本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DFB激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高迁移率晶体管及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一衬底，退火处理，然后进行氮化处理；步骤2：生长80至150nm厚的成核层；步骤3：成核层原位退火处理；步骤4：退火完成后，温度...

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段单载流子高速探测器，其不同之处在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电极层...

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种850nm波段高响应度探测器，其不同之处在于：其包括位于探测器最底端的n型衬底，所述n型衬底上由下至上依次包括氧化铝层、n型接触层、n型DBR层、下限制层、吸收层、上限制层、p型接触层和增...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体超短脉冲激光器及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一N型衬底；步骤2：在所述衬底上进行半导体双模量子点材料的外延生长；步骤3：采用标准半导体光电子芯片工艺进行激光器的光刻和...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种态密度耦合半导体激光器，其不同之处在于，其包括衬底，以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、下波导层、多周期量子阱层、多周期量子点层、上波导层、包层和接触层。本发明可以实现具有低阈值、波长易调控、高温度稳...

本实用新型涉及光电子器件设计技术领域，尤其涉及一种侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器，其不同之处在于：其包括N电极层；衬底，设于N电极层上；下盖层，设于衬底上；下波导层，设于下盖层上；有源区，设于下波导层上；脊形条结构，设于有源区上...

本发明涉及半导体激光器的技术领域，尤其涉及一种1.55微米波长硅基量子点激光器外延材料及制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤101：在单晶硅衬底上制备条形图形掩膜；步骤102：刻蚀V型槽窗口；步骤103：在所述V型槽窗口区中选区...

本发明涉及半导体激光器的技术领域，尤其涉及一种1.55微米波长硅基量子阱激光器外延材料及制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤101：在单晶硅衬底上制备条形图形掩膜；步骤102：在所述硅衬底上刻蚀V型槽窗口；步骤103：在所述V型...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种808nm激光外延片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一GaAs衬底；步骤2：在所述衬底上依次沉积缓冲层、下限制层和光栅层；步骤3：在所述光栅层上制备光栅图形；步骤4：在制备有...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种四元系张应变半导体激光外延片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次沉积缓冲层、光栅层和InP盖层；步骤3：在所述光栅层和InP盖层上制备光栅图...

本实用新型涉及光子光电子器件设计、制作领域，尤其涉及一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器，其特征在于，高阶模选择抑制型垂直面发射激光器包括由下至上依次设置的N电极层、衬底、下布拉格反射层和发光单元圆台，发光单元圆台随机均匀分布于下布拉格...

本发明涉及光电子器件设计技术领域，尤其涉及一种侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器及其制备方法，其不同之处在于：其包括N电极层；衬底，设于N电极层上；下盖层，设于衬底上；下波导层，设于下盖层上；有源区，设于下波导层上；脊形条结构，设于...

本发明涉及光子光电子器件设计、制作领域，尤其涉及一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器及其制备方法，其特征在于，高阶模选择抑制型垂直面发射激光器包括由下至上依次设置的N电极层、衬底、下布拉格反射层和发光单元圆台，发光单元圆台随机均匀分布于...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种扫描电子显微镜样品台，其不同之处在于：其包括呈凹型结构的样片放置台，所述样片放置台的两侧壁为竖直设置的侧部放置台柱，所述侧部放置台柱上表面为平面，样片放置台的内部中间位置设置有一个山峰状凸起结构...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种匀胶机样品托盘，其不同之处在于：其包括上部的托盘腔体和下部的中空柱体，所述托盘腔体顶部中央位置设有圆柱形凸起结构的承片台，所述承片台用于放置待匀胶基片，承片台中心位置设有真空吸孔，所述真空吸孔向...

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基于激光打标机工作台的加持定位样品托盘，其不同之处在于：其盘体表面设置有多个基片放置槽，所述多个基片放置槽按垂直于盘体表面的方向依次层叠，且尺寸由槽底向盘体表面方向依次增大，用于放置基片；装夹槽...

本实用新型公开了一种新型研磨机摆臂，涉及研磨机技术领域。包括装置本体，装置本体的上端固定连接有连接柱，连接柱的上半部侧壁设有第一摆臂，第一摆臂的右半部上端固定连接有垫块，垫块的上端固定连接有电机，电机的输出轴端部固定连接有轴承，轴承的下...

本实用新型公开了一种研磨组合配重块，涉及半导体技术领域。包括玻璃载片，所述玻璃载片的左右两面对称开设有U型凹槽，所述玻璃载片的上表面活动安装有第一圆形压块，所述第一圆形压块下表面的左右两侧对称固定安装有U型凸块，所述U型凸块活动卡扣U型...

本实用新型涉及光电子器件设计技术领域，尤其涉及一种基于直波导全反射耦合连接的微结构面上光源装置，其不同之处在于：其包括基底，用于承载功能器件及电流注入，所述基底包括由下至上依次设置的下金属层、衬底材料层、绝缘层、上金属层；直波导互连腔，...