一种用于SIC功率循环测试的装置制造方法及图纸

技术编号:38223361 阅读:8 留言:0更新日期:2023-07-25 17:55
本发明专利技术涉及一种用于SIC功率循环测试的装置,包括测试架体、器件测试工装,器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座、绝缘压块,多个绝缘座分别固定在多工位水冷板上,绝缘座上固定有探针组A和探针组B,探针组A与待测器件的引脚相抵,多个绝缘压块间隔固定在压板的底部,绝缘压块上设有导通探针,动力组件推动压板带动绝缘压块下降时,导通探针的两端分别与待测器件的引脚以及探针组B相抵,使得待测器件的引脚夹在探针组A和导通探针一端之间,且通过导通探针的另一端与探针组B的相抵构成导通回路。本发明专利技术将多个SIC器件放置在多工位水冷板上,且利用绝缘座和绝缘压块夹持SIC器件引脚,满足长时间的大电流通过。满足长时间的大电流通过。满足长时间的大电流通过。

【技术实现步骤摘要】
一种用于SIC功率循环测试的装置


[0001]本专利技术涉及碳化硅器件测试
,更具体地说,是涉及一种用于SIC功率循环测试的装置。

技术介绍

[0002]功率半导体器件又称为电力电子器件(Power Electronic Device),主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上),由现有常见的功率半导体,IGBT器件、SiC MOSFET器件的结构可知,功率模块内部有多种不同材料层组成。由于不同材料在温度变化时对应的膨胀率不同,而频繁的波动会造成不同材料层界面处出现频繁的应力变化,最终导致材料出现应变而退化,这也就表明功率半导体器件在功率频繁变化的工况下是有使用寿命的。
[0003]为了考核功率半导体器件的可靠性,一般通过一系列可靠性试验近似等效实际工作状态,加速器件的老化进程。功率半导体器件的可靠性试验中,功率循环和温度循环试验是最重要的可靠性试验,功率循环试验是器件可靠性考核中最重要的手段。功率循环试验是通过给半导体器件施加一定的工作电流,电流产生的功率损耗加热被测器件,使其结温达到预设温度。目前,国内外仅有极少的研究单位拥有电流等级低的功率循环试验系统,且现有的测试设备每次能够测试的器件数量较少,效率低下。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题,本专利技术的目的在于提供一种用于SIC功率循环测试的装置,该装置能满足碳化硅器件进行大电流测试要求。
[0005]为了实现上述专利技术目的,本专利技术采用以下技术方案:一种用于SIC功率循环测试的装置,包括测试架体,所述测试架体上固定有器件测试工装,测试电路组件以及电源,所述器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座和绝缘压块,所述固定支撑机构的中部固定有多工位水冷板,多个绝缘座分别固定在多工位水冷板相应工位处,所述绝缘座上间隔固定有探针组A和探针组B,探针组A和探针组B均连接至测试电路组件,且探针组A 与待测器件的引脚相抵,所述测试升降驱动机构包括动力组件和压板,所述动力组件固定在固定支撑机构的顶板上,且动力组件的推杆贯穿顶板后与压板固定,多个绝缘压块间隔固定在压板的底部,每个绝缘压块与相应的绝缘座的位置对齐,所述绝缘压块上设有导通探针,动力组件推动压板带动绝缘压块下降时,导通探针的两端分别与待测器件的引脚以及探针组B相抵,使得待测器件的引脚夹在探针组A和导通探针一端之间,且通过导通探针的另一端与探针组B的相抵构成导通回路。
[0006]作为优选方案,所述绝缘座上设有用来放置待测器件的过孔,过孔的一侧设有两个相互间隔的容纳槽,所述探针组A、探针组B分别设置在两个容纳槽内。
[0007]作为优选方案,所述绝缘压块的下端面中部设有凸块,所述导通探针设置在凸块上,且导通探针的长度为两个容纳槽的长度之和。
[0008]作为优选方案,所述多工位水冷板上每个工位处均设有通孔以及紧靠通孔的限位槽,所述探针组A、探针组B分别设置在通孔内,所述待测器件的本体位于限位槽内。
[0009]作为优选方案,所述多工位水冷板内还设有冷却管路,且冷却管路位于多个限位槽的下部,所述冷却管路的两端分别连接进水口和出水口。
[0010]作为优选方案,所述推杆通过套柄与压板固定连接,且推杆与套柄之间还设置有压力传感器。
[0011]作为优选方案,所述压板的上部还固定有限位杆,所述顶板上还固定有限位开关,所述限位开关的触点贯穿顶板,且与限位杆对齐,压板上升到位后会使得限位杆抵靠限位开关的触点,进而使得压板停止上升。
[0012]作为优选方案,所述压板的四个角部分别固定有定位杆,所述顶板的四个角部还固定有直线轴承法兰,所述定位杆与直线轴承法兰滑动连接。
[0013]作为优选方案,沿压板宽度方向的两个定位杆顶部之间还固定有限位块,且其中一个限位块上固定有倒L形的接触板,所述顶板上还固定有行程开关,压板下降到位后会使得行程开关抵靠接触板,进而使得压板停止下降。
[0014]作为优选方案,所述固定支撑机构还包括固定在测试架体上的下隔板,所述顶板与下隔板通过左侧板和右侧板固定连接,所述左侧板和右侧板的内侧分别固定有左支撑板和右支撑板,且左支撑板和右支撑板之间还固定有中支撑板,所述多工位水冷板固定在左支撑板、中支撑板以及右支撑板的上部,且多工位水冷板的前部固定有前封板,后部固定有插接件安装板。
[0015]与现有技术相比,本专利技术的有益效果为:本专利技术通过采用包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座和绝缘压块等结构构成的器件测试工装,多个SIC器件放置在多工位水冷板上,多工位水冷板能够降低SIC器件在测试过程的温度,通过测试升降驱动机构,使得绝缘座和绝缘压块能够牢牢的夹持SIC器件引脚,即使得器件测试工装内所有试验的器件对应的导通探针、探针组A和探针组B长期稳定可靠地接触配合,满足长时间的大电流通过。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的限定。
[0017]图1为本专利技术的整体结构示意图(带显示设备);图2为本专利技术的器件测试工装的结构示意图;图3为本专利技术的测试升降驱动机构以及绝缘压块的结构示意图;图4为本专利技术的固定支撑机构以及多工位水冷板的结构示意图;图5为本专利技术的多工位水冷板、待测器件及绝缘座的结构示意图(俯视角度);图6为本专利技术的多工位水冷板、待测器件及绝缘座的结构示意图(仰视角度);图7为本专利技术的多工位水冷板的剖面结构示意图;图8为本专利技术的绝缘压块与绝缘座的相互配合示意图;
图9为本专利技术的绝缘压块的结构示意图;图10为本专利技术的绝缘座和待测器件的结构示意图。
[0018]附图标记:1、测试架体;11、器件测试工装;12、显示设备;13、工控机;14、抽屉;1101、顶板;1102、左侧板;1103、右侧板;1104、前封板;1105、下隔板;1100、插接件安装板;1106、气缸;1107、推杆;1108、压力传感器;1109、套柄;1110、定位杆;1111、直线轴承法兰;1112、限位块;1113、接触板;1114、行程开关;1115、限位开关;1116、限位杆;1117、压板;1118、转接板;1119、绝缘压块;1120、多工位水冷板;1121、绝缘座;1122、待测器件;1123、导通探针;1170、左支撑板;1180、中支撑板;1190、右支撑板;1125、限位槽;1127、探针组A;1126、通孔;1124、探针组B;1129、进水口;1128、出水口;1130、冷却管路;1131、凸块。
具体实施方式
[0019]应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0020]需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于SIC功率循环测试的装置,包括测试架体(1),所述测试架体(1)上固定有器件测试工装(11),测试电路组件以及电源,其特征在于:所述器件测试工装(11)包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座(1121)和绝缘压块(1119),所述固定支撑机构的中部固定有多工位水冷板(1120),多个绝缘座(1121)分别固定在多工位水冷板(1120)相应工位处,所述绝缘座(1121)上间隔固定有探针组A(1127)和探针组B(1124),探针组A(1127)和探针组B(1124)均连接至测试电路组件,且探针组A(1127) 与待测器件(1122)的引脚相抵,所述测试升降驱动机构包括动力组件和压板(1117),所述动力组件固定在固定支撑机构的顶板(1101)上,且动力组件的推杆(1107)贯穿顶板(1101)后与压板(1117)固定,多个绝缘压块(1119)间隔固定在压板(1117)的底部,每个绝缘压块(1119)与相应的绝缘座(1121)的位置对齐,所述绝缘压块(1119)上设有导通探针(1123),动力组件推动压板(1117)带动绝缘压块(1119)下降时,导通探针(1123)的两端分别与待测器件(1122)的引脚以及探针组B(1124)相抵,使得待测器件(1122)的引脚夹在探针组A(1127)和导通探针(1123)一端之间,且通过导通探针(1123)的另一端与探针组B(1124)的相抵构成导通回路。2.根据权利要求1所述的一种用于SIC功率循环测试的装置,其特征在于,所述绝缘座(1121)上设有用来放置待测器件(1122)的过孔,过孔的一侧设有两个相互间隔的容纳槽,所述探针组A(1127)、探针组B(1124)分别设置在两个容纳槽内。3.根据权利要求2所述的一种用于SIC功率循环测试的装置,其特征在于,所述绝缘压块(1119)的下端面中部设有凸块(1131),所述导通探针(1123)设置在凸块(1131)上,且导通探针(1123)的长度为两个容纳槽的长度之和。4.根据权利要求1所述的一种用于SIC功率循环测试的装置,其特征在于,所述多工位水冷板(1120)上每个工位处均设有通孔(1126)以及紧靠通孔(1126)的限位槽(1125),所述探针组A(1127)、探针组B(1124)分别设置在通孔(1126)内,所述待测器件(1122)的本体位于限位槽(1125)内。5.根据权利要求4所述的一种用于SIC功率循环测试的装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴志刚刘年富陈益敏魏徕刘晖
申请(专利权)人:杭州高裕电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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