江苏大学专利技术

江苏大学共有25611项专利

  • 本发明公开了一种基于自适应模型预测控制的智能汽车轨迹跟踪和稳定性控制系统及方法,提出了自适应预瞄误差模型、自适应遗忘因子递归最小二乘估计器和集成控制器,针对常规预瞄模型只根据车速改变预瞄距离的问题,考虑了路面附着系数对智能汽车影响,设计...
  • 本发明涉及一种流道自动切换的喷头,包括喷头体和喷头外壳,喷头外壳包括第一喷头外壳和第二喷头外壳,第一喷头外壳上设有锥形喷嘴,第二喷头外壳上设有喷雾出水口和折射壁面;喷头体嵌套在第一喷头外壳和第二喷头外壳内部,喷头的外壁面与第一喷头外壳的...
  • 一种Sr,Zr,Ti,Y,Ce五元复合微合金化的780MPa超高强度超耐晶间腐蚀铝合金,其特征在于:它主要由铝、锌、镁、铜、锶、锆、钛、钇、铈组成。该合金的制备依次包括:(1)熔铸;(2)均质化处理;(3)热挤压(温度400℃、挤压比1...
  • 一种600MPa强度级高强度高抗晶间腐蚀SiCw增强铝基复合材料及制备方法,其特征在于:它主要由碳化硅晶须(SiCw)、商业2124Al和自制的Ti合金化2000系铝合金组成。该复合材料的制备依次包括:(1)复合材料粉制备;(2)复合材...
  • 一种Sr Zr Ti Ce四元复合微合金化高强度高塑性抗晶间腐蚀铸造铝合金及制备方法,其特征在于:主要由铝(Al)、硅(Si)、铜(Cu)、镁(Mg)、锶(Sr)、锆(Zr)、钛(Ti)和铈(Ce)组成,其中,硅的质量百分比为6.52~...
  • 本发明公开了一种线控四轮转向车辆稳定性控制方法,属于车辆转向控制领域。将采集到的车辆横摆角速度信号和理想横摆角速度作为自抗扰控制器的输入信号,以跟踪理想横摆角速度为目标,经计算得出要保障横摆角速度跟踪所需的附加前轮转角,用以对前轮转角进...
  • 本发明公开了一种新型无人机参数调试平台及调试方法,由铝型材主体,滑杆结构,球头结构,滑块导轨结构和激光测距仪组成。调试架主体由横竖外标准铝型材外加四根斜铝型材搭建而成,铝型材之间由45
  • 本发明属于生物医药技术领域,提供了一种增强细胞干性的小分子组合物及其应用,所述小分子组合物包括β
  • 本发明属于材料制备及催化反应技术领域,涉及脱硫催化剂,特别涉及一种溶胶
  • 本发明提供一种废弃口罩生物炭包、复合生物炭及生物油和制备方法,该方法包括以下步骤:将废弃的一次性医用口罩经过回收后,消毒处理,将消毒后的废弃口罩过滤层和内层做茶包式样;将以生物质为原料制备的生物炭放入所述茶包式样中并进行封口,即得到废弃...
  • 本发明涉及一种提高水翼空化流致振动特性的控制结构,属于流体机械领域。所述水翼沿翼型弦长方向中间腰线位置,在水翼吸力面上向下游依次设置锯齿形阻流器结构与锯齿形沉降槽结构;锯齿形阻流器结构与锯齿形沉降槽结构错峰布置;锯齿形阻流器与锯齿形沉降...
  • 本发明属于食品包装膜技术领域,具体涉及一种具备高抗菌性能的可食性益生菌纳米乳膜的制备方法。取益生菌菌粉加入MRS液体培养基中,经培养、离心、重悬,得到益生菌悬浮液;将其和甘油混合,得到水相;然后将疏水性物质和表面活性剂混合,得到油相;再...
  • 本发明属于生物化学、环境检测和食品安全中对AFB1的检测技术领域,公开了Au
  • 本发明涉及一种应用双调磁环装置的Halbach阵列磁力齿轮。其由外磁转子总成、调磁装置总成和内磁转子总成组成。调磁装置采用双层调磁结构,内、外层调磁块安装成一体,提高磁力齿轮的转矩性能,利用外层调磁块,提高气隙磁密,增加永磁体利用率;外...
  • 本发明提供了一种氯氧铋/二硫化钼复合光催化剂及其制备方法和应用,属于光催化剂制备和环境保护技术领域;在本发明中,将Bi
  • 本发明公开一种高速工况下的网联电动汽车车辆区域自组织节能控制系统及方法,车辆i当前行驶模式为单车行驶模式,当道路区域内车辆总数≥设定值且车辆类型相同时,下一行驶模式为编队行驶模式,否则为单车行驶模式,在单车行驶模式时,将车辆i当前行驶模...
  • 本发明提供一种结合光伏发电的藻类收集与净水装置和方法,包括藻类收集箱、净水箱、照明调节装置、水位调节装置、温度调节装置、光伏发电装置、抽藻装置和控制单元;带有微藻的水体进入收集箱,对微藻进行繁殖培养,净化污水,净化后污水过滤微藻后再被喷...
  • 本发明提供了一种可实现刚性约束层下多次激光喷丸成形的装置及方法,包括运动系统、激光喷丸强化系统、激光加热升温系统、颗粒流动系统和工作槽,所述工作槽内安装待加工工件,所述工作槽和颗粒流动系统连通形成一个闭环,通过颗粒流动系统使带电荷的黑漆...
  • 本发明提供了一种表面空间光场分布可调控的半极性面发光二极管,在衬底上采用半导体外延和沉积技术制备的半极性面LED结构,所述半极性面LED结构沿着衬底生长方向依次为本征GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层和透明导电层。本发明可...
  • 本发明公开了一种用户