本发明专利技术提供一种具备SE结构的Topcon电池，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体正表面依次生长的P+掺杂层、氧化铝钝化层、第二SiNx掩膜层以及银铝浆。本发明专利技术的有益效果是使用二次硼扩的方法来实现硼扩散的选择性发射极结构，能够使得Topcon电池表面有两种浓度的硼扩浓度，能够在非SE结构处减少掺杂减少表面复合速率，金属和金属化图形接触的部分进行高掺杂，实现好的欧姆接触，实现Topcon电池硼SE结构既有好的接触性能，也有好的钝化能力，替代硼扩散激光SE方法，解决硼扩重掺杂难题。解决硼扩重掺杂难题。解决硼扩重掺杂难题。
【技术实现步骤摘要】
一种具备SE结构的Topcon电池、其制备方法及光伏组件
[0001]本专利技术属于太阳能电池
，尤其是涉及一种具备SE结构的Topcon电池、其制备方法及光伏组件。
技术介绍
[0002]太阳能电池，是一种通过光伏效应将光能直接转化为电能的电力设备。目前，最常见的太阳能电池是由硅制成的大面积PN结，其他可能的太阳能电池类型有染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池以及量子点太阳能电池等。
[0003]现有技术中，通常使用激光来对形成Topcon电池的SE结构，只能对整体Topcon电池形成SE结构，不能实现选择性的SE结构，导致不必要的结构处表面复合速率较高，虽然与栅线接触的部分能够有较好的接触能力，但是钝化能力较弱。
技术实现思路
[0004]本专利技术要解决的问题是提供一种具备SE结构的Topcon电池、其制备方法及光伏组件，有效的解决现有技术中激光形成的Topcon电池的SE结构不能实现选择性的SE结构，导致不必要的结构处表面复合速率较高，虽然与栅线接触的部分能够有较好的接触能力，但是钝化能力较弱的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种具备SE结构的Topcon电池，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体正表面依次生长的P+掺杂层、氧化铝钝化层、第二SiNx掩膜层以及银铝浆。
[0006]优选地，所述P+掺杂层包括第一P+掺杂层和第二P+掺杂层。
[0007]优选地，所述银铝浆生长在所述第二SiNx掩膜层上的金属化栅线位置处。
[0008]一种制备如权利要求1所述的具备SE结构的Topcon电池的方法，其特征在于：
[0009]对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理；
[0010]对所述N型晶体硅基体的正表面进行第一次硼扩散处理，形成所述第一P+掺杂层，并在所述第一P+掺杂层表面还形成一第一硼硅玻璃层；
[0011]去除所述第一硼硅玻璃层以及所述N型晶体硅基体的背表面和边缘绕扩处的第一P+掺杂层；
[0012]在所述第一P+掺杂层表面上沉积一第一SiNx掩膜层；
[0013]按照金属化图形进行激光开槽，去除所述金属化图形区域的所述第一P+掺杂层以及所述第一SiNx掩膜层，露出所述N型晶体硅基体正表面，并对开槽处进行清洗；
[0014]对所述N型晶体硅基体上开槽处进行第二次硼扩散处理，形成所述第二P+掺杂层，并在所述第二P+掺杂层表面还形成一第二硼硅玻璃层；
[0015]去除所述第二硼硅玻璃层以及剩余所述第一SiNx掩膜层；
[0016]在所述第一P+掺杂层以及所述第二P+掺杂层表面生长一所述氧化铝钝化层，然后在所述氧化铝钝化层上沉积第二SiNx掩膜层；
[0017]按照所述金属化栅线印刷所述银铝浆，并烘干烧结，得到Topcon电池硼SE结构。
[0018]优选地，所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5
‑
5Ω
·
cm，厚度为80
‑
200μm。
[0019]优选地，对所述N型晶体硅基体的正表面进行第一次硼扩散处理中，硼源采用三溴化硼或者三氯化硼，所述硼源浓度为0.5
‑
1*E
19
，通源时间为120
‑
240min，扩散时间为500
‑
700s，扩散温度为900
‑
1100℃，扩散深度为0.3
‑
0.8μm，所述N型晶体硅基体进行第一次硼扩散后的方阻值为200
‑
500Ω/sqr。
[0020]优选地，在所述第一P+掺杂层表面上沉积一第一SiNx掩膜层的步骤中，使用PECVD沉积所述第一SiNx掩膜层，所述第一SiNx掩膜层的厚度范围为30cm
‑
80cm，折射率为1.8
‑
2.2。
[0021]优选地，所述金属化图形为金属化栅线的细栅部分。
[0022]优选地，按照金属化图形进行激光开槽后，使用HCl或NaOH对开槽处进行清洗。
[0023]优选地，对所述N型晶体硅基体上开槽处进行第二次硼扩散处理时，硼源采用三溴化硼或者三氯化硼，所述硼源浓度为2
‑
4*E
19
，扩散温度为900
‑
1100℃，通源时间为1900
‑
2300s，扩散时间为900
‑
1000s，扩散深度为0.8
‑
1.1μm，所述N型晶体硅基体进行第二次硼扩散后的方阻值为40
‑
100Ω/sqr。
[0024]优选地，使用HF去除所述第一硼硅玻璃层、所述第二硼硅玻璃层以及剩余所述第一SiNx掩膜层。
[0025]一种光伏组件，内含有如上述具备SE结构的Topcon电池或者如上述制备方法获得的具备SE结构的Topcon电池。
[0026]采用上述技术方案，使用二次硼扩的方法来实现硼扩散的选择性发射极结构，能够使得Topcon电池表面有两种浓度的硼扩浓度，能够在非SE结构处减少掺杂减少表面复合速率，金属和金属化图形接触的部分进行高掺杂，实现好的欧姆接触，实现Topcon电池硼SE结构既有好的接触性能，也有好的钝化能力，替代硼扩散激光SE方法，解决硼扩重掺杂难题。
附图说明
[0027]图1是本专利技术实施例一种具备SE结构的Topcon电池的结构示意图
[0028]图中：
[0029]1、N型晶体硅基体
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2、第一P+掺杂层
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3、第二P+掺杂层
[0030]4、氧化铝钝化层
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5、第二SiNx掩膜层
ꢀꢀ
6、银铝浆
具体实施方式
[0031]下面结合实施例和附图对本专利技术作进一步说明：
[0032]在本专利技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“正表面”、“背表面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0033]如图1一种具备SE结构的Topcon电池的结构示意图所示，一种具备SE结构的Topcon电池，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体1正表面依次生长的P+掺杂
层、氧化铝钝化层4、第二SiNx掩膜层5以及银铝浆6。
[0034]其中，P+掺杂层包括第一P+掺杂层2和第二P+掺杂层3，第一P+掺杂层2中的硼浓度低于第二P+掺杂层3的硼浓度，第一P+掺杂层2为轻掺，第二P+掺杂层3为重掺，采用二次硼扩的方式，来实现硼扩散的选择性发射极结构，即SE结构，使得Topcon电池表面有两种浓度的硼扩浓度，能够在非SE结构处减少掺杂减少表面复合速率，金属和金属化图形接触的部分进行高掺杂，实现好本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具备SE结构的Topcon电池，其特征在于，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体正表面依次生长的P+掺杂层、氧化铝钝化层、第二SiNx掩膜层以及银铝浆。2.根据权利要求1所述的一种具备SE结构的Topcon电池，其特征在于：所述P+掺杂层包括第一P+掺杂层和第二P+掺杂层。3.根据权利要求1所述的一种具备SE结构的Topcon电池，其特征在于：所述银铝浆生长在所述第二SiNx掩膜层上的金属化栅线位置处。4.一种制备如权利要求1所述的具备SE结构的Topcon电池的方法，其特征在于：对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理；对所述N型晶体硅基体的正表面进行第一次硼扩散处理，形成所述第一P+掺杂层，并在所述第一P+掺杂层表面还形成一第一硼硅玻璃层；去除所述第一硼硅玻璃层以及所述N型晶体硅基体的背表面和边缘绕扩处的第一P+掺杂层；在所述第一P+掺杂层表面上沉积一第一SiNx掩膜层；按照金属化图形进行激光开槽，去除所述金属化图形区域的所述第一P+掺杂层以及所述第一SiNx掩膜层，露出所述N型晶体硅基体正表面，并对开槽处进行清洗；对所述N型晶体硅基体上开槽处进行第二次硼扩散处理，形成所述第二P+掺杂层，并在所述第二P+掺杂层表面还形成一第二硼硅玻璃层；去除所述第二硼硅玻璃层以及剩余所述第一SiNx掩膜层；在所述第一P+掺杂层以及所述第二P+掺杂层表面生长一所述氧化铝钝化层，然后在所述氧化铝钝化层上沉积第二SiNx掩膜层；按照所述金属化栅线印刷所述银铝浆，并烘干烧结，得到Topcon电池硼SE结构。5.根据权利要求4所述的一种具备SE结构的Topcon电池的制备方法，其特征在于：所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5
‑
5Ω
·
cm，厚度为80
‑
200μm；对所述N型晶体硅基体的正表面进行第一次硼扩散处理中，硼源采用三溴化硼或者三氯化硼，所述硼源浓度为0.5
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1*E
19
，通源时间为120
【专利技术属性】
技术研发人员：何秋霞，朱军，李科伟，马擎天，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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