本申请涉及电子器件技术领域，具体公开了一种用于HTRB和HTGB循环老化测试电路及方法，所述电路包括：第一单刀双掷开关的固定端与漏极相连，第一单刀双掷开关的活动端包括第一触点和第二触点，第一触点与第一单刀单掷开关的活动端相连，第二触点与...

本申请涉及老化测试的技术领域，尤其是涉及一种选型切换加热电路、结温测试电路及结温测试方法，其包括：电压源，包括电源电压正极PWR+和电源电压负极PWR‑，用于为待测MOS管提供加热电压；加热电流提供模块，用于根据参考电流输出相应的恒定加...

本申请涉及一种压接式阻断测试装置，其包括实验柜、设置于实验柜内的顶升机构和第一夹持机构，顶升机构包括导向组件和驱动组件，导向组件的两端均与实验柜连接，第一夹持机构包括第一夹持组件和第二夹持组件，第一夹持组件与第二夹持组件均与导向组件滑移...

本申请涉及一种半导体试验箱，其包括箱体，箱体内具有测试腔和转接腔，所述箱体内还固定有用于把所述测试腔和所述转接腔隔开的第一隔板，所述测试腔内固定有用于对老化板导向的导轨，所述第一隔板开设有转接槽，所述转接腔内设有转接板，所述转接板一端具...

本发明涉及一种

本发明涉及一种用于三电平功率模块的高温反偏老化测试方法，测试电路包括正电源

本发明涉及一种用于三电平功率模块的高温反偏老化测试模块，包括测试工装及测试电路，测试工装包括底部

本发明涉及一种二极管全动态老化设备，包括机柜，机柜里设有变压器及调压组件，直流电源组件，上位机、待测器件阵列板以及控制电路板，直流电源组件与待测器件阵列板之间设有可控硅整流器；控制电路板包括MCU芯片、正向电流组件、反向偏置电压组件、电...

本发明涉及一种二极管全动态老化电路，包括待测二极管、控制电路板、直流电源组件以及变压器及调压组件，控制电路板包括MCU芯片以及多组控制电路，每组控制电路与一个待测二极管连接，每组控制器电路包括两条相互并联的支路，一条支路为依次串联的反向...

本发明涉及一种用于SIC功率循环测试的装置，包括测试架体、器件测试工装，器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座、绝缘压块，多个绝缘座分别固定在多工位水冷板上，绝缘座上固定有探针组A和探针组B，探针组A与待测器件的引脚相抵...

本发明涉及一种二极管全动态老化方法，步骤如下：a）、将相应器件连接成回路；b）、MCU芯片接收上位机上各参数，启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正...