华东师范大学专利技术

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  • 本发明涉及一种E3连接酶DCAF15小分子配体化合物,以及含有它们的双官能团化合物。根据本发明描述,该类双官能团化合物是基于蛋白降解靶向嵌合体(PROTAC)技术用作靶蛋白的降解剂。本发明描述了这样一类双官能团化合物,一端含有与E3连接...
  • 本发明公开了一种促进泥炭藓假根生长的方法,该方法为向培养基中加入80nM~1μM浓度的NAA(α
  • 本发明提出了一种基于可见光LED的无线数据收发电路,包括:发射电路,其包括高速栅极驱动器和高速N型MOS管,用于将高速数据信息转化为快速变化的电流从而使光源发光,光照的亮度也会随数据波形的占空比而改变;接收电路,其包括光电检测器、跨阻放...
  • 本发明提出了一种基于物联网的无人机监控系统,包括:状态检测模块,所述状态检测模块包括姿态检测模块及GPS模块,用于实时检测无人机的地理位置以及飞行高度参数;NBiot物联网模块,其核心为QUECTEL BC-28芯片;Arduino模块...
  • 本发明公开了一种利用雄甾-5-烯-17-酮化学还原反应固体废弃物中分离得到的雄甾烷-3β-羟基-17-酮-6α-硼酸经酯化、氧化、磺酸酯化、消除四步反应制备3β-乙酰氧基雄甾-5-烯-17-酮的方法。本发明的方法可将甾体固体废弃物有效回...
  • 本发明公开了基于神经网络视觉触觉传感器融合的手势识别系统,所述手势识别系统包括:视觉传感器、体感传感器、手套和手势识别模块;所述体感传感器设置于手套内,所述视觉传感器和所述体感传感器分别与所述手势识别模块连接;所述手势识别模块用于根据所...
  • 本发明公开了一种片上CAN控制器调试系统,该系统由CAN控制器(及其连接到的CAN总线)、UART串口模块、Arm CortexM3内核(及其ITCM、DTCM两块SRAM)、AMBA总线模块(包含AHB总线矩阵、APB互联矩阵以及AH...
  • 本发明公开了一种在有限视图下的气体场景端到端快速重建方法,其特点是气体场景端到端快速重建方法,具体包括:1)生成初步的估计密度场;2)重建速度场;3)优化密度场;4)根据气体场景的重建物理场,产生更吸引人的结果和更丰富的视觉细节效果。本...
  • 本发明公开了一种个性化定制的微针美容面罩及制备方法,本发明采用3D扫描技术,获得精准的个性化的面部特征信息,采用3D打印技术制作出符合个人面部特点的上模具及下模具,采用激光技术在上模具上针对性地刻蚀微针孔,通过热压成型工艺,制造出符合每...
  • 本发明公开了一种基于数据驱动的流体动画参数估计与细节增强方法,其特点是流体动画参数估计与细节增强具体包括:基于卷积神经网络的流体物理参数估计、基于欧拉法的重仿真或流体动画设计和基于卷积神经网络的流体动画细节增强等步骤,利用参数估计获取的...
  • 本发明公开了一种面向区块链多通道状态数据的聚集结构树方法,其特点是采用通过访问聚集结构树来访问状态数据的方法,在多通道环境下,将各个通道状态树的根节点经过哈希计算,将得到的值作为叶子节点自下向上生成一棵默克尔二叉树,通过访问聚集结构树来...
  • 本发明公开了一种防止智能设备失窃后被拆解利用的方法,其特点是采用智能设备的唯一标识信息构建的数据库进行数据匹配,根据匹配结果向用户发出设备安装有不合法来源的硬件零部件的警告,并可暂停响应用户操作,具体包括:信息采集、构建数据库以及数据匹...
  • 本发明涉及电子器件技术领域,特别涉及一种二维材料电子器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法,包括以下步骤:在绝缘衬底的表面从下到上依次制备二维材料层、刻蚀阻挡层和石墨烯层,得到第一中间产物;所述刻蚀阻挡层的面积分别小于二维材料层和...
  • 本发明提供了一种整体式钛沸石催化剂制备方法及其应用,其特点是将无定形硅基粘结剂和高分子造孔剂混入MWW钛沸石粉体,加水搅拌捏合,机械成型焙烧之后,再浸入复合环状含氮有机物的水溶液中密封加热,经过过滤、干燥、焙烧之后,得到整体式丙烯连续环...
  • 本实用新型公开了一种TEM样品承载装置,包括基底(10)和附连元件,所述基底和附连元件分体设置;所述基底(10)轮廓为一半圆环结构;所述基底(10)和所述附连元件粘连在一起,所述附连元件粘连在所述基底(10)半圆环结构的两翼上;所述附连...
  • 本实用新型公开了一种TEM样品承载装置,包括附连元件(11),所述附连元件(11)形成于基底(10)的一个侧面,附连元件(11)上粘接附连样品(12),附连样品(12)的一个表面正对离子束,基底(10)旋转90度后,附连样品(12)的另...
  • 本发明涉及人工智能技术领域,具体涉及一种人机混合决策的机器行为在冲突中的协调方法,包括机器计算的超车收益Rvehicle以及人认为的超车收益Rhuman,Rvehicle=
  • 本发明公开了一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法,所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。其制备方法首先使用机械剥离法用英格兰蓝色胶带从二维材料块材上剥离薄膜到Gelpak机械剥离专用PF凝胶膜,选择合适厚度且表面均匀的材料转移...
  • 本发明公开了一种单晶磁性/铁电多层膜异质结及制备方法和应用,该多层膜异质结由下至上依次为单晶铁电衬底、单晶缓冲层、单晶磁性层以及保护层。在衬底与磁性层间插入缓冲层能间接减小衬底与磁性层间的晶格失配,从而在单晶铁电衬底上外延生长单晶磁性层...
  • 本发明公开了一种有机盐掺杂P型有机薄膜晶体管及其制备方法,所述P型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极,再在金电极上利用溶胶凝胶法制备一层有机盐掺杂后的P型有机半导体有源层,并在...