一种异质外延单晶金刚石复制生长方法技术

本发明专利技术公开了一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，在第一异质外延衬底上制备晶向为(001)的第一Ir膜层；在第一Ir膜层的第一表面制备出(001)方向的第一外延金刚石核；使第一外延金刚石核外延生长，在第一Ir膜层的第一表面上形成(001)方向的第一单晶金刚石，得到第二外延衬底；清洗第二外延衬底，得到Ir/Dianomd衬底；在第一Ir膜层的第二表面上制备第二外延金刚石核；使第二外延金刚石核在MP

【技术实现步骤摘要】
一种异质外延单晶金刚石复制生长方法


[0001]本专利技术属于异质外延单晶金刚石的制备方法，尤其涉及一种异质外延单晶金刚石复制生长方法。

技术介绍

[0002]金刚石是一种宽禁带半导体，其极端热导率为2200W/m/K，电子迁移率(电子4500，空穴3800cm2/Vs)对新型量子和高功率电子器件具有重要意义。
[0003]由于金刚石在Ir薄膜上形核的特殊模式，使得Ir上外延生长的单晶金刚石具有成核密度高，结晶取向一致性好的特点，故而铱已经成为单晶金刚石晶圆制备的最重要镀层衬底材料。
[0004]在铱上的生长总是意味着在另一衬底上外延生长铱层。而外延生长的单晶金刚石在生长的过程中会与衬底产生热应力以及热应变，尤其随着异质外延单晶金刚石面积的增大，热应力造成的影响会越来越大，这会严重影响异质外延单晶金刚石的质量。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，以降低外延生长的单晶金刚石与衬底之间的热应力和热应变，提高异质外延单晶金刚石的质量。
[0006]本专利技术采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一异质外延衬底上制备晶向为(001)的第一Ir膜层；在所述第一Ir膜层的第一表面制备出(001)方向的第一外延金刚石核；使所述第一外延金刚石核外延生长，在所述第一Ir膜层的第一表面上形成(001)方向的第一单晶金刚石，得到第二外延衬底；清洗所述第二外延衬底，得到Ir/Dianomd衬底；在所述第一Ir膜层的第二表面上制备第二外延金刚石核；使所述第二外延金刚石核在MP
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CVD中生长，得到第二单晶金刚石。2.如权利要求1所述的一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，其特征在于，得到Ir/Dianomd衬底后还包括：在所述第一Ir膜层的第二表面进行Ir磁控溅射。3.如权利要求1所述的一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，其特征在于，清洗所述第二外延衬底包括：使用H2SO4和HNO3混合溶液对所述第二外延衬底进行清洗，去除第一异质外延衬底，获得Ir/D...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏强，林芳，张晓凡，陈根强，王宏兴，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：