本发明涉及一种光纤输出激光器及其用途，其特征在于所述激光器包括箱体及其内安装的激光谐振腔和光纤耦合装置，所述激光谐振腔长度在３８５－５８０ｍｍ范围内可调，其内中间安装有Ｎｄ：ＹＡＧ激光棒、泵浦激光电源和水冷恒温器组件，组件的输出一侧安装...

本发明锂离子电池正极材料磷酸铁锂的制备方法，它涉及电极材料的制造方法，其步骤是：用有机三价铁盐与磷酸二氢锂按照Ｆｅ∶Ｌｉ∶ＰＯ↓［４］＝０．８～１．２∶１∶１的摩尔比直接混合后，加入上述物质总和重量２～５倍的丙酮，在球磨机中进行球磨２～...

一种带有挠度补偿镶嵌结构的电池极片轧辊，属于轧制机械部件技术领域，其结构是在轧辊的辊芯外周套装着辊套，辊芯和辊套接触的中间部分紧密配合，其两端辊芯和辊套间有间隙，辊套的端截面处径向隙大于等于该处轧辊的挠度δ＝９ｂ／４８ＩＥ｛４ａ↑［３］...

一种电池极片轧机恒隙装置，属于轧制机械技术领域，主要解决电池极片连续轧制时产生薄厚不均以及内应力分布不均的质量问题。其结构是轧机牌坊上固装着两对轴承座，轴承座上分别架装着轴承，轴承内分别架装着上、下轧辊的大轴径，轴承座的端部分别通过调隙...

一种碱锰电池集电体自动入壳机，其主要特征是在支架上固装着面板，传动系统和微机控制系统，面板上装着钢壳上料机构、钢壳的转位传送机构、钢壳退出机构、及集电体的自动排队、自动定向、自动上料机构和钢壳、集电体位置检测系统、集电体入壳的气动系统。...

一种碱锰电池自动检测分选机，其主要技术特征是在支架上固装着槽形支板，槽形支板上固装着步进电机、微机控制系统、电池重量检测装置、电参数检测装置、气动系统和电池上料装置及调整螺栓，槽形支板上还装着同步传送机构。该机可以直接嵌入生产线实现对电...

本发明涉及一种氧化铈基固体电解质陶瓷材料及其制造方法。其配方包括（ｍｏｌ％）：氧化铈７５～９５、氧化钐或／和氧化钆４．９～２０，其特征在于它还包括特定氧化物陶瓷氧化铝或／和氧化锆０．１～５；其制造方法是包括：１．制备ＣｅＯ＃－［２］基电...

锂／聚吡咯二次扣式电池及其制备方法，属于用聚吡咯／二氧化硅或炭黑纳米复合材料的锂／聚合物二次扣式电池及其制备技术。本发明为了提高二次电池性能，满足社会的需求，提供一种新型二次扣式电池。它主要由涂覆含聚吡咯／二氧化硅或炭黑纳米复合材料的正...

本发明公开的空气电极及其制造方法涉及一种用催化剂活化的惰性电极，它具有集流网／防水层／多层催化层结构，其中多层催化层为２～４层，贴近防水层的内层催化层厚度最小，从内层向外层各催化层的厚度逐渐增加，催化层的厚度越小，其中疏水物质组成的网络...

本发明含锂锰复合氧化物的正极多元活性材料的制备方法涉及一种选择锂锰氧化物作为活性材料之一的电极，该方法的步骤顺序是：直接用氢氧化锂共沉淀法制备Ｍ（ＯＨ）↓［２］、与锂盐球磨混合、压片和预焙烧、冷却球磨压片和焙烧成产品。制备方法中所用的镍...

本发明一种锂离子电池正极材料磷酸铁锂的水热合成法，涉及含两种金属的磷酸盐，步骤是将锂源和磷源溶于水或与水混合后加入反应高压釜中，加入季铵盐类阳离子表面活性剂和烷基酚聚氧乙烯醚类非离子表面活性剂，用惰性气体吹扫釜内死体积中的空气后，密封高...

本发明锂离子电池正极材料磷酸铁锂的水热合成制备方法，它涉及含两种金属的磷酸盐，步骤是将锂源和磷源溶于水或与水混合后，加入高压釜中，用惰性气体吹扫釜内死体积中的空气后，密封高压釜，搅拌下从室温加热至４０～５０℃，打开进料阀和排气阀，再加入...

本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用ＳｉＯ↓［２］水溶胶作为磨料，用ｐＨ调节剂调整溶液的ｐＨ值为９－１３．５，并加入ＦＡ／Ｏ等表面活性剂来制备抛光液。该方法采用不同抛光工艺条...

本实用新型属于半导体硅晶片，尤其涉及一种可以消除半导体硅晶片表面应力的带损伤应力环的半导体硅切片，其特征是：在所述硅切片表面设有损伤应力环。本实用新型的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、...

一种用锗进行硅／硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片，其主要技术特征是在硅抛光片上淀积锗层，然后两片相对锗层在中间，放入烧结炉内键合，可制备Ｎ↑［－］／Ｎ↑［＋］、Ｐ↑［－］／Ｐ↑［＋］、Ｐ↑［－］／Ｎ↑［＋］、Ｎ↑［－］／Ｐ↑［＋］、Ｎ...

一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法，主要技术特征是按以下成分和配比配制氮化铝粉浆料，（重量％）聚乙烯醇缩丁醛２．０～５．０％、甘油２．０～８．０％，油酸１．０～３．０％，无水乙醇２０～３２％、余量为氮化铝和氧化钇混合粉...

一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入０．０１～５％（体积％）的Ｆ...

本发明涉及一种碳化硅热处理装置和方法。热处理装置至少包括一个密封炉室、炉室内设置旋转加热平台、高频感应加热器和样品保护罩构成。采用高频感应加热法代替现有的电阻率加热；高频感应加热器对石墨圆板加热，石墨圆板旋转，１５００－１７００℃下恒温...

本发明涉及一种用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液，其特征在于：抛光液的组分重量％如下：磨料５０－９０，乙二胺四乙酸四（四羟乙基乙二胺）０．５－５，氧化剂０．５－４，表面活性剂０．１－１０，去离子水余量。将上述各组分逐级混合，搅拌...

本发明公开了一种能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置，旨在提供一种在降低热应力作用的同时还能消除机械应力的影响，以控制和消除外延生长中产生的滑移线和高应力集中区，而且工艺简单，生产效率高的能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置...