一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，包括以下步骤：（1）选择一GaAs衬底；（2）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（3）在GaAs缓冲层上制备复合缓冲层，复合缓冲层由石墨烯层和Ga

【技术实现步骤摘要】
一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法


[0001]本专利技术属于半导体薄膜
，尤其涉及一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法。

技术介绍

[0002]III
‑
V族化合物材料InP可应用于太阳电池、半导体激光器等多种光电器件。基于InP材料可以制作键合五结太阳电池，其空间光谱理论效率可达36%以上。基于InP材料还可以制作长波长半导体激光器，可应用于长波通讯、长距离探测等领域，有着巨大的市场需求。然而采用传统技术来制备InP光电材料主要是基于昂贵的InP衬底来制备，这使得InP光电器件的制造成本偏高。III
‑
V族材料中最为成熟的衬底材料是GaAs，目前GaAs衬底已经广泛地应用于半导体发光二极管（LED）和半导体激光器中。基于GaAs衬底制备InP材料可以显著降低InP光电器件的成本，但由于InP和GaAs的晶格常数相关较大，采用GaAs衬底来生长InP薄膜会引入较多的材料缺陷，还需要克服诸多技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：（1）选择一GaAs衬底（10）；（2）在所述GaAs衬底（10）上生长GaAs缓冲层（20）；（3）在所述GaAs缓冲层（20）上制备复合缓冲层（30），所述复合缓冲层（30）由石墨烯层（31）和Ga
x
In1‑
x
P材料层（32）交替生长形成，最下层为所述石墨烯层（31），最上层为所述Ga
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In1‑
x
P材料层（32）；（4）在所述复合缓冲层（30）上生长InP薄膜（40）。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（3）中，每层所述Ga
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In1‑
x
P材料层（32）为不同组分材料形成。3.根据权利要求1所述方法，其特征在于：在步骤（3）中，所述石墨烯层（31）中石墨烯原子层数为2
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5层，所述Ga
x
In1‑
x
P材料层（32）中每层的Ga组分x由...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏飞，王岩，罗帅，季海铭，
申请(专利权)人：江苏华兴激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：