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霍尼韦尔国际公司专利技术
霍尼韦尔国际公司共有5140项专利
溅射沉积薄膜的均匀固溶体合金制造技术
本发明包括设有溅射面的溅射部件。至少99原子%的溅射面是单相,单相对应于两种或多种元素形式的元素的固溶体相。另外,溅射部件的总体积也由单相组成,其与两种或多种元素形式的元素的固溶体相对应。本发明还涉及采用还原工艺,电解工艺和碘化物法中的...
高纯镍/钒溅射构件和制备溅射构件的方法技术
一种镍/钒溅射构件包含至少99.99重量%的镍和钒,不包括气体。
五氟丁烷和水的类共沸组合物制造技术
本发明提供一种1,1,1,3,3-五氟丁烷(“HFC-365mfc”)和水的共沸或类共沸组合物,其在环境上适宜用作发泡剂和溶剂。
用于加强冷却并降低挠曲和变形的靶设计及相关方法技术
一种溅射靶,包含:包含靶材料的靶表面元件;具有耦合表面和支撑表面的中心支撑元件,其中耦合表面耦合到靶表面元件上,和至少一个表面面积特征耦合到或位于中心支撑元件的支撑表面,其中该表面面积特征增加了中心支撑元件的有效表面 ...
制备溅射靶材料的方法技术
本发明包括降低材料晶粒大小的方法和形成溅射靶的方法。本发明包括制备溅射靶材料的方法,其中以至少5%的加工百分比和至少100%/秒的加工速率对金属材料进行塑性加工。在具体应用中,所述金属材料包括铝、铜和钛的一种或多种。
用于扩散粘接靶和背板的方法技术
本发明包括用于使第一物质和第二物质连接的方法。提供第一材料的第一物质和第二材料的第二物质,并在物理接触下使其彼此相连。此时第一和第二物质被相互扩散粘接,同时在第二物质中产生第二材料的颗粒。所述扩散粘接包括在第一物质和第二物质之间的固态扩...
形成含铝物理气相沉积靶的方法;溅射薄膜;和靶的构成技术
本发明包括一种形成含铝物理气相沉积靶的方法。通过等通道角度挤压使含铝块变形。该块是至少99.99%的铝并且进一步含有小于或等于约1000ppm的一种或多种掺杂材料,该掺杂材料包括的元素选自Ac、Ag、As、B、Ba、Be、Bi、C、Ca...
包括钛和锆的物理汽相淀积靶件和使用方法技术
本发明涉及包括钛和锆的物理汽相淀积靶件。这些靶件在整个靶件表面上和厚度中具有均匀的组织结构;与高纯度钛和钽比较还具有增加的机械强度。使用该溅射靶件溅射淀积一薄膜,这一薄膜可用作铜阻挡层。
溅射靶制造技术
本发明在此描述了涉及可被用来形成钛合金溅射靶的新型含钛材料。该钛合金溅射靶可以在含氮空气中进行反应溅射而形成一个TiN合金膜,或者在含氮及含氧的溅射空气中进行溅射,从而形成一个TiON合金膜。与用于薄膜Cu势垒层的TaN相比,根据本发明...
含钼和铝的组件以及在成形靶/背衬板组件中使用中间层的方法技术
本发明包括一种具有物理气相沉积靶(102)的组件(130),其通过层(104)与背衬板(120)分开,该层主要由钼和钽中的一种或两种构成。本发明还包括一种组件,该组件包括一至少含铝99.9%的背衬板,该铝背衬板通过具有至少约6000镑/...
形成钛基和锆基混合金属材料的方法和溅射靶技术
本发明包括利用还原过程、电解过程和碘化物过程中的一个或多个过程形成钛基混合金属材料和锆基混合金属材料的方法。本发明还包括含有锆和选自由Al,B,Ba,Be,Ca,Ce,Co,Cs,Dy,Er,Fe,Gd,Hf,Ho,La,Mg,Mn,M...
特定拓扑结构的溅射靶制造技术
在标准靶构形中,溅射原子以大角度分布,产生不均匀的膜并且梯级覆盖率差,主要原因是溅射原子的通量未加以准直以及圆片(220)的中心区较之圆片的边沿经受更高的溅射原子通量。这里所述的溅射靶(210)在布局和外形上做了处理,使得溅射原子直接以...
物理汽相淀积靶及形成方法技术
一种方法,包括结合固体第一材料和固体第二材料并熔化第一材料的至少一部分至足以覆盖第二材料和任何剩余第一材料。可形成遍及该液相的第一材料的近似均匀分布的第二材料。第一材料液相接着可被固化以确定呈现为固化的第一材料基质中的近似均匀分布的固体...
物理气相淀积元件及形成方法技术
一种物理汽相淀积元件形成方法,包括在元件中引起足够量的应力,以与引起应力之前所述元件表现出的通量相比,增大磁通量。该方法可还包括在引起应力之前以(200)确定元件的主要晶体结构取向,其中,引起的应力自身不足以大大改变表面晶粒外观。取向结...
高强溅射靶及其制造方法技术
介绍一种高质量溅射靶及其采用等槽角状挤压的制造方法。
形成铸锭的方法技术
本发明包括一种形成金属体的方法。制备具有原始厚度的金属材料锭,对该金属锭进行热锻压。对热锻压后的产品进行淬火,使金属材料的平均晶粒尺寸固定在小于250微米。淬火后的材料用于形成三维物理气相沉积靶。本发明还包括一种形成铸锭的方法。在一特定...
薄膜和采用ECAE-靶形成薄膜的方法技术
本发明包括形成阻挡层的方法。从ECAE靶上将材料烧蚀下来形成一个层,该层在基底表面上的厚度偏差小于或等于约1%1-西格玛。本发明包括形成隧道接合的方法。在第一和第二磁性层之间形成薄膜。相对于采用非ECAE靶形成的对应层而言,通过将材料从...
铜溅射靶和形成铜溅射靶的方法技术
本发明包括一种含铜溅射靶。该靶是单块的或连接的,含至少99.99重量%铜并具有1-50微米的平均粒径。该含铜的靶的屈服强度大于或等于约15ksi,布氏硬度(HB)大于约40。本发明包括基本由少于或等于约99.99重量%铜和总量为至少10...
PVD靶和处理PVD靶的方法技术
本发明包括具有非溅射区域(如侧壁(14))和沿非溅射区域形成粒子捕集特征的PVD靶。在特别的方面,粒子捕集特征可包括形成贮器的弯曲突起(22)型式,并可在弯曲突起上包括微结构。靶可为靶/背板结构(10)的一部分,或可为单体。本发明还包括...
物理气相沉积部件和线圈的重新磨光方法技术
一种经过使用的物理气相沉积部件的重新磨光方法包括提供在部件表面上具有沉积层的经过使用的物理气相沉积部件例如射频线圈(120)并且使用第一种含酸蚀刻剂对所述沉积层进行一次蚀刻。在所述一次蚀刻后,所述方法包括使磨料颗粒夹带在气体流中、使所述...
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