一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层制造技术

本发明专利技术公开了一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层，渐变缓冲层由石墨烯层和不同组分的III

【技术实现步骤摘要】
一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层


[0001]本专利技术属于多结太阳电池的
，尤其涉及一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层。

技术介绍

[0002]目前技术最为成熟、应用最为广泛的多结太阳电池是GaAs多结电池，其主流结构是由GaInP、GaInAs和Ge子电池组成的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池，主要应用于航天卫星的空间电源系统中。然而该类GaAs多结电池需要以价格昂贵的Ge（或GaAs）单晶材料为衬底来制备，制作成本较高，难以应用于大规模的地面光伏电站。由于晶硅衬底成本较低，如果基于Si衬底来制作多结太阳电池则可以大大降低多结电池的制作成本，且得到的转换效率要明显高于传统的地面晶硅电池。
[0003]然而由于GaAs、AlGaAs、AlGaInP等III
‑
V族材料与Si的晶格失配较大，基于晶硅衬底来制备Si基III
‑
V族材料多结电池时会引入较多的材料缺陷，采用GaAs
x
P1‑
x
、Ga1‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基多结太阳电池渐变缓冲层，其特征在于：所述渐变缓冲层（30）由石墨烯层（31）和不同组分的III
‑
V族化合物层（32）交替生长而成，所述渐变缓冲层（30）的最底层和最顶层均为所述III
‑
V族化合物层（32）。2.根据权利要求1所述渐变缓冲层，其特征在于：交替生长对数为5
‑
15对。3.根据权利要求1所述渐变缓冲层，其特征在于：每层所述III
‑
V族化合物层（32）厚度为50
‑
300nm，每层所述石墨烯层（31）的原子层数为1
‑
8层。4.根据权利要求1所述渐变缓冲层，其特征在于：最底层的所述III
‑
V族化合物层（32）的材料为n型GaP，最顶层的所述III
‑
V族化合物层（32）的材料包括但不限于n型掺杂的GaAs、Ga
0.5
In
0.5
P，中间层的所述III
‑
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x
、Ga1‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏飞，王岩，罗帅，季海铭，
申请(专利权)人：江苏华兴激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：