一种MWT异质结太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种MWT异质结太阳能电池结构，MWT异质结太阳能电池结构依次包括正面导电TCO层、正面N型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面P型掺杂非晶硅层、背面TCO导电层，正面为绒面结构，背面为抛光面，本申请提供的上述电池的制备方法使用TCO专用蚀刻浆料进行背面正负极间导电TCO的绝缘代替激光绝缘，绝缘效果更优，降低漏电失效比例，提升良率，还可以避免激光绝缘隔离对硅基造成的损伤，提高MWT异质结电池的开压与转化效率。池的开压与转化效率。池的开压与转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种MWT异质结太阳能电池结构


[0001]本技术涉及一种适合量产的MWT异质结太阳能电池结构，属于硅基太阳能电池制造领域。

技术介绍

[0002]MWT为金属穿孔卷绕技术，应用在太阳能电池中，通过激光或者其他方法在原硅片上实现穿孔的工艺，达到将正负电极引到同一面上的目的，特有无主栅设计减少遮光面积增加电池的电流密度，提升转化效率；异质结硅基电池是一种高效的光伏电池，一般采用高少子寿命的N型硅片，结合本征非晶硅钝化层和P型非晶硅掺杂层发射极得到异质的PN结结构，整个工序工艺温度较低(～200℃)，可使用超薄硅片。但非晶硅膜层影响异质结电池对光的吸收，造成电流密度较低，MWT技术与异质结电池的结合可以相互补充，有利于获得更优的电性能结果。CN109473492A提到MWT技术要进行激光开孔，当结合异质结工艺后，在背面孔洞金属电极周边用激光刻蚀绝缘划线的方式使该孔洞金属电极区域和P型非晶硅薄膜及上面的透明导电膜(TCO)电学隔离，阻止了和背面正电极区域的短路，从而实现这种MWT异质结硅太阳电池的生产制造。但激光隔离不可避免存在热量损伤，对电池钝化具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MWT异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述电池结构依次包括正面导电TCO层、正面N型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面P型掺杂非晶硅层、背面TCO导电层，正面为绒面结构，背面为抛光面；所述电池结构上开设孔，所述孔位置为电极点，包含正面电极和负面电极；所述正面电极为丝印低温银浆层，通过制绒前在硅片上制备的孔洞，汇聚贯穿到背面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓瑞，王伟，逯好峰，吴仕梁，路忠林，张凤鸣，
申请(专利权)人：江苏日托光伏科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：