本发明是一种有序纳米氧化亚铜多晶粉体的制备方法。该方法的步骤为（１）将铜盐溶于水中，制得铜盐溶液，另制得十二烷基磺酸钠－还原剂－醇溶液，然后将二者混合，保温待用；（２）将沉淀剂溶解在水中，制得沉淀剂溶液，再加入醇，配制成沉淀剂－醇－水混...

本发明为一种纯相高结晶度磷酸铁锂的制备方法。该方法的步骤是：将十二烷基磺酸钠－水－乙二醇的混合液、磷源－水－乙二醇的混合液、锂源－水－乙二醇混合液，依次快速加入到亚铁盐－水－乙二醇的混合液烧瓶中，在氮气保护下，升温，回流反应１２～３６小...

本发明为一种有序层状自组装纳米结构磷酸铁锂多晶粉体及其制备方法。该产物是由厚度约为２０～４０纳米的片状磷酸铁锂层层有序堆砌而成的０．５～１微米的颗粒，相邻两磷酸铁锂片层之间为纳米层状孔道，该结构的形成是在表面活性剂双层模板的作用下，通过...

本发明涉及一种三维条形码标签及其制作方法，该标签以单元矩阵组成，包括定位区、信息编码区、起始区和结束区，定位区位于单元矩阵相对的两条边界上，由定位单元组成，且相邻定位单元高度不同；信息编码区位于单元矩阵的中间区域，由高度不同柱状体构成的...

本发明涉及甲基苯酚的合成，具体为一种由甲苯一步羟基化制备甲基苯酚的方法。该方法包括以下步骤：将催化剂、羟胺盐置于反应器中，再加入含有无机酸、低级脂肪酸水溶液的酸性介质，３０℃恒温搅拌２０ｍｉｎ；然后加入甲苯，在常压～０．６ＭＰａ下、５０...

本发明属于基本有机合成，为一种由苯直接制备环己醇的方法，其步骤如下：（１）向反应釜中加入苯、去离子水、苯选择加氢用Ｒｕ系催化剂、环己烯水合催化剂和添加剂，其配比为体积比苯∶去离子水＝１∶０．５～１０，苯选择加氢用Ｒｕ系催化剂用量为Ｒｕ∶...

本发明公开一种三维成像系统的标定方法，该方法包括：１设计标定平板为白色，并具有漫反射表面，同时在标定平板上设计有正方形矩阵式排布的黑色圆环标识，且相邻标识之间的中心距相等；２放置标定平板于测量场中的任意不同位置，并在每个放置位置投影具有...

本发明涉及医药化工行业的中间体的合成技术，具体为一种用于催化合成Ｎ－甲基吡咯烷的催化剂及其合成方法，该催化剂由载体和催化活性组分组成，其中载体为γ－Ａｌ２Ｏ３或ＨＺＳＭ系列分子筛，催化活性组分为金属Ｍ的单质或其氧化物，催化活性成分含量为...

本发明制备单向分布钢纤维增强水泥浆的方法及其专用设备，涉及纤维增强水泥浆，其关键步骤是，将配制成的钢纤维水泥浆拌合物浇入非金属试模并置于制备单向分布钢纤维增强水泥浆的专用设备的线圈的骨架中的空腔内，再将该线圈和试模一起置于上述专用设备的...

本发明制备单向分布钢纤维增强砂浆的方法及其专用设备，涉及纤维增强砂浆，其关键步骤是，将配制成的钢纤维砂浆拌合物浇入非金属试模并置于制备单向分布钢纤维增强砂浆的专用设备的线圈的骨架中的空腔内，再将该线圈和试模一起置于上述专用设备的振动台上...

本发明制备单向分布钢纤维增强混凝土的方法及其专用设备，涉及纤维增强混凝土，其关键步骤是，将配制成的钢纤维混凝土拌合物浇入非金属试模并置于制备单向分布钢纤维增强混凝土的专用设备的线圈的骨架中的空腔内，再将该线圈和试模一起置于上述专用设备的...

本发明公开一种正弦气体微压力发生器，其特征在于该发生器包括一个Ｕ型管，Ｕ型管的底部管外套装一个激磁线圈，激磁线圈的上面安装有上永久磁铁，激磁线圈的下面安装有下永久磁铁，激磁线圈经导线与交流电源连接；所述Ｕ型管的底部管内装有磁性液体，且磁...

本实用新型属管道装置，具体为一种高压耐磨变径弯管。该弯管由直管、变径段及扩大弯管三部分组成，变径段长度与弯管内径的比值、弯管内径与直管内径的比值以及弯管的弯径比为：Ｄ２／Ｄ１＝１．６９：１，Ｌ３／Ｄ２＝３，Ｒ／Ｄ＝２，变径段为对称结构。...

本发明公开了一种锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低锑化铟晶片碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面平整度和洁净度的方法。取电阻为１８ＭΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和ＦＡ／...

本发明公开了一种液晶屏的清洗方法，旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留，消除水基清洗的环保隐患，满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂，加热到５０－６０℃，将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中，配合超声波或兆声作用清洗３－５分...

本发明涉及一种ＵＬＳＩ铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂１－４％、ＦＡ／ＯＩＩ型螯合剂０．５－３％、ＦＡ／ＯＩＩ型阻蚀剂０．１－５％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成ｐＨ值为７．４－８．...

本发明涉及一种超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法，步骤如下：制备水抛液，非离子表面活性剂０．１－５、阻蚀剂０．１－７、螯合剂０．１－０．６、余量为去离子水；用三乙醇胺调节其ｐＨ值等于７－８；使用水抛液进行水抛，流量５００...

本发明涉及使用铌酸锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净，水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后，马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，将残留的抛光液冲...

本发明涉及一种钽化学机械抛光工序中的表面清洗方法，其特征是：其清洗方法步骤如下，制备水抛液：按重量份数计（份）取去离子水，边均匀搅拌边加入表面活性剂０．５％－５％、ＦＡ／ＯＩＩ型螯合剂０．１－５％，ＦＡ／Ｏ?ＩＩ型阻蚀剂０．０１－５％，...

本发明涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞ＣＭＰ后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附...