一种垂直结构LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种垂直结构LED芯片，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED芯片


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种垂直结构LED芯片。

技术介绍

[0002]目前发光二极管(Light Emitting Diode，LED)已广泛用于室内外照明，室外照明、车灯以及手持照明等应用领域。发光二极管(Light Emitting Diode，LED) 是靠PN结把电能转换成光能的一种器件，具有可控性好、启动快、寿命长、发光效率高、安全、节能环保等优点，不仅带动照明产业的深刻变革，同时还引领着显示屏领域的创新。随着LED产业的发展，大功率LED越来越受到人们的青睐。随着使用功率的提高，单位面积上注入的电流也要求越来越大。
[0003]然而，由于制作LED本身的半导体材料特性所限，较大的电流密度会导致大功率LED局部区域电流拥堵，使得大功率LED发光面上发光不均匀，发光效率低。大功率LED发光面发光不均匀，不仅会降低LED的发光亮度，同时会使得大功率LED芯片发光光斑出现明暗相间的现象，部分区域较亮，部分区域形成暗带。严重影响对光斑有较高要求的使用领域，如汽车车灯、手电筒等照明市场。可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p
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GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n
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GaN层、钝化层和N电极；其中，反射层包括金属反射层和绝缘反射层，金属反射层的底面与保护层的上面连接，绝缘反射层设置在金属反射层的两端且与保护层连接；所述金属反射层为Ag、Ti和Ni中的一种，所述绝缘反射层为SiO2、Si3N4、TiO2、Ti3O5中的一种。2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述粘结层为Cr、Ti、Ni、Al、Pt和Au中的一种，粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市天和第三代半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：