极大规模集成电路钨插塞ＣＭＰ后表面洁净方法技术

本发明专利技术涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞ＣＭＰ后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附易清洗物质迅速降低表面张力并阻止反应继续进行（物理吸附状态）、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛液具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种极大规模集成电路钨插塞ＣＭＰ后表面洁净方法，其特征在于，按照以下步骤进行（重量ｗｔ％）：（１）水抛液的制备：取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂，活性剂的加入量为１５－３０ｇ／Ｌ，螯合剂的加入量为５－２０ｇ／Ｌ，阻蚀剂的加入量为１－６０ｇ／Ｌ；（２）碱性ＣＭＰ后立即使用上述水溶液采用１０００ｇ／ｍｉｎ－４０００ｇ／ｍｉｎ的流量进行水抛清洁，水抛时间为３０ｓ－３ｍｉｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，牛新环，王辰伟，何彦刚，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]