介质图形化衬底结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种介质图形化衬底结构，包括蓝宝石衬底及介质图形化层，介质图形包括多个凸起和/或多个凹槽，介质图形之间相互连接，或介质图形均沿相同方向相互独立地横跨于蓝宝石衬底上，或位于介质图形之间的介质层相互连接。本实用新型专利技术的介质图形化衬底结构在用于制作功率器件时，在生长衬底表面生长GaN等外延层的过程中，介质图形表面不会生长外延材料，而只能通过介质图形之间显露出的衬底上表面的生长面生长，之后再侧向外延生长，从而可以有效减少因衬底材料与GaN外延层之间存在较大晶格失配和热膨胀系数失配而导致生长过程中出现的高翘曲度和高位错密度等问题，且此衬底结构有利于后续器件特殊结构的制作。底结构有利于后续器件特殊结构的制作。底结构有利于后续器件特殊结构的制作。

【技术实现步骤摘要】
介质图形化衬底结构


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种介质图形化衬底结构。

技术介绍

[0002]第三代半导体(即采用宽禁带半导体材料的半导体产业领域，禁带宽度大于2.2eV，亦被称为高温半导体材料，较为成熟的是SiC和GaN半导体材料。作为半导体产业的重要组成部分，在高速、高频、高压领域具有关键的应用，其发展壮大对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义，是当前世界各国科技竞争的焦点之一。世界各国在第三代半导体领域都处于起步阶段，该领域中国加快步伐，极有可能弯道超车，获得领先地位。
[0003]氮化镓(GaN)是近年来发展最为迅速也是最热门的第三代半导体材料之一。由于GaN的化学性质稳定，耐高温，直接带隙宽度大，高频大功率等特点，能够很好地弥补Si和AsGa等半导体材料的缺点，因而成为下一代半导体材料器件的主要应用材料，是国内外研究的热点。
[0004]GaN外延技术目前面临的挑战主要包括：1)衬底材料与GaN外延层之间存在较大晶格失配和热膨胀系数失配，从而导致生长过程中的高翘曲度和高位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种介质图形化衬底结构，其特征在于，所述介质图形化衬底结构包括蓝宝石衬底及位于所述蓝宝石衬底上的介质图形层，所述介质图形层包括介质层，所述介质层上形成有介质图形，所述介质图形包括多个凸起和/或多个凹槽，所述介质图形之间相互连接，或所述介质图形均沿相同方向相互独立地横跨于所述蓝宝石衬底的上表面，或位于所述介质图形之间的介质层相互连接。2.根据权利要求1所述的介质图形化衬底结构，其特征在于，所述介质图形包括多个相互独立的凹槽，所述凹槽贯穿所述介质层，位于所述凹槽之间的介质层相互连接。3.根据权利要求2所述的介质图形化衬底结构，其特征在于，所述凹槽的平面形貌包括圆形和/或多边形，所述多个凹槽在所述介质层上均匀间隔分布。4.根据权利要求1所述的介质图形化衬底结构，其特征字在于，所述介质图形包括多个凸起，所述多个凸起相互连接。5.根据权利要求4所述的介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，吴昊，马艳红，陈朋，张楠，袁根如，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：