本实用新型提供一种飞机、火车用消毒机器人，涉及卫生消毒技术领域，包括箱体，箱体的下端固定连接有自锁式万向轮，箱体的内壁设置有两个对称设置的光触媒消毒装置，光触媒消毒装置包括第一紫外灯，第一紫外灯与箱体的内壁固定连接，箱体的内壁固定连接有...

本实用新型公开了一种Si基垂直LED芯片，从下往上依次包括第一衬底层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、反射层、电流阻挡层、键合层、键合金属层和第二衬底层；其中，键合金属层为厚度比为0.15～0.2：1的Ni和Sn。能有效解决传统...

本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p

本发明公开了一种LED半导体晶片的多片键合结构，包括上下压头、左右正负极贴块和半导体晶片载具；上下压头连着油泵或者气泵，可上下升降，提供压力，对载具内的半导体晶片进行压合，并且上下压头都设置有冷却系统和温度感应器，可对载具内的半导体晶片...

本发明提供一种飞机、火车用消毒机器人，涉及卫生消毒技术领域，包括箱体，箱体的下端固定连接有自锁式万向轮，箱体的内壁设置有两个对称设置的光触媒消毒装置，光触媒消毒装置包括第一紫外灯，第一紫外灯与箱体的内壁固定连接，箱体的内壁固定连接有光触...

本发明公开了一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法，包括以下步骤：通过自动减薄机将LED芯片的硅晶圆进行磨削，磨削的速度不大于0.3μm/s，磨削后所剩余的晶圆厚度控制在170～300μm之间；通过丙酮清洗磨削后的硅晶圆，洗掉磨削后表面的有机物和...

本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、钝化层和N电极；其中，反射层包括金属反射层和绝缘反射层，金属反射层的底面与...

本发明公开了一种Si基垂直LED芯片及其制备方法，从下往上依次包括第一衬底层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、反射层、电流阻挡层、键合层、键合金属层和第二衬底层；其中，键合金属层为厚度比为0.15～0.2：1的Ni和Sn。能有效...