所述放置主体的外表面靠近底部的位置固定连接有底沿板，所述底沿板相对于放置主体对称设置，所述底沿板的外表面开设有通孔；放置主体，所述放...

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种外延片的存储运输装置，包括输送机构和存储机构，其中存储机构包括多个存储单元，存储单元与存储单元之间通过连接带连接构成带状结构，连接带的材料为柔性材料，存储单元包括存储座，存储座上设有存储筒，存储筒...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DFB激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型InP衬底、缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层、光栅层、光栅覆盖层、上包覆层、接触层和绝缘层，还包括位...

本实用新型提供一种可更换镊子头镊子。包括有镊子柄，镊子柄为分叉状结构，在镊子柄两个分叉的末端分别设置有安装孔，在每一个安装孔的外侧，均固定安装有一个紧固夹具；所述的紧固夹具中间为内空结构的针槽，紧固夹具的一个侧面设置有开口连通针槽，紧固...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型GaAs衬底、缓冲层、下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第一上包层、GaInP层、光栅层、光栅覆盖层、第二上包...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高迁移率晶体管，其不同之处在于：其由下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和AlGaN垒层，所述沟道层为Be掺杂GaN沟道层或复合沟道层。本实用新型有效缓解背景载流子浓度高的问题。高的问题。...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于Micro

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型InP衬底、缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层、光栅层、光栅覆盖层、上包覆层和...

本实用新型涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段单载流子高速探测器，其不同之处在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电...

本实用新型涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段高响应度探测器，其不同之处在于：其包括位于探测器最底端的n型衬底，所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层...

本实用新型提供一种高度免调节贴片机夹具。包括有夹具本体，所述的夹具本体为一个矩形片状体，并在中间设置一个直角台阶，使得夹具本体构成截面为Z字形的形状；所述的夹具本体以直角台阶为分界面分成左右两部分：其中分界面左边较高部分为拾取部，拾取部...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种态密度耦合半导体激光器，其不同之处在于，其包括衬底，以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、下波导层、多周期量子阱层、多周期量子点层、上波导层、包层和接触层。本实用新型可以实现具有低阈值、波长易调控、...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种四元系张应变半导体激光外延片，其不同之处在于：其由下至上依次包括衬底、缓冲层、光栅层、InP盖层、覆盖层、隔离层、下限制层、下渐变波导层、多量子阱层、上渐变波导层、上限制层、上包层、上渐变层和接触层...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种808nm激光外延片，其不同之处在于：其由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、光栅层、覆盖层、包层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和接触层，所述光栅层上制备有N面光栅图形。本实用新型制...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型GaAs衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下包覆层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于Micro