一种TEM样品承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种TEM样品承载装置，包括附连元件(11)，所述附连元件(11)形成于基底(10)的一个侧面，附连元件(11)上粘接附连样品(12)，附连样品(12)的一个表面正对离子束，基底(10)旋转90度后，附连样品(12)的另一个表面正对离子束，离子束不会被基底(10)的一部分遮挡住。本实用新型专利技术的TEM样品承载装置适用于加工附连样品的多个表面，实现了同一个附连样品，多区域TEM观测功能。多区域TEM观测功能。多区域TEM观测功能。

【技术实现步骤摘要】
一种TEM样品承载装置


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种TEM样品承载装置。

技术介绍

[0002]材料科学和半导体技术的发展，常常需要对特定区域或半导体器件的微结构进行分析，其特征尺寸往往只有纳米级，因此需要借助TEM(透射电子显微镜)纳米级乃至原子级的图像能力进行观测，此时需要借助FIB(聚焦离子束)进行TEM样品制备。FIB的离子枪通常处于固定状态，制备样品时，通常会使用多轴样品台旋转样品所在的栅格，以使样品的某个方向处于特定的FIB加工位置。现有的TEM样品承载装置在配合FIB制备TEM样品时，往往只能制备针对某一个方向的薄区，需要进行两个方向，尤其是对样品深度方向进行观测时，现有的TEM样品承载装置无法很好地满足需求。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有TEM样品承载装置的不足，本技术提供了一种TEM样品承载装置，用于解决现有样品承载装置中无法同时对一个样品的多个表面进行FIB加工的局限。
[0004]一种TEM样品承载装置，包括附连元件11，所述附连元件11形成于基底10的一个侧面，附连元件11上粘接附连样品12，附连样品12的一个表面正对离子束，基底10旋转90度后，附连样品12的另一个表面正对离子束，离子束不会被基底10的一部分遮挡住。
[0005]所述的TEM样品承载装置，所述基底10为圆弧形板状结构，其具有两个相互垂直的直线侧边，在圆弧形板状结构的一条直线侧边上掏挖形成凹槽后，剩余的与另一条直线侧边平行或重合的部分形成为所述附连元件11；r/>[0006]所述的TEM样品承载装置，附连样品12与附连元件11的粘接位置位于附连元件11的左侧或上方。
[0007]所述的TEM样品承载装置，圆弧形板状结构的直线侧边的末端为左翼A和右翼B，附连元件11处于基底10的左翼A和右翼B连线的外侧，且圆弧形板状结构的外轮廓圆心也位于该连线的外侧。
[0008]所述的TEM样品承载装置，所述圆弧形板状结构的外轮廓圆直径为3mm。
[0009]如上所述，本技术的TEM样品承载装置克服了现有技术中样品承载装置的结构不适合对同一个样品的多个表面进行FIB加工的局限，且具有以下有益效果：
[0010]1、所述基底外轮廓在离子束投影方向上不会阻档所述附连样品的加工表面；适用于加工附连样品的多个表面，实现了同一个附连样品，多区域TEM观测功能。
[0011]2、所述基底外轮廓在束诱导沉积时不会阻挡气体导管的进出路径，避免基底变形。
附图说明
[0012]图1为本技术的TEM样品承载装置的主视图；
[0013]图2为本技术的TEM样品承载装置和附连样品的主视图；
[0014]图3为图2的立体示意图；
[0015]图4为图2所示结构旋转90度后的示意图；
[0016]图5为附连元件11在圆弧形板状结构中的位置示意图；
[0017]图6为图4所示结构的立体示意图；
[0018]元件标号说明
[0019]10
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基底；
[0020]11
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附连元件；
[0021]12
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附连样品；
[0022]13
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离子束方向；
具体实施方式
[0023]以下结合具体实施例，对本技术进行详细说明。
[0024]请参阅图1-6，本技术提供一种TEM样品承载装置，包括附连元件11，所述附连元件11形成于基底10的一个侧面，附连元件11上粘接附连样品12，附连样品12的一个表面正对离子束，基底10旋转90度后，附连样品12的另一个表面正对离子束，离子束不会被基底10的一部分遮挡住。
[0025]优选的，所述基底10为圆弧形板状结构，其具有两个相互垂直的直线侧边，在圆弧形板状结构的一条直线侧边上掏挖形成凹槽后，剩余的与另一条直线侧边平行或重合的部分形成为所述附连元件11；
[0026]附连样品12与附连元件11的粘接位置位于附连元件11的左侧，当然也可以在附连元件11的上方。
[0027]优选地，圆弧形板状结构的直线侧边的末端为左翼A和右翼B，附连元件11处于基底10的左翼A和右翼B连线的外侧(图5)，且圆弧形板状结构的外轮廓圆心也位于该连线的外侧，即可获得相对大圆弧尺度的基底10外轮廓以方便装载，又可保证水平和顺时针旋转90度后，基底10的外轮廓不影响离子束的加工路径。
[0028]优选地，所述圆弧形板状结构的外轮廓圆直径为3mm大小，和TEM样品杆中的垫圈直径一致。
[0029]优选地，所述基底10旋转90度后，此时附连样品12的左侧面跟随旋转，从而替代原来附连样品12的上表面，正对离子束方向，因此离子束可加工附连样品12的左侧面。
[0030]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TEM样品承载装置，其特征在于，包括附连元件(11)，所述附连元件(11)形成于基底(10)的一个侧面，附连元件(11)上粘接附连样品(12)，附连样品(12)的一个表面正对离子束，基底(10)旋转90度后，附连样品(12)的另一个表面正对离子束，离子束不会被基底(10)的一部分遮挡住。2.根据权利要求1所述的TEM样品承载装置，其特征在于，所述基底(10)为圆弧形板状结构，其具有两个相互垂直的直线侧边，在圆弧形板状结构的一条直线侧边上掏挖形成凹槽后，剩余的与另一条直线侧边平行或重合的部分形...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟超荣，贾奕柠，雷炜斌，黄荣，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：新型
国别省市：