加利福尼亚大学董事会专利技术

加利福尼亚大学董事会共有1876项专利

  • 本发明描述一种用于沉积导电聚合物纳米结构、尤其是碳纳米结构的纳米结构以及它们的组合物的方法。该工艺包括将所述纳米结构放入液态组合物中,所述液态组合物包括水相和有机相的不混溶的组合物。以足够的时间混合该混合物以形成乳液,然后使其静止且不受...
  • 具有可到达的金属表面的金属胶体
    本发明提供络合物,其中配位体(例如,杯芳烃相关化合物)与例如金胶体的金属胶体配位。在示例性实施方案中,与所述金属胶体络合的两个或更多个配位体比所述金属胶体大,因此提供可到达的金属中心。所述络合物可固定在基底上。本发明的络合物可用作在分子...
  • 本发明提供了根据个体的遗传构成确定用于个体的一种或多种辅因子如维生素的方法和系统,该方法和系统包括检测至少一种遗传变异体的存在或不存在,确定患辅因子可补救病症的倾向,根据该遗传变异体制定个性化的营养建议计划。本发明也提供了由个体的遗传构...
  • 本发明涉及二芳基硫代乙内酰脲化合物及合成它们和在治疗激素难治的前列腺癌中使用它们的方法。
  • 本发明提供其中杯芳烃相关化合物与含铱金属胶体配位的络合物。所述络合物可固定在基底上。本发明的络合物可用作在分子的结合和化学反应的催化方面得到应用的可调节且高度耐用的分离的金属胶体。
  • 本发明提供了用于测定试剂的致诱变性质的方法、系统和试剂盒。所述方法系统和试剂盒利用DEL选择标记和比色检测系统。还包括利用DEL选择标志物和检测线粒体活性的试剂的方法系统和试剂盒。
  • 本发明为用于光伏器件的多频带半导体组合物。使用氧离子注入和脉冲激光熔融相结合的方法合成了高度错配合金Zn1-yMnyOxTe1-x(0≤y<1并且0<x<1)以及其他的第II-IV族的氧注入合金。少量等价氧的掺入导致了狭窄的、位于Zn1...
  • 本发明涉及一种穹窿体复合物的组合物,所述穹窿体复合物包含重组细胞因子融合蛋白,其含有细胞因子和靶向作用于穹窿体的结构域,以及使用穹窿体复合物向细胞或对象递送细胞因子的方法,以及使用所述组合物治疗癌症,如肺癌的方法。
  • 本发明公开了使用具有烯烃部分的激酶抑制剂来抑制激酶的方法。
  • 公开了用于测量以及降低或阻止输乳管中流体运动、检测乳腺中的疾病状况以及对其进行治疗的装置、系统和方法。这样的技术、方法和装置适用于包括癌的多种病症。
  • 本文公开的发明涉及用于制备辛伐他汀和相关化合物如胡伐他汀的方法和材料。本公开具体教导LovD酰基转移酶多肽的变体可经工程改造以显示促进其用于生成辛伐他汀和/或胡伐他汀的性质。设计本文所述材料和方法从而能用最少改动将现有产洛伐他汀的发酵设...
  • 本文提供了嘧啶并-吡咯并-喹喔啉二酮(PPQ)化合物,以及包含这些化合物的组合物,所述化合物抑制囊性纤维化跨膜传导调节因子(CFTR)-介导的离子运输,并用于治疗与异常增加的CFTR氯化物通道活性有关的疾病和病症。将本文所述的化合物和包...
  • 在此提供了多种组合物,在这些组合物中合成了带有多光子响应要素和自消融低聚物的树枝状化合物和/或纳米颗粒。通过照射这些组合物,可以将这些组合物用于选择性地在组织内递送有效负载物。这些组合物还可以用于放大对于照射的灵敏度。
  • 本发明提供了在黑素细胞瘤中检测GNA11基因的突变的方法,用于诊断和预后目的。本发明还提供了通过调节突变的GNA11基因的活性治疗这种黑素细胞瘤的方法。
  • 本发明涉及包含氨基酸序列X1DGRX5GF(SEQ?ID?NO:1)的膀胱癌特异性配体肽和其使用方法,例如,用于膀胱诊断的成像检测、用来指导膀胱癌经尿道切除术的肿瘤定位、能够代替或补充昂贵的膀胱镜检查的初始治疗后随访的膀胱癌成像检测、转...
  • 用于通过在生物样本(例如呼出气)中组织分解产物的产生来测定休克和多器官衰竭的早期发作的材料和方法。
  • 通过靶向的乙烯信号传导的减少来增加谷物产量,本发明涉及植物遗传工程。具体地,本发明涉及通过抑制乙烯产生绿叶并增加产量。本发明的组合物与方法涉及干扰乙烯信号传导的显性负性乙烯受体。
  • 本发明涉及制造具有改良光提取效率的发光二极管的方法,其包括通过从水性溶液生长多个氧化锌ZnO纳米棒在基于III-氮化物的LED的一个或一个以上表面上沉积所述ZnO纳米棒,其中所述表面与III-氮化物的c-平面表面不同且透射由所述LED生...
  • 一种光电子装置,其包括:有源区域和波导结构,所述波导结构用以提供对从所述有源区域所发射光的光学限制;位于所述装置的相对端上的一对小面,其具有相反表面极性;和已通过结晶学化学蚀刻工艺实施粗糙化的小面中的一者,其中所述装置为基于非极性或半极...
  • 在非极性或半极性(Al,Ga,In)N器件上制造p型接触的方法包括步骤:在(Al,Ga,In)N器件上生长p型层,其中(Al,Ga,In)N器件是非极性或半极性(Al,Ga,In)N器件,且p型层是非极性或半极性(Al,Ga,In)N层...